专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200735334A 具有積體半導體電路之光二極體及其製造方法 PHOTO-DIODE WITH INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND METHOD FOR ITS PRODUCTION 审中-公开
简体标题：具有积体半导体电路之光二极管及其制造方法 PHOTO-DIODE WITH INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND METHOD FOR ITS PRODUCTION
公开(公告)号：TW200735334A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095117667
申请日：2006-05-18
申请人：奧地利微系統股份有限公司 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
发明人：法蘭茲舒朗克 SCHRANK, FRANZ , 傑拉爾德曼哈特 MEINHARDT, GERALD , 瓦雷納瓦司寇立 VESCOLI, VERENA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1469 , H01L21/76898 , H01L27/14634 , H01L27/1464
摘要：本發明建議在半導體本體中製成一種半導體電路且藉由晶圓鍵結方法使半導體本體與另一基板相連接,此基板中一種二極體產生於一種層結構中。藉由經由半導體本體的接觸孔,使半導體電路可與二極體的終端相連接。
简体摘要：本发明建议在半导体本体中制成一种半导体电路且借由晶圆键结方法使半导体本体与另一基板相连接,此基板中一种二极管产生于一种层结构中。借由经由半导体本体的接触孔,使半导体电路可与二极管的终端相连接。

2. 发明专利

TW200635061A 光敏組件 LIGHT-SENSITIVE COMPONENT 失效
简体标题：光敏组件 LIGHT-SENSITIVE COMPONENT
公开(公告)号：TW200635061A
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW095103291
申请日：2006-01-27
申请人：奧地利微系統股份有限公司 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
发明人：喬治羅勒 ROEHRER, GEORG , 喬琴克拉夫特 KRAFT, JOCHEN , 休伯特艾尼屈梅爾 ENICHLMAIR, HUBERT
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1136
摘要：為了偵測藍色成份特別高的光，建議使用CMOS形式之結構的反轉界面區和空間電荷區。在與一種至少一部份可透光的閘極電極(特別是透明的導電氧化物或已結構化的閘極電極)相結合時，可使反轉界面區內部的入射光的短波長成份被吸收且使所產生的電荷載體對(pair)可靠地導引至第一和第二接觸區。操作時在閘極電極上施加一種控制電壓，以便在情況需要時已結構化之閘極電極下方產生一種連續的反轉界面區。
简体摘要：为了侦测蓝色成份特别高的光，建议使用CMOS形式之结构的反转界面区和空间电荷区。在与一种至少一部份可透光的闸极电极(特别是透明的导电氧化物或已结构化的闸极电极)相结合时，可使反转界面区内部的入射光的短波长成份被吸收且使所产生的电荷载体对(pair)可靠地导引至第一和第二接触区。操作时在闸极电极上施加一种控制电压，以便在情况需要时已结构化之闸极电极下方产生一种连续的反转界面区。

3. 发明专利

TW200633027A 製造不同摻雜區用之多重光罩及方法 MULTIPLE MASKS AND METHOD TO PRODUCE DIFFERENT DOPED REGIONS 审中-公开
简体标题：制造不同掺杂区用之多重光罩及方法 MULTIPLE MASKS AND METHOD TO PRODUCE DIFFERENT DOPED REGIONS
公开(公告)号：TW200633027A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW094141996
申请日：2005-11-30
申请人：奧地利微系統股份有限公司 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
发明人：馬丁舒瑞姆 SCHREMS, MARTIN , 雷納米尼斯霍夫爾 MINIXHOFER, RAINER , 馬丁奈普 KNAIPP, MARTIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/266
摘要：為了在具有不同摻雜區之基板(S)中藉助於唯一的光罩(DM)以製成摻雜區(DG)，建議使用多個不同的光罩區，其分別具有縱向延伸之光罩開口(MO)，其對一種傾斜式植入之空間角度具有不同的對準方向。基板在第一和第二傾斜式植入之間旋轉，其中在第一傾斜式植入時最大和最小遮蔽可在不同的光罩區域中區別出且在基板旋轉之後的第二傾斜式植入中各特性可準確地反向。
简体摘要：为了在具有不同掺杂区之基板(S)中借助于唯一的光罩(DM)以制成掺杂区(DG)，建议使用多个不同的光罩区，其分别具有纵向延伸之光罩开口(MO)，其对一种倾斜式植入之空间角度具有不同的对准方向。基板在第一和第二倾斜式植入之间旋转，其中在第一倾斜式植入时最大和最小屏蔽可在不同的光罩区域中区别出且在基板旋转之后的第二倾斜式植入中各特性可准确地反向。

4. 发明专利

TW200618292A NMOS-電晶體 NMOS-TRANSISTOR 审中-公开
简体标题： NMOS-晶体管 NMOS-TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200618292A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094134207
申请日：2005-09-30
申请人：奧地利微系統股份有限公司 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
发明人：馬丁內普 KNAIPP, MARTIN , 喬治羅瑞 ROEHRER, GEORG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/1083 , H01L29/0847 , H01L29/105 , H01L29/7835
摘要：一種完全絕緣之NMOS–電晶體包括：基板之一p–導電之摻雜基底區(1)，一n–導電之摻雜井(2)以及一作為本體用之p–導電之摻雜內井(3)，其中配置一種源極區(4)和一種具有LDD區(7)之汲極區(5)，此源極區和汲極區之間存在一種通道區(8)，其以一種配置在閘極–介電質(9)上方之閘極電極(10)來控制。藉由施加一種高的正電位至n–導電井和施加一種負電位至該內井上，則在汲極，本體和n–導電之摻雜井(2)之間分別可形成空乏層，因此，至少在汲極區下方中該內井的電荷載體可完全耗盡而使擊穿電壓提高。
简体摘要：一种完全绝缘之NMOS–晶体管包括：基板之一p–导电之掺杂基底区(1)，一n–导电之掺杂井(2)以及一作为本体用之p–导电之掺杂内井(3)，其中配置一种源极区(4)和一种具有LDD区(7)之汲极区(5)，此源极区和汲极区之间存在一种信道区(8)，其以一种配置在闸极–介电质(9)上方之闸极电极(10)来控制。借由施加一种高的正电位至n–导电井和施加一种负电位至该内井上，则在汲极，本体和n–导电之掺杂井(2)之间分别可形成空乏层，因此，至少在汲极区下方中该内井的电荷载体可完全耗尽而使击穿电压提高。

5. 发明专利

TW200746419A 具有低臨界値之高壓電晶體及其元件 HIGH VOLT TRANSISTOR WITH LOW THRESHOLD AND SUCH A HIGH VOLT TRANSISTOR COMPREHENSIVE ELEMENT 审中-公开
简体标题：具有低临界値之高压晶体管及其组件 HIGH VOLT TRANSISTOR WITH LOW THRESHOLD AND SUCH A HIGH VOLT TRANSISTOR COMPREHENSIVE ELEMENT
公开(公告)号：TW200746419A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW095142001
申请日：2006-11-14
申请人：奧地利微系統股份有限公司 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
发明人：馬丁內普 KNAIPP, MARTIN , 喬治羅勒 ROEHRER, GEORG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L29/0638 , H01L29/1041 , H01L29/105 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/7833
摘要：本發明涉及一種具有低臨界電壓之高壓-NMOS電晶體,其界定該通道區所用的主體-摻雜區是以深的p-井來形成且在電晶體頭部上配置另一平坦的p-摻雜區以作為通道停止區,此另一平坦的p-摻雜區在半導體基板中施加在該深的p-摻雜區之由通道區偏離的末端上且延伸至一種圍繞活性視窗之場氧化物區之下方。藉由該通道停止區,則可使電晶體頭部上之寄生電晶體之漏電流受到抑制。
简体摘要：本发明涉及一种具有低临界电压之高压-NMOS晶体管,其界定该信道区所用的主体-掺杂区是以深的p-井来形成且在晶体管头部上配置另一平坦的p-掺杂区以作为信道停止区,此另一平坦的p-掺杂区在半导体基板中施加在该深的p-掺杂区之由信道区偏离的末端上且延伸至一种围绕活性窗口之场氧化物区之下方。借由该信道停止区,则可使晶体管头部上之寄生晶体管之漏电流受到抑制。

6. 发明专利

TW200725887A 具有可靠之源極摻雜的電晶體及其製造方法 TRANSISTOR WITH RELIABLE SOURCE DOPING AND ITS PRODUCTION 失效
简体标题：具有可靠之源极掺杂的晶体管及其制造方法 TRANSISTOR WITH RELIABLE SOURCE DOPING AND ITS PRODUCTION
公开(公告)号：TW200725887A
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW095136150
申请日：2006-09-29
申请人：奧地利微系統股份有限公司 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
发明人：馬丁內普 KNAIPP, MARTIN , 喬治羅勒 ROEHRER, GEORG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L21/823892 , H01L29/1033 , H01L29/1087 , H01L29/66681 , H01L29/7816
摘要：本發明提出一種電晶體及一種製造具有不同的閘極氧化物厚度之電晶體的方法,這種製造方法係以一個在閘極堆形成之前進行的摻雜步驟取代在完成閘極電極之製造後通常用來進行源極摻雜的LDD植入。本發明的方法可以使用一種在電晶體的其他製造步驟中已經存在的摻雜。
简体摘要：本发明提出一种晶体管及一种制造具有不同的闸极氧化物厚度之晶体管的方法,这种制造方法系以一个在闸极堆形成之前进行的掺杂步骤取代在完成闸极电极之制造后通常用来进行源极掺杂的LDD植入。本发明的方法可以使用一种在晶体管的其他制造步骤中已经存在的掺杂。

7. 发明专利

TW200642105A 具有較高藍色敏感性之光敏組件、其製造方法及操作方法 LIGHT-SENSITIVE COMPONENT WITH HIGHER BLUE-SENSITIVITY, ITS PRODUCTION METHOD AND OPERATION METHOD 审中-公开
简体标题：具有较高蓝色敏感性之光敏组件、其制造方法及操作方法 LIGHT-SENSITIVE COMPONENT WITH HIGHER BLUE-SENSITIVITY, ITS PRODUCTION METHOD AND OPERATION METHOD
公开(公告)号：TW200642105A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW095104036
申请日：2006-02-07
申请人：奧地利微系統股份有限公司 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
发明人：喬治羅勒 ROEHRER, GEORG , 貝哈特羅夫勒 LOEFFLER, BERNHARD , 休伯特艾尼屈梅爾 ENICHLMAIR, HUBERT , 喬琴克拉夫特 KRAFT, JOCHEN , 傑拉爾德曼哈特 MEINHARDT, GERALD , 伊瓦華克曼 WACHMANN, EWALD
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種光敏組件，其在較薄之高摻雜之磊晶層和較低摻雜之半導體基板之間具有一種半導體接面。光入射視窗外部在磊晶層和半導體基板之間配置一種隔離層。磊晶層之厚度小於50奈米，使入射至光入射視窗中之光子之大部份都可在低摻雜的半導體基板中被吸收。
简体摘要：本发明提供一种光敏组件，其在较薄之高掺杂之磊晶层和较低掺杂之半导体基板之间具有一种半导体接面。光入射窗口外部在磊晶层和半导体基板之间配置一种隔离层。磊晶层之厚度小于50奈米，使入射至光入射窗口中之光子之大部份都可在低掺杂的半导体基板中被吸收。

8. 发明专利

TW200614248A 永久性記憶體元件 NON-VOLATILE MEMORY-ELEMENT 审中-公开
简体标题：永久性内存组件 NON-VOLATILE MEMORY-ELEMENT
公开(公告)号：TW200614248A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094132792
申请日：2005-09-22
申请人：奧地利微系統股份有限公司 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
发明人：喬治史卡茲伯格 SCHATZBERGER, GREGOR
IPC分类号： G11C
摘要：本發明涉及一種永久性記憶體元件，包括：資料端(I1／O1,I2／O2／)，第一導電型之二個MOS–電晶體(60，70)，其源極端是與第二電源電壓端(10)相連接，MOS–電晶體(60)之汲極端是與資料端(I1／O1)相連接且MOS–電晶體(70)之汲極端是與資料端(I2／O2)相連接，其中MOS–電晶體(60，70)形成交叉耦合。此外，設有二個交叉耦合之第二導電型之浮動閘極–MOS–電晶體(40，50)，其中MOS–電晶體(40)之汲極端是與資料端(I1／O1)相連接且MOS–電晶體(50)之汲極端是與資料端(I2／O2)相連接。又，設有二個第二導電型之MOS–電晶體(20，30)，其源極端是與第一電源電壓端(12)相連接，其閘極端是與第一共同連接線(14)相連接，其井端是與第三共同控制線(5)相連接，其中MOS–電晶體(20)之汲極端是與MOS–電晶體(50)之源極端相連接，MOS–電晶體(30)之汲極端是與MOS–電晶體(50)之源極端相連接。
简体摘要：本发明涉及一种永久性内存组件，包括：数据端(I1／O1,I2／O2／)，第一导电型之二个MOS–晶体管(60，70)，其源极端是与第二电源电压端(10)相连接，MOS–晶体管(60)之汲极端是与数据端(I1／O1)相连接且MOS–晶体管(70)之汲极端是与数据端(I2／O2)相连接，其中MOS–晶体管(60，70)形成交叉耦合。此外，设有二个交叉耦合之第二导电型之浮动闸极–MOS–晶体管(40，50)，其中MOS–晶体管(40)之汲极端是与数据端(I1／O1)相连接且MOS–晶体管(50)之汲极端是与数据端(I2／O2)相连接。又，设有二个第二导电型之MOS–晶体管(20，30)，其源极端是与第一电源电压端(12)相连接，其闸极端是与第一共同连接线(14)相连接，其井端是与第三共同控制线(5)相连接，其中MOS–晶体管(20)之汲极端是与MOS–晶体管(50)之源极端相连接，MOS–晶体管(30)之汲极端是与MOS–晶体管(50)之源极端相连接。

9. 发明专利

TWI281162B 永久性記憶體元件 NON-VOLATILE MEMORY-ELEMENT 有权
简体标题：永久性内存组件 NON-VOLATILE MEMORY-ELEMENT
公开(公告)号：TWI281162B
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：TW094132792
申请日：2005-09-22
申请人：奧地利微系統股份有限公司 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
发明人：喬治史卡茲伯格 SCHATZBERGER, GREGOR
IPC分类号： G11C
摘要：本發明涉及一種永久性記憶體元件，包括：資料端(I1/O1, I2/O2/)，第一導電型之二個MOS-電晶體(60，70)，其源極端是與第二電源電壓端(10)相連接，MOS-電晶體(60)之汲極端是與資料端(I1/O1)相連接且MOS-電晶體(70)之汲極端是與資料端(I2/O2)相連接，其中MOS-電晶體(60，70)形成交叉耦合。此外，設有二個交叉耦合之第二導電型之浮動閘極-MOS-電晶體(40，50)，其中MOS-電晶體(40)之汲極端是與資料端(I1/O1)相連接且MOS-電晶體(50)之汲極端是與資料端(I2/O2)相連接。又，設有二個第二導電型之MOS-電晶體(20，30)，其源極端是與第一電源電壓端(12)相連接，其閘極端是與第一共同連接線(14)相連接，其井端是與第三共同控制線(5)相連接，其中MOS-電晶體(20)之汲極端是與MOS-電晶體(50)之源極端相連接，MOS-電晶體(30)之汲極端是與MOS-電晶體(50)之源極端相連接。
简体摘要：本发明涉及一种永久性内存组件，包括：数据端(I1/O1, I2/O2/)，第一导电型之二个MOS-晶体管(60，70)，其源极端是与第二电源电压端(10)相连接，MOS-晶体管(60)之汲极端是与数据端(I1/O1)相连接且MOS-晶体管(70)之汲极端是与数据端(I2/O2)相连接，其中MOS-晶体管(60，70)形成交叉耦合。此外，设有二个交叉耦合之第二导电型之浮动闸极-MOS-晶体管(40，50)，其中MOS-晶体管(40)之汲极端是与数据端(I1/O1)相连接且MOS-晶体管(50)之汲极端是与数据端(I2/O2)相连接。又，设有二个第二导电型之MOS-晶体管(20，30)，其源极端是与第一电源电压端(12)相连接，其闸极端是与第一共同连接线(14)相连接，其井端是与第三共同控制线(5)相连接，其中MOS-晶体管(20)之汲极端是与MOS-晶体管(50)之源极端相连接，MOS-晶体管(30)之汲极端是与MOS-晶体管(50)之源极端相连接。

10. 发明专利

TW200717823A 暗電流已減少之光二極體及其製造方法 PHOTODIODE WITH DECREASED DARK-CURRENT AND ITS PRODUCTION METHOD 审中-公开
简体标题：暗电流已减少之光二极管及其制造方法 PHOTODIODE WITH DECREASED DARK-CURRENT AND ITS PRODUCTION METHOD
公开(公告)号：TW200717823A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095116534
申请日：2006-05-10
申请人：奧地利微系統股份有限公司 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG
发明人：喬琴克拉夫特 KRAFT, JOCHEN , 貝哈特羅夫勒 LOEFFLER, BERNHARD , 傑拉爾德曼哈特 MEINHARDT, GERALD
IPC分类号： H01L
摘要：一種光二極體,其中pn-接面形成在一形成在晶體半導體基板之表面中的摻雜區(DG)和一沈積在此摻雜區上方之第一半導體層(HS)之間。此摻雜區之邊緣區域中設有一額外摻雜區(GD),藉此使pn-接面更深地轉移至基板(SU)中。藉由這樣所達成的pn-接面至相位邊界上的缺陷之距離的變大,則光二極體內部中的暗電流可下降。
简体摘要：一种光二极管,其中pn-接面形成在一形成在晶体半导体基板之表面中的掺杂区(DG)和一沉积在此掺杂区上方之第一半导体层(HS)之间。此掺杂区之边缘区域中设有一额外掺杂区(GD),借此使pn-接面更深地转移至基板(SU)中。借由这样所达成的pn-接面至相位边界上的缺陷之距离的变大,则光二极管内部中的暗电流可下降。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式