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1. 发明专利

TW201413714A 堆疊薄膜臨限組件、裝置及製造方法审中-公开
简体标题：堆栈薄膜临限组件、设备及制造方法
公开(公告)号：TW201413714A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102126155
申请日：2013-07-22
申请人：奇異電器公司 , GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人：石小蕾 , SHI, XIAOLEI , 包登尤金保林 , BODEN, EUGENE PAULING , 陳國朋 , CHAN, KWOK PONG , 羅瑞納彼得威廉 , LORRAINE, PETER WILLIAM , 奧斯圖維卡夫維特佩卓維奇 , OSTROVERKHOV, VICTOR PETROVICH , 趙日安 , ZHAO, RI-AN
IPC分类号： G11B7/0065
CPC分类号： G11B7/24038 , G11B7/26 , G11B2007/240025
摘要：本發明揭示一種組件，其包括一微全息圖層(10)，其中該微全息圖層(10)包括與功能性薄膜層(12)交錯之對光呈惰性之層(14)。該等功能性薄膜層(12)由在由一光束照射時經歷其折射率之一改變而在由一不同光束照射時不經歷其折射率之改變之一材料製成。該等組件(30)可進一步包括與多個微全息圖層(10)交錯之間隔物薄膜(20)及其他元件(例如，伺服層44、塗層(48)及類似層(40、42))以便構成一資料儲存裝置(100)。本發明亦揭示製造該等組件及裝置之方法。
简体摘要：本发明揭示一种组件，其包括一微全息图层(10)，其中该微全息图层(10)包括与功能性薄膜层(12)交错之对光呈惰性之层(14)。该等功能性薄膜层(12)由在由一光束照射时经历其折射率之一改变而在由一不同光束照射时不经历其折射率之改变之一材料制成。该等组件(30)可进一步包括与多个微全息图层(10)交错之间隔物薄膜(20)及其他组件(例如，伺服层44、涂层(48)及类似层(40、42))以便构成一数据存储设备(100)。本发明亦揭示制造该等组件及设备之方法。

3. 发明专利

TW201409635A 用於表面安置模組之擴散阻障审中-公开
简体标题：用于表面安置模块之扩散阻障
公开(公告)号：TW201409635A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102125294
申请日：2013-07-15
申请人：奇異電器公司 , GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人：格達艾朗維盧派克夏 , GOWDA, ARUN VIRUPAKSHA , 麥克考奈利保羅艾倫 , MCCONNELEE, PAUL ALAN , 趙日安 , ZHAO, RI-AN , 喬罕夏卡堤辛夫 , CHAUHAN, SHAKTI SINGH
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3121 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L23/3735 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L23/49894 , H01L23/5389 , H01L23/564 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/24137 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/92144 , H01L2224/9222 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種用於減少濕氣及氣體進入至其之表面安置封裝結構。該表面安置結構包括一子模組，該子模組具有：一介電層；半導體裝置，其附接至該介電層；一第一級互連結構，其電耦合至該等半導體裝置；及一第二級I/O連接件，其電耦合至該第一級互連且形成在該介電層上，其中該第二級I/O連接件經組態以將該子模組連接至一外部電路。該子模組之半導體裝置附接至一基板結構，其中一介電材料定位在該介電層與該基板結構之間以填充該表面安置結構中之間隙。一擴散阻障層施加在該子模組上、鄰近該第一級I/O連接件及該第二級I/O連接件且向下延伸至該基板結構，以減少濕氣及氣體自一周圍環境進入至該表面安置結構中。
简体摘要：本发明揭示一种用于减少湿气及气体进入至其之表面安置封装结构。该表面安置结构包括一子模块，该子模块具有：一介电层；半导体设备，其附接至该介电层；一第一级互链接构，其电耦合至该等半导体设备；及一第二级I/O连接件，其电耦合至该第一级互连且形成在该介电层上，其中该第二级I/O连接件经组态以将该子模块连接至一外部电路。该子模块之半导体设备附接至一基板结构，其中一介电材料定位在该介电层与该基板结构之间以填充该表面安置结构中之间隙。一扩散阻障层施加在该子模块上、邻近该第一级I/O连接件及该第二级I/O连接件且向下延伸至该基板结构，以减少湿气及气体自一周围环境进入至该表面安置结构中。

4. 发明专利

TW201214831A 發光裝置及物品 LIGHT-EMITTING DEVICE AND ARTICLE 审中-公开
简体标题：发光设备及物品 LIGHT-EMITTING DEVICE AND ARTICLE
公开(公告)号：TW201214831A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100111390
申请日：2011-03-31
申请人：奇異電器公司
发明人：顏旻 , 瑞卡夫史帝芬 , 石小蕾 , 趙日安
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L51/5284
摘要：本發明揭示一種裝置，其包含一層，該層包括一光發射區域及一光非發射區域。一光提取特徵部安置於該光非發射區域之上。該等光提取特徵部可包含表面像差及折射率匹配元件。亦提供一種形成該裝置的方法。
简体摘要：本发明揭示一种设备，其包含一层，该层包括一光发射区域及一光非发射区域。一光提取特征部安置于该光非发射区域之上。该等光提取特征部可包含表面像差及折射率匹配组件。亦提供一种形成该设备的方法。

5. 发明专利

TW201202453A 處理多層薄膜之方法 METHOD OF PROCESSING MULTILAYER FILM 审中-公开
简体标题：处理多层薄膜之方法 METHOD OF PROCESSING MULTILAYER FILM
公开(公告)号：TW201202453A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100111418
申请日：2011-03-31
申请人：奇異電器公司
发明人：海勒克麗斯汀馬莉雅安東 , 道高安尼雷 , 克伊雷丹尼斯喬瑟夫 , 顏旻 , 兒雷特艾美特古 , 趙日安
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/403 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45525 , C23C26/00
摘要：本發明提供一種處理一多層薄膜之方法。該方法包含提供一基板薄膜，其具有一基板薄膜第一表面及一基板薄膜第二表面。該方法亦包含提供鄰近於該基板薄膜第二表面之一障壁層。該障壁層具有至少一開口，該至少一開口允許該基板薄膜與該障壁層之一外表面之間之流體連通。此外，該方法包含使該基板薄膜第一表面與一第一反應物接觸，且最終使該障壁層之該外表面與一第二反應物接觸，該第二反應物係與該第一反應物反應。使該基板薄膜第一表面與該第一反應物接觸及使該障壁層之該外表面與該第二反應物接觸的方法係在其中該第一反應物與該第二反應物之間的反應導致一反應層的形成的條件下執行。
简体摘要：本发明提供一种处理一多层薄膜之方法。该方法包含提供一基板薄膜，其具有一基板薄膜第一表面及一基板薄膜第二表面。该方法亦包含提供邻近于该基板薄膜第二表面之一障壁层。该障壁层具有至少一开口，该至少一开口允许该基板薄膜与该障壁层之一外表面之间之流体连通。此外，该方法包含使该基板薄膜第一表面与一第一反应物接触，且最终使该障壁层之该外表面与一第二反应物接触，该第二反应物系与该第一反应物反应。使该基板薄膜第一表面与该第一反应物接触及使该障壁层之该外表面与该第二反应物接触的方法系在其中该第一反应物与该第二反应物之间的反应导致一反应层的形成的条件下运行。

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