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1. 发明专利

TW201738549A 測量池結構和光學分析裝置审中-公开
简体标题：测量池结构和光学分析设备
公开(公告)号：TW201738549A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106112546
申请日：2017-04-14
申请人：堀場先進技術股份有限公司 , HORIBA ADVANCED TECHNO, CO., LTD.
发明人：森田敏夫 , MORITA, TOSHIO , 木崎寬子 , KIZAKI, HIROKO , 蔵本久典 , KURAMOTO, HISANORI
IPC分类号： G01N21/01 , G01N21/03
CPC分类号： G01N21/05
摘要：本發明提供測量池結構和光學分析裝置，能使測量池的安裝和拆卸操作變得容易，從而能提高可用性，並能提高測量池的安裝位置的精度。所述測量池結構包括導入試樣的測量池（2）；以可插拔的方式保持測量池（2）的池保持體（7）；以及介於測量池（2）和池保持體（7）之間設置，使測量池（2）相對於池保持體（7）在插拔方向上滑動的滑動機構（8）。滑動機構（8）具有形成在測量池（2）或池保持體（7）的一方上的凹部（81）以及形成在另一方上的凸部（82）。
简体摘要：本发明提供测量池结构和光学分析设备，能使测量池的安装和拆卸操作变得容易，从而能提高可用性，并能提高测量池的安装位置的精度。所述测量池结构包括导入试样的测量池（2）；以可插拔的方式保持测量池（2）的池保持体（7）；以及介于测量池（2）和池保持体（7）之间设置，使测量池（2）相对于池保持体（7）在插拔方向上滑动的滑动机构（8）。滑动机构（8）具有形成在测量池（2）或池保持体（7）的一方上的凹部（81）以及形成在另一方上的凸部（82）。

2. 发明专利

TW201009318A 矽濃度測定裝置 DEVICE FOR MEASURING SILICON CONCENTRATION 审中-公开
简体标题：硅浓度测定设备 DEVICE FOR MEASURING SILICON CONCENTRATION
公开(公告)号：TW201009318A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098123755
申请日：2009-07-14
申请人：堀場先進技術股份有限公司
发明人：內村幸治 , 俣野芳朗
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N21/645 , G01N21/53 , G01N2021/4707 , G01N2021/4709 , G01N2021/6421 , G01N2021/6493 , G01N2021/8557
摘要：本發明藉由簡易機構檢測待檢液中所含微量矽，係為測定待檢液中之矽濃度之裝置1，包含：激勵光照射部2，向前述待檢液照射對於矽之激勵光；光檢測部3，檢測從前述受激勵光照射之前述待檢液中之矽所發出之螢光及/或散射光；及運算部41，從前述螢光及/或散射光之強度計算前述待檢液中之矽濃度。
简体摘要：本发明借由简易机构检测待检液中所含微量硅，系为测定待检液中之硅浓度之设备1，包含：激励光照射部2，向前述待检液照射对于硅之激励光；光检测部3，检测从前述受激励光照射之前述待检液中之硅所发出之萤光及/或散射光；及运算部41，从前述萤光及/或散射光之强度计算前述待检液中之硅浓度。

3. 发明专利

TW201140028A 氧化矽濃度測定方法及氧化矽濃度測定裝置 MEASURING METHOD OF CONCENTRATION OF SILICA AND MEASURING DEVICE OF CONCENTRATION OF SILICA 审中-公开
简体标题：氧化硅浓度测定方法及氧化硅浓度测定设备 MEASURING METHOD OF CONCENTRATION OF SILICA AND MEASURING DEVICE OF CONCENTRATION OF SILICA
公开(公告)号：TW201140028A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099135457
申请日：2010-10-18
申请人：堀場先進技術股份有限公司
发明人：內村幸治 , 俣野芳朗 , 宮垣瞬 , 井上健太郎
IPC分类号： G01N
摘要：本發明的氧化矽濃度測定裝置無需使用鉬酸離子等的試藥,藉由簡單的裝置構成來實時、連續且高精度地測定氧化矽濃度。此裝置包括:光照射部2,對溶液照射檢查光;第1光檢測部3,包含第1光檢測元件,該第1光檢測元件在螢光檢測波長區域及散射光檢測波長區域具有檢測靈敏度,螢光檢測波長區域為藉由檢查光的照射而產生的螢光的波長區域的至少一部分,散射光檢測波長區域為藉由上述檢查光的照射而產生的散射光的波長區域的至少一部分;第2光檢測部4,包含在散射光檢測波長區域具有檢測靈敏度的第2光檢測元件;以及氧化矽濃度計算部53,將第1光檢測部3的光强度信號値及第2光檢測部4的光强度信號値作為參數來計算氧化矽濃度。
简体摘要：本发明的氧化硅浓度测定设备无需使用钼酸离子等的试药,借由简单的设备构成来实时、连续且高精度地测定氧化硅浓度。此设备包括:光照射部2,对溶液照射检查光;第1光检测部3,包含第1光检测组件,该第1光检测组件在萤光检测波长区域及散射光检测波长区域具有检测灵敏度,萤光检测波长区域为借由检查光的照射而产生的萤光的波长区域的至少一部分,散射光检测波长区域为借由上述检查光的照射而产生的散射光的波长区域的至少一部分;第2光检测部4,包含在散射光检测波长区域具有检测灵敏度的第2光检测组件;以及氧化硅浓度计算部53,将第1光检测部3的光强度信号値及第2光检测部4的光强度信号値作为参数来计算氧化硅浓度。

4. 外观设计

TWD183380S 氣體濃度測定用管路有权
简体标题：气体浓度测定用管路
公开(公告)号：TWD183380S
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105304563
申请日：2016-08-09
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. , 堀場先進技術股份有限公司 , HORIBA ADVANCED TECHNO, CO., LTD.
设计人：立野秀人 , TATENO, HIDETO , 田中昭典 , TANAKA, AKINORI , 有本公彦 , ARIMOTO, KIMIHIKO

5. 发明专利

TW201245672A 處理液用流量計 FLOWMETER FOR TREATMENT SOLUTION 审中-公开
简体标题：处理液用流量计 FLOWMETER FOR TREATMENT SOLUTION
公开(公告)号：TW201245672A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101107796
申请日：2012-03-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 堀場先進技術股份有限公司
发明人：佐藤尊三 , 安藤了至 , 內村幸治
IPC分类号： G01F , G01N , B05C
CPC分类号： G01F1/66 , G01F1/667 , G01F1/74
摘要：一種處理液用流量計，對在供給配管200中流動的處理液的流速進行測定，且包括：一對超音波振動器2、3，在上述供給配管200的流動方向上，隔開固定距離地配置；流速計算部4，基於第1到達時間T1及第2到達時間T2，對上述處理液的流速進行計算，上述第1到達時間T1是自一個超音波振動器2發出的超音波到達另一個超音波振動器3的時間，上述第2到達時間T2是自上述另一個超音波振動器3發出的超音波到達上述一個超音波振動器2的時間；以及氣泡混入判斷部5，基於計算出的上述處理液的流速的時間變化量，判斷上述處理液中是否混入有氣泡。
简体摘要：一种处理液用流量计，对在供给配管200中流动的处理液的流速进行测定，且包括：一对超音波振动器2、3，在上述供给配管200的流动方向上，隔开固定距离地配置；流速计算部4，基于第1到达时间T1及第2到达时间T2，对上述处理液的流速进行计算，上述第1到达时间T1是自一个超音波振动器2发出的超音波到达另一个超音波振动器3的时间，上述第2到达时间T2是自上述另一个超音波振动器3发出的超音波到达上述一个超音波振动器2的时间；以及气泡混入判断部5，基于计算出的上述处理液的流速的时间变化量，判断上述处理液中是否混入有气泡。

6. 发明专利

TW201818068A 導電計审中-公开
简体标题：导电计
公开(公告)号：TW201818068A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106137549
申请日：2017-10-31
申请人：堀場先進技術股份有限公司 , HORIBA ADVANCED TECHNO, CO., LTD.
发明人：鈴木理一郎 , SUZUKI, RIICHIRO , 高橋秀和 , TAKAHASHI, HIDEKAZU , 井上健太郎 , INOUE, KENTARO , 木崎寛子 , KIZAKI, HIROKO
IPC分类号： G01N27/07
摘要：為了在流路中設有導電計的電極時，避免該電極妨礙流路的流動，本發明的導電計包括：兩個電極21、22，呈形成有供流體流動的內部流路2r的筒狀；以及電極支架31，使兩個電極21、22的內部流路2r彼此連通，並且保持兩個電極21、22，電極支架31卡止於兩個電極21、22的彼此相向的軸向端部2x、2y各自的外側周面，以保持兩個電極21、22。
简体摘要：为了在流路中设有导电计的电极时，避免该电极妨碍流路的流动，本发明的导电计包括：两个电极21、22，呈形成有供流体流动的内部流路2r的筒状；以及电极支架31，使两个电极21、22的内部流路2r彼此连通，并且保持两个电极21、22，电极支架31卡止于两个电极21、22的彼此相向的轴向端部2x、2y各自的外侧周面，以保持两个电极21、22。

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