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    • 2. 发明专利
    • 處理多層薄膜之方法 METHOD OF PROCESSING MULTILAYER FILM
    • 处理多层薄膜之方法 METHOD OF PROCESSING MULTILAYER FILM
    • TW201202453A
    • 2012-01-16
    • TW100111418
    • 2011-03-31
    • 奇異電器公司
    • 海勒 克麗斯汀 馬莉雅 安東道高 安尼 雷克伊雷 丹尼斯 喬瑟夫顏旻兒雷特 艾美特 古趙日安
    • C23C
    • C23C16/403C23C16/045C23C16/402C23C16/45525C23C26/00
    • 本發明提供一種處理一多層薄膜之方法。該方法包含提供一基板薄膜,其具有一基板薄膜第一表面及一基板薄膜第二表面。該方法亦包含提供鄰近於該基板薄膜第二表面之一障壁層。該障壁層具有至少一開口,該至少一開口允許該基板薄膜與該障壁層之一外表面之間之流體連通。此外,該方法包含使該基板薄膜第一表面與一第一反應物接觸,且最終使該障壁層之該外表面與一第二反應物接觸,該第二反應物係與該第一反應物反應。使該基板薄膜第一表面與該第一反應物接觸及使該障壁層之該外表面與該第二反應物接觸的方法係在其中該第一反應物與該第二反應物之間的反應導致一反應層的形成的條件下執行。
    • 本发明提供一种处理一多层薄膜之方法。该方法包含提供一基板薄膜,其具有一基板薄膜第一表面及一基板薄膜第二表面。该方法亦包含提供邻近于该基板薄膜第二表面之一障壁层。该障壁层具有至少一开口,该至少一开口允许该基板薄膜与该障壁层之一外表面之间之流体连通。此外,该方法包含使该基板薄膜第一表面与一第一反应物接触,且最终使该障壁层之该外表面与一第二反应物接触,该第二反应物系与该第一反应物反应。使该基板薄膜第一表面与该第一反应物接触及使该障壁层之该外表面与该第二反应物接触的方法系在其中该第一反应物与该第二反应物之间的反应导致一反应层的形成的条件下运行。