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1. 发明专利

TW200618292A NMOS-電晶體 NMOS-TRANSISTOR 审中-公开
简体标题： NMOS-晶体管 NMOS-TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200618292A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094134207
申请日：2005-09-30
申请人：奧地利微系統股份有限公司 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
发明人：馬丁內普 KNAIPP, MARTIN , 喬治羅瑞 ROEHRER, GEORG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/1083 , H01L29/0847 , H01L29/105 , H01L29/7835
摘要：一種完全絕緣之NMOS–電晶體包括：基板之一p–導電之摻雜基底區(1)，一n–導電之摻雜井(2)以及一作為本體用之p–導電之摻雜內井(3)，其中配置一種源極區(4)和一種具有LDD區(7)之汲極區(5)，此源極區和汲極區之間存在一種通道區(8)，其以一種配置在閘極–介電質(9)上方之閘極電極(10)來控制。藉由施加一種高的正電位至n–導電井和施加一種負電位至該內井上，則在汲極，本體和n–導電之摻雜井(2)之間分別可形成空乏層，因此，至少在汲極區下方中該內井的電荷載體可完全耗盡而使擊穿電壓提高。
简体摘要：一种完全绝缘之NMOS–晶体管包括：基板之一p–导电之掺杂基底区(1)，一n–导电之掺杂井(2)以及一作为本体用之p–导电之掺杂内井(3)，其中配置一种源极区(4)和一种具有LDD区(7)之汲极区(5)，此源极区和汲极区之间存在一种信道区(8)，其以一种配置在闸极–介电质(9)上方之闸极电极(10)来控制。借由施加一种高的正电位至n–导电井和施加一种负电位至该内井上，则在汲极，本体和n–导电之掺杂井(2)之间分别可形成空乏层，因此，至少在汲极区下方中该内井的电荷载体可完全耗尽而使击穿电压提高。

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