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1. 发明专利

TW201302323A 將撥水撥油層固定於非晶質碳膜層之方法及以該方法形成之積層體审中-公开
简体标题：将拨水拨油层固定于非晶质碳膜层之方法及以该方法形成之积层体
公开(公告)号：TW201302323A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101120414
申请日：2012-06-06
申请人：太陽化學工業股份有限公司 , TAIYO CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.
发明人：木津克夫 , KITSU, KATSUO , 澀澤邦彥 , SHIBUSAWA, KUNIHIKO , 佐藤剛 , SATO, TAKESHI
IPC分类号： B05D5/08
CPC分类号： B32B9/04 , B05D5/083 , B05D2202/25 , C23C14/06 , C23C14/0605 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23C16/56 , C23C28/046 , Y10T428/30
摘要：本發明提供一種將撥水撥油層固定性良好地設置於非晶質碳膜之方法。本發明之一實施形態之方法包括以下步驟：準備基體；直接或間接於上述基體之至少表面設置含有矽及氮之非晶質碳膜層；及經由可與上述非晶質碳膜層藉由極性形成氫鍵及/或藉由與上述非晶質碳膜之官能基之縮合反應形成-O-M鍵(此處，M為選自由Si、Ti、Al及Zr所組成之群中之任一種元素)之偶合劑，而於上述非晶質碳膜層設置含有氟之撥水撥油層。
简体摘要：本发明提供一种将拨水拨油层固定性良好地设置于非晶质碳膜之方法。本发明之一实施形态之方法包括以下步骤：准备基体；直接或间接于上述基体之至少表面设置含有硅及氮之非晶质碳膜层；及经由可与上述非晶质碳膜层借由极性形成氢键及/或借由与上述非晶质碳膜之官能基之缩合反应形成-O-M键(此处，M为选自由Si、Ti、Al及Zr所组成之群中之任一种元素)之偶合剂，而于上述非晶质碳膜层设置含有氟之拨水拨油层。

2. 发明专利

TWI466782B 向包含非晶質碳膜之層之固定化方法及積層體有权
简体标题：向包含非晶质碳膜之层之固定化方法及积层体
公开(公告)号：TWI466782B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW100107237
申请日：2011-03-03
申请人：太陽化學工業股份有限公司 , TAIYO CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.
发明人：澀澤邦彥 , SHIBUSAWA, KUNIHIKO , 佐藤剛 , SATO, TAKESHI
IPC分类号： B32B7/10 , B32B33/00 , C09K3/18
CPC分类号： C23C16/26 , B32B9/04 , B32B37/16 , C01B32/05 , Y10T156/10 , Y10T428/30

3. 发明专利

TW201305282A 底漆組合物、包含該組合物所形成之底漆層之構造體及該構造體之製造方法审中-公开
简体标题：底漆组合物、包含该组合物所形成之底漆层之构造体及该构造体之制造方法
公开(公告)号：TW201305282A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101123848
申请日：2012-07-02
申请人：太陽化學工業股份有限公司 , TAIYO CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.
发明人：澀澤邦彥 , SHIBUSAWA, KUNIHIKO , 佐藤剛 , SATO, TAKESHI
IPC分类号： C09D1/00 , B32B9/00 , B41N1/24 , B41N3/00
CPC分类号： B41F15/36 , B41N1/247 , C09D5/002 , C09D5/1693 , C09D11/0235 , C23C16/26 , C23C16/515 , Y10T428/249953 , Y10T442/10
摘要：本發明提供一種包含非晶質碳材料、形成與含氟之矽烷偶合劑牢固地結合之底漆層的底漆組合物。本發明之一實施形態之底漆組合物包含含有矽、氧或氮中之至少一種元素之非晶質碳材料。
简体摘要：本发明提供一种包含非晶质碳材料、形成与含氟之硅烷偶合剂牢固地结合之底漆层的底漆组合物。本发明之一实施形态之底漆组合物包含含有硅、氧或氮中之至少一种元素之非晶质碳材料。

4. 发明专利

TW201142083A 以鋁或鋁合金為基板之多層膜積層體及其積層方法审中-公开
简体标题：以铝或铝合金为基板之多层膜积层体及其积层方法
公开(公告)号：TW201142083A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100106068
申请日：2011-02-23
申请人：太陽化學工業股份有限公司
发明人：稻葉晃一 , 澀澤邦彥 , 佐藤剛
IPC分类号： C23C , C25D
CPC分类号： C23C16/0281 , C23C16/26 , C23C16/515 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1692 , C23C18/54 , C23C28/322 , C23C28/3225 , C23C28/325 , C23C28/343 , C23C28/36 , C25D11/04 , C25D11/18
摘要：本發明提供一種可於鋁或鋁合金系基材之最上部密接性良好地形成非晶質碳膜且可抑制非晶質碳膜下層之腐蝕之多層膜積層方法。於含鋁或鋁合金之基材表面形成鋅置換膜，將該鋅置換層設為底塗層並藉由非電解鍍敷法而形成鍍鎳層，其次形成硬質鍍鉻層，進而，於較佳為350℃以下之條件下，較佳為藉由低溫電漿CVD法而形成非晶質碳膜作為最上層，藉此可獲得具有適當之硬度之傾斜構造之多層膜構造體。
简体摘要：本发明提供一种可于铝或铝合金系基材之最上部密接性良好地形成非晶质碳膜且可抑制非晶质碳膜下层之腐蚀之多层膜积层方法。于含铝或铝合金之基材表面形成锌置换膜，将该锌置换层设为底涂层并借由非电解镀敷法而形成镀镍层，其次形成硬质镀铬层，进而，于较佳为350℃以下之条件下，较佳为借由低温等离子CVD法而形成非晶质碳膜作为最上层，借此可获得具有适当之硬度之倾斜构造之多层膜构造体。

5. 发明专利

TW201139154A 向包含非晶質碳膜之層之固定化方法及積層體审中-公开
简体标题：向包含非晶质碳膜之层之固定化方法及积层体
公开(公告)号：TW201139154A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100107237
申请日：2011-03-03
申请人：太陽化學工業股份有限公司
发明人：澀澤邦彥 , 佐藤剛
IPC分类号： B32B , C09K
CPC分类号： C23C16/26 , B32B9/04 , B32B37/16 , C01B32/05 , Y10T156/10 , Y10T428/30
摘要：本發明提供一種非晶質碳膜，其可在設置於基材上之包含非晶質碳膜之層上固定包含與該膜之表面之羥基進行縮合反應之材料的層，且具有充分之保持力與該保持力之均勻性。一種在設置於基材上之包含非晶質碳膜之層之表面，固定包含與該膜之表面之羥基進行縮合反應之材料之層的方法。該方法係藉由使包含上述非晶質碳膜之層中含有Si及O，而提高包含與上述羥基進行縮合反應之材料之層的密接耐久性及結合狀態之均勻性。尤其是藉由使用氟系矽烷偶合劑，而可賦予斥水‧斥油性或耐磨性、耐化學品性、低摩擦性、非黏著性等高功能。
简体摘要：本发明提供一种非晶质碳膜，其可在设置于基材上之包含非晶质碳膜之层上固定包含与该膜之表面之羟基进行缩合反应之材料的层，且具有充分之保持力与该保持力之均匀性。一种在设置于基材上之包含非晶质碳膜之层之表面，固定包含与该膜之表面之羟基进行缩合反应之材料之层的方法。该方法系借由使包含上述非晶质碳膜之层中含有Si及O，而提高包含与上述羟基进行缩合反应之材料之层的密接耐久性及结合状态之均匀性。尤其是借由使用氟系硅烷偶合剂，而可赋予斥水‧斥油性或耐磨性、耐化学品性、低摩擦性、非黏着性等高功能。

6. 发明专利

TW201204563A 含有非晶形碳膜之網版印刷用孔版及其製造方法审中-公开
简体标题：含有非晶形碳膜之网版印刷用孔版及其制造方法
公开(公告)号：TW201204563A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100112508
申请日：2011-04-11
申请人：太陽化學工業股份有限公司
发明人：澀澤邦彥 , 佐藤剛 , 木津克夫
IPC分类号： B41F , B41N , B41C
CPC分类号： B41F15/34 , B41C1/148 , B41N1/248 , H05K3/1225
摘要：本發明提供一種網版印刷用孔版，其包含DLC(Diamond-like Carbon，類鑽碳)膜等非晶形碳膜，並且於該非晶形碳膜上之至少一部分上固定性良好地設置有拒水/拒油層。本發明之一實施形態之網版10包含：篩網16，其固定於框體12上；乳劑層14，其填充於篩網16上，且形成有印刷圖案開口部18；非晶形碳膜層，其形成於印刷圖案開口部18之內壁22之表面的至少一部分上，且含有矽、氧、或氮中之至少1種元素；及矽烷偶合劑薄膜層20，其設置於該非晶形碳膜層上之至少一部分上，且含有氟。
简体摘要：本发明提供一种网版印刷用孔版，其包含DLC(Diamond-like Carbon，类钻碳)膜等非晶形碳膜，并且于该非晶形碳膜上之至少一部分上固定性良好地设置有拒水/拒油层。本发明之一实施形态之网版10包含：筛网16，其固定于框体12上；乳剂层14，其填充于筛网16上，且形成有印刷图案开口部18；非晶形碳膜层，其形成于印刷图案开口部18之内壁22之表面的至少一部分上，且含有硅、氧、或氮中之至少1种元素；及硅烷偶合剂薄膜层20，其设置于该非晶形碳膜层上之至少一部分上，且含有氟。

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