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1. 发明专利

TWI434059B 光學式測距感測器及電子機器有权
简体标题：光学式测距传感器及电子机器
公开(公告)号：TWI434059B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW099145381
申请日：2010-12-22
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA , 原相科技股份有限公司 , PIXART IMAGING INC.
发明人：山口陽史 , YAMAGUCHI, AKIFUMI , 和田秀夫 , WADA, HIDEO , 久保勝 , KUBO, MASARU , 呂志宏 , LU, CHIH HUNG
IPC分类号： G01S17/08 , G01B11/00
CPC分类号： G01C3/085

2. 发明专利

TW201139971A 光學式檢測裝置及電子機器 OPTICAL DETECTION DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT 审中-公开
简体标题：光学式检测设备及电子机器 OPTICAL DETECTION DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT
公开(公告)号：TW201139971A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099126809
申请日：2010-08-11
申请人：夏普股份有限公司
发明人：和田秀夫 , 山口陽史 , 久保勝
IPC分类号： G01B , G06T
CPC分类号： G06F3/011 , G06F3/0304
摘要：本發明之光學式檢測裝置包括:發光元件(2),其係區域感測器;發光透鏡部(4a),其將自發光元件(2)出射之光束照射至測定對象物(20);受光透鏡部(5a),其使來自測定對象物(20)之反射光聚光;受光元件(3),其檢測藉由受光透鏡部(5a)所聚光之來自測定對象物(20)之反射光;及訊號處理部(7),其處理來自受光元件(3)之受光訊號。上述訊號處理部(7)基於來自受光元件(3)之受光訊號,根據受光元件(3)上之光點位置或者光點形狀之至少一者,檢測xy座標平面上之測定對象物(20)之x座標或者y座標之至少一者。
简体摘要：本发明之光学式检测设备包括:发光组件(2),其系区域传感器;发光透镜部(4a),其将自发光组件(2)出射之光束照射至测定对象物(20);受光透镜部(5a),其使来自测定对象物(20)之反射光聚光;受光组件(3),其检测借由受光透镜部(5a)所聚光之来自测定对象物(20)之反射光;及信号处理部(7),其处理来自受光组件(3)之受光信号。上述信号处理部(7)基于来自受光组件(3)之受光信号,根据受光组件(3)上之光点位置或者光点形状之至少一者,检测xy座标平面上之测定对象物(20)之x座标或者y座标之至少一者。

3. 发明专利

TWI424144B 光學式檢測裝置及電子機器有权
简体标题：光学式检测设备及电子机器
公开(公告)号：TWI424144B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW099126809
申请日：2010-08-11
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：和田秀夫 , WADA, HIDEO , 山口陽史 , YAMAGUCHI, AKIFUMI , 久保勝 , KUBO, MASARU
IPC分类号： G01B11/00 , G06T1/00
CPC分类号： G06F3/011 , G06F3/0304

4. 发明专利

TW201140111A 光學式測距感測器及電子機器 OPTICAL RANGING SENSOR AND ELECTRONIC EQUIPMENT 审中-公开
简体标题：光学式测距传感器及电子机器 OPTICAL RANGING SENSOR AND ELECTRONIC EQUIPMENT
公开(公告)号：TW201140111A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099145381
申请日：2010-12-22
申请人：夏普股份有限公司 , 原相科技股份有限公司
发明人：山口陽史 , 和田秀夫 , 久保勝 , 呂志宏
IPC分类号： G01S , G01B
CPC分类号： G01C3/085
摘要：本發明之光學式測距感測器具備:對被測定物體照射光束之發光部;形成由上述被測定物反射之上述光束之反射光之光點之受光部;及處理來自上述受光部之輸出信號,而檢測至上述被測定物體之距離之處理電路部。上述受光部包含有效受光部,其係被測定物體於上述發光部之光軸方向移動時在上述光點位置所移動之方向即第1方向及與該第1方向正交之第2方向上,成矩陣狀配置有複數之受光單元。上述有效受光部之上述第2方向之尺寸為上述光點之半徑以上且直徑以下。
简体摘要：本发明之光学式测距传感器具备:对被测定物体照射光束之发光部;形成由上述被测定物反射之上述光束之反射光之光点之受光部;及处理来自上述受光部之输出信号,而检测至上述被测定物体之距离之处理电路部。上述受光部包含有效受光部,其系被测定物体于上述发光部之光轴方向移动时在上述光点位置所移动之方向即第1方向及与该第1方向正交之第2方向上,成矩阵状配置有复数之受光单元。上述有效受光部之上述第2方向之尺寸为上述光点之半径以上且直径以下。

5. 发明专利

TW521441B 具有內建電路之光偵測器及其製造方法失效
简体标题：具有内置电路之光侦测器及其制造方法
公开(公告)号：TW521441B
公开(公告)日：2003-02-21
申请号：TW090121867
申请日：2001-09-04
申请人：夏普股份有限公司
发明人：瀧本貴博 , 大久保勇 , 笠松利光 , 久保勝 , 谷善平
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1443
摘要：一種具有內建電路之光偵測器，包括一半導體基質，一個提供在該半導體基質上之積體電路，以及一個提供在該半導體基質上之光二極體。該積體電路包括一至少設置於該積體電路一部份上之矽鍺(SiGe)層。
简体摘要：一种具有内置电路之光侦测器，包括一半导体基质，一个提供在该半导体基质上之集成电路，以及一个提供在该半导体基质上之光二极管。该集成电路包括一至少设置于该集成电路一部份上之硅锗(SiGe)层。

6. 发明专利

TW201123966A ＬＥＤ驅動電路、相位控制減光器、ＬＥＤ照明器具、ＬＥＤ照明裝置、及ＬＥＤ照明系統 LED DRIVE CIRCUIT, PHASE CONTROL DIMMER, LED ILLUMINATION FIXTURE, LED ILLUMINATION DEVICE, AND LED ILLUMINATION SYSTEM 审中-公开
简体标题：ＬＥＤ驱动电路、相位控制减光器、ＬＥＤ照明器具、ＬＥＤ照明设备、及ＬＥＤ照明系统 LED DRIVE CIRCUIT, PHASE CONTROL DIMMER, LED ILLUMINATION FIXTURE, LED ILLUMINATION DEVICE, AND LED ILLUMINATION SYSTEM
公开(公告)号：TW201123966A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099129297
申请日：2010-08-31
申请人：夏普股份有限公司
发明人：金森淳 , 久保勝 , 丸山康弘 , 和里田浩久
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H05B33/0815 , H05B33/0809 , H05B33/0845 , H05B37/0263 , Y02B20/348
摘要：本發明揭示一種用於藉由一交流電壓之輸入而驅動一LED之LED驅動電路,該LED驅動電路係能夠連接至一相位控制減光器。該LED驅動電路具有一電流提取器,該電流提取器用於在該相位控制減光器內部之一相位控制元件導通且該LED發射光之後繼續允許電流流入該相位控制減光器中,使得該相位控制減光器內部之該相位控制元件不會在該交流電壓達到0 V之前關斷。
简体摘要：本发明揭示一种用于借由一交流电压之输入而驱动一LED之LED驱动电路,该LED驱动电路系能够连接至一相位控制减光器。该LED驱动电路具有一电流提取器,该电流提取器用于在该相位控制减光器内部之一相位控件导通且该LED发射光之后继续允许电流流入该相位控制减光器中,使得该相位控制减光器内部之该相位控件不会在该交流电压达到0 V之前关断。

7. 发明专利

TW359039B 集成電路之光接收元件失效
简体标题：集成电路之光接收组件
公开(公告)号：TW359039B
公开(公告)日：1999-05-21
申请号：TW086114143
申请日：1997-09-27
申请人：夏普股份有限公司
发明人：久保勝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/144 , H01L31/02024
摘要：本發明之集成電路光接收元件，包括：一第一傳導型之半導體基板；形成於該半導體基板上之第二傳導型之一第一半導體層；用以分割該第一半導體層，使之成為該第二傳導型之半導體區域之第一傳導型之一第一半導體層；由該等分割半導體區域及該半導體基板之底下區域所構成之光偵測部分，由該等光偵測區域所組成之分割光二極體；一第二傳導型之第二半導體層作為該分割光二極體之分割部分，其只形成於該第一傳導型之該第一半導體層附近，及在形成該等個別光偵測區域之該半導體基板主該等區域內；及第一傳導型之一第二半導體層，其形成於第二傳導型之第一半導體層之表層區域中包括該分割部分，以便包含該第二傳導型之第二半導體層之上方部分。
简体摘要：本发明之集成电路光接收组件，包括：一第一传导型之半导体基板；形成于该半导体基板上之第二传导型之一第一半导体层；用以分割该第一半导体层，使之成为该第二传导型之半导体区域之第一传导型之一第一半导体层；由该等分割半导体区域及该半导体基板之底下区域所构成之光侦测部分，由该等光侦测区域所组成之分割光二极管；一第二传导型之第二半导体层作为该分割光二极管之分割部分，其只形成于该第一传导型之该第一半导体层附近，及在形成该等个别光侦测区域之该半导体基板主该等区域内；及第一传导型之一第二半导体层，其形成于第二传导型之第一半导体层之表层区域中包括该分割部分，以便包含该第二传导型之第二半导体层之上方部分。

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