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2. 发明专利

TW201225363A 電流相對於由電極定義的軸橫向流動的相變化唯讀記憶體 CRAM WITH CURRENT FLOWING LATERALLY RELATIVE TO AXIS DEFINED BY ELECTRODES 审中-公开
简体标题：电流相对于由电极定义的轴横向流动的相变化唯读内存 CRAM WITH CURRENT FLOWING LATERALLY RELATIVE TO AXIS DEFINED BY ELECTRODES
公开(公告)号：TW201225363A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100133050
申请日：2011-09-14
申请人：旺宏電子股份有限公司 , 國際商業機器股份有限公司
发明人：龍翔瀾 , 林仲漢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要：一種改善的相變化記憶體裝置具有相變化結構。相變化結構包括介於電極之接觸表面與介電結構之間的薄部分。舉例來說,薄部分的最大厚度小於電極之接觸表面的最大寬度。於另一範例中,相變化結構圍繞介電結構。幾種變化例改善了相變化結構與電極之間的接觸。
简体摘要：一种改善的相变化内存设备具有相变化结构。相变化结构包括介于电极之接触表面与介电结构之间的薄部分。举例来说,薄部分的最大厚度小于电极之接触表面的最大宽度。于另一范例中,相变化结构围绕介电结构。几种变化例改善了相变化结构与电极之间的接触。

3. 发明专利

TW201005936A 具有二極體存取裝置之完全自我對準微孔型記憶胞 FULLY SELF-ALIGNED PORE-TYPE MEMORY CELL HAVING DIODE ACCESS DEVICE 审中-公开
简体标题：具有二极管存取设备之完全自我对准微孔型记忆胞 FULLY SELF-ALIGNED PORE-TYPE MEMORY CELL HAVING DIODE ACCESS DEVICE
公开(公告)号：TW201005936A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW097128677
申请日：2008-07-29
申请人：旺宏電子股份有限公司 , 國際商業機器股份有限公司
发明人：龍翔瀾 , 林仲漢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683 , Y10S438/90
摘要：本發明係關於一種記憶裝置及其製造方法。此處所述之記憶裝置包含複數個記憶胞。該等記憶胞中之每一記憶胞包含：一二極體，其包含有摻雜半導體材料、一介電間隔物，在該二極體上，且定義一開口，該介電間隔物具有與該二極體側邊自我對準之側邊。每一記憶胞更包含一記憶體元件，在該介電間隔物上以及包含在該開口內與該二極體之一頂表面接觸的一部份。
简体摘要：本发明系关于一种记忆设备及其制造方法。此处所述之记忆设备包含复数个记忆胞。该等记忆胞中之每一记忆胞包含：一二极管，其包含有掺杂半导体材料、一介电间隔物，在该二极管上，且定义一开口，该介电间隔物具有与该二极管侧边自我对准之侧边。每一记忆胞更包含一内存组件，在该介电间隔物上以及包含在该开口内与该二极管之一顶表面接触的一部份。

5. 发明专利

TWI451427B 用於減少相變化記憶體中瑕疵位元數的方法及其裝置有权
简体标题：用于减少相变化内存中瑕疵比特数的方法及其设备
公开(公告)号：TWI451427B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW099120695
申请日：2010-06-24
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. , 國際商業機器股份有限公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：施彥豪 , SHIH, YEN HAO , 李明修 , LEE, MING HSIU , 吳昭誼 , WU, CHAO I , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG LAN , 林仲漢 , LAM, CHUNG HON , 契克羅傑 , CHEEK, ROGER , 布雷杜斯克馬修J , BREITWISCH, MATTHEW J. , 拉詹德南畢平 , RAJENDRAN, BIPIN
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C29/70 , G11C2213/79

6. 发明专利

TW201140899A 自動對準之鰭型可程式記憶胞 SELF ALIGNED FIN-TYPE PROGRAMMABLE MEMORY CELL 审中-公开
简体标题：自动对准之鳍型可进程记忆胞 SELF ALIGNED FIN-TYPE PROGRAMMABLE MEMORY CELL
公开(公告)号：TW201140899A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099127790
申请日：2010-08-19
申请人：旺宏電子股份有限公司 , 國際商業機器股份有限公司
发明人：龍翔瀾 , 林仲漢 , 布雷杜斯克馬修J
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/1666 , H01L27/2409 , H01L27/2454 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/124 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1691
摘要：本發明的特徵為一記憶胞具有一底電極與一存取裝置電性耦接、一頂電極及一L形記憶材料元件與底電極和頂電極電性耦接。一種記憶陣列包括上述之記憶胞陣列，其與存取裝置陣列電性耦接。本發明的再一目的為提供一種製造一具有記憶胞之記憶陣列的方法，包含：提供一底電極陣列於一存取裝置陣列之上且與其電性耦接，該存取裝置與字元線電性耦接；形成一介電支持層於該底電極陣列之上，該介電支持層具有一上表面；形成一空洞穿過該介電支持層，定義一具有側壁的介電支持結構且裸露鄰接該側壁的該底電極之表面；形成一記憶材料薄膜於該介電支持結構之上及該空洞中；沈積一介電間隔物層於該記憶材料薄膜之上；由該介電側壁間隔物層形成一介電側壁間隔物，且一記憶材料結構具有一通常為水平基底部分於該介電側壁間隔物之下及一通常為垂直部分於該介電側壁間隔物與該介電支持結構的側壁之間；形成一介電填充層；平坦該介電填充層以裸露該記憶材料結構之該垂直部分的上方端點；沈積一頂電極材料於該平坦化之介電填充層之上；以及由該頂電極材料形成一頂電極及由該記憶材料結構形成一記憶材料元件。
简体摘要：本发明的特征为一记忆胞具有一底电极与一存取设备电性耦接、一顶电极及一L形记忆材料组件与底电极和顶电极电性耦接。一种记忆数组包括上述之记忆胞数组，其与存取设备数组电性耦接。本发明的再一目的为提供一种制造一具有记忆胞之记忆数组的方法，包含：提供一底电极数组于一存取设备数组之上且与其电性耦接，该存取设备与字符线电性耦接；形成一介电支持层于该底电极数组之上，该介电支持层具有一上表面；形成一空洞穿过该介电支持层，定义一具有侧壁的介电支持结构且裸露邻接该侧壁的该底电极之表面；形成一记忆材料薄膜于该介电支持结构之上及该空洞中；沉积一介电间隔物层于该记忆材料薄膜之上；由该介电侧壁间隔物层形成一介电侧壁间隔物，且一记忆材料结构具有一通常为水平基底部分于该介电侧壁间隔物之下及一通常为垂直部分于该介电侧壁间隔物与该介电支持结构的侧壁之间；形成一介电填充层；平坦该介电填充层以裸露该记忆材料结构之该垂直部分的上方端点；沉积一顶电极材料于该平坦化之介电填充层之上；以及由该顶电极材料形成一顶电极及由该记忆材料结构形成一记忆材料组件。

7. 发明专利

TWI508338B 單遮罩相變記憶體製程整合有权
简体标题：单遮罩相变内存制程集成
公开(公告)号：TWI508338B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW100100966
申请日：2011-01-11
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. , 國際商業機器股份有限公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：龍翔瀾 , LUNG, HSIANG LAN , 布雷特維希馬修J , BREITWISCH, MATTHEW J. , 林仲漢 , LAM, CHUNG-H , 安德魯約瑟艾瑞克 , ANDREW JOSEPH, ERIC
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/1691

8. 发明专利

TWI404244B 帶有自對準記憶元件的多晶矽柱雙極電晶體有权
简体标题：带有自对准记忆组件的多晶硅柱双极晶体管
公开(公告)号：TWI404244B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098116160
申请日：2009-05-15
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. , 國際商業機器股份有限公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：龍翔瀾 , LUNG, HSIANG LAN , 賴二琨 , LAI, ERH KUN , 林仲漢 , LAM, CHUNG-HON , 拉詹德南畢平 , RAJENDRAN, BIPIN
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/1026 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1683

9. 发明专利

TWI400796B 具有雙重字元線和源極線之相變化記憶體及其操作方法有权
简体标题：具有双重字符线和源极线之相变化内存及其操作方法
公开(公告)号：TWI400796B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW097129364
申请日：2008-08-01
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. , 國際商業機器股份有限公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：龍翔瀾 , LUNG, HSIANG LAN , 林仲漢 , LAM, CHUNG HON
IPC分类号： H01L27/24 , H01L47/00
CPC分类号： G11C13/003 , G11C8/08 , G11C8/14 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675

10. 发明专利

TW201112400A 具有一個或多個非定值摻雜濃度分佈的相變化記憶體 PHASE CHANGE MEMORY HAVING ONE OR MORE NON-CONSTANT DOPING PROFILE 审中-公开
简体标题：具有一个或多个非定值掺杂浓度分布的相变化内存 PHASE CHANGE MEMORY HAVING ONE OR MORE NON-CONSTANT DOPING PROFILE
公开(公告)号：TW201112400A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099120696
申请日：2010-06-24
申请人：旺宏電子股份有限公司 , 國際商業機器股份有限公司
发明人：施彥豪 , 鄭懷瑜 , 陳介方 , 吳昭誼 , 李明修 , 龍翔瀾 , 布雷杜斯克馬修J , 洛克斯西蒙 , 林仲漢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/1625 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1641
摘要：本發明係揭露一種相變化記憶裝置,其包含一具有例如是硫屬化物GST之相變化材料主體及一個或多個添加物的記憶元件,其中添加物具有一沿著通過記憶元件之電極間電流路徑非定値添加濃度分佈。此處之名詞"非定値"添加物濃度分佈的使用可以根據不同的結晶性、熱性和電性以及相變化轉變等條件而在不同區域中摻雜不同的材料或濃度。
简体摘要：本发明系揭露一种相变化记忆设备,其包含一具有例如是硫属化物GST之相变化材料主体及一个或多个添加物的记忆组件,其中添加物具有一沿着通过记忆组件之电极间电流路径非定値添加浓度分布。此处之名词"非定値"添加物浓度分布的使用可以根据不同的结晶性、热性和电性以及相变化转变等条件而在不同区域中掺杂不同的材料或浓度。

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