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1. 发明专利

TW201140028A 氧化矽濃度測定方法及氧化矽濃度測定裝置 MEASURING METHOD OF CONCENTRATION OF SILICA AND MEASURING DEVICE OF CONCENTRATION OF SILICA 审中-公开
简体标题：氧化硅浓度测定方法及氧化硅浓度测定设备 MEASURING METHOD OF CONCENTRATION OF SILICA AND MEASURING DEVICE OF CONCENTRATION OF SILICA
公开(公告)号：TW201140028A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099135457
申请日：2010-10-18
申请人：堀場先進技術股份有限公司
发明人：內村幸治 , 俣野芳朗 , 宮垣瞬 , 井上健太郎
IPC分类号： G01N
摘要：本發明的氧化矽濃度測定裝置無需使用鉬酸離子等的試藥,藉由簡單的裝置構成來實時、連續且高精度地測定氧化矽濃度。此裝置包括:光照射部2,對溶液照射檢查光;第1光檢測部3,包含第1光檢測元件,該第1光檢測元件在螢光檢測波長區域及散射光檢測波長區域具有檢測靈敏度,螢光檢測波長區域為藉由檢查光的照射而產生的螢光的波長區域的至少一部分,散射光檢測波長區域為藉由上述檢查光的照射而產生的散射光的波長區域的至少一部分;第2光檢測部4,包含在散射光檢測波長區域具有檢測靈敏度的第2光檢測元件;以及氧化矽濃度計算部53,將第1光檢測部3的光强度信號値及第2光檢測部4的光强度信號値作為參數來計算氧化矽濃度。
简体摘要：本发明的氧化硅浓度测定设备无需使用钼酸离子等的试药,借由简单的设备构成来实时、连续且高精度地测定氧化硅浓度。此设备包括:光照射部2,对溶液照射检查光;第1光检测部3,包含第1光检测组件,该第1光检测组件在萤光检测波长区域及散射光检测波长区域具有检测灵敏度,萤光检测波长区域为借由检查光的照射而产生的萤光的波长区域的至少一部分,散射光检测波长区域为借由上述检查光的照射而产生的散射光的波长区域的至少一部分;第2光检测部4,包含在散射光检测波长区域具有检测灵敏度的第2光检测组件;以及氧化硅浓度计算部53,将第1光检测部3的光强度信号値及第2光检测部4的光强度信号値作为参数来计算氧化硅浓度。

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