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1. 发明专利

TW201741025A 雙金屬硫氧化物固溶體觸媒及其製造方法、二氧化碳還原方法、重金屬還原方法以及有機化合物氫化方法审中-公开
简体标题：双金属硫氧化物固溶体触媒及其制造方法、二氧化碳还原方法、重金属还原方法以及有机化合物氢化方法
公开(公告)号：TW201741025A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105120695
申请日：2016-06-30
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG-HAU , 陳孝雲 , CHEN, XIAOYUN
IPC分类号： B01J27/04 , B01J35/02 , B01J37/04 , B01J37/03 , B01J37/08 , C07C29/153 , C07C31/04 , C22B34/32 , C22C27/06
CPC分类号： B01J27/02 , B01D53/8665 , B01D53/8671 , B01D2255/104 , B01D2255/2065 , B01D2255/2073 , B01D2255/20746 , B01D2255/20753 , B01D2255/20761 , B01D2255/20769 , B01D2255/20792 , B01D2255/2094 , B01D2255/2098 , B01D2257/504 , B01J37/009 , B01J37/0236 , B01J37/031 , B01J37/04 , C07C309/46 , C07D279/20 , C07D311/82 , Y02P20/152
摘要：本發明提供一種雙金屬硫氧化物固溶體觸媒。雙金屬硫氧化物固溶體觸媒由式(1)表示： M(1)xM(2)yOzSg(1)，其中在式(1)中，M(1)包括銅（Cu），且M(2)包括一價銀（Ag）、二價鋅（Zn）、二價錳（Mn）、二價鎳（Ni）、二價鈷（Co）、二價錫（SnII）、三價銦（In）、三價鈰（Ce）、三價銻（Sb）、三價鎵（Ga）、四價錫（SnIV）或五價鉬（Mo），且0.7＜x＜1.0；0＜y＜0.3；0＜z＜0.5；0.5＜g＜1.0。此外，本發明還提供一種雙金屬硫氧化物固溶體觸媒的製造方法以及雙金屬硫氧化物固溶體觸媒的應用。
简体摘要：本发明提供一种双金属硫氧化物固溶体触媒。双金属硫氧化物固溶体触媒由式(1)表示： M(1)xM(2)yOzSg(1)，其中在式(1)中，M(1)包括铜（Cu），且M(2)包括一价银（Ag）、二价锌（Zn）、二价锰（Mn）、二价镍（Ni）、二价钴（Co）、二价锡（SnII）、三价铟（In）、三价铈（Ce）、三价锑（Sb）、三价镓（Ga）、四价锡（SnIV）或五价钼（Mo），且0.7＜x＜1.0；0＜y＜0.3；0＜z＜0.5；0.5＜g＜1.0。此外，本发明还提供一种双金属硫氧化物固溶体触媒的制造方法以及双金属硫氧化物固溶体触媒的应用。

2. 发明专利

TW201720758A 複合粉體、其混成材料以及其複合薄膜审中-公开
简体标题：复合粉体、其混成材料以及其复合薄膜
公开(公告)号：TW201720758A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW104140902
申请日：2015-12-07
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG-HAU , 游福安 , YU, FU-AN , 郭諺融 , KUO, YEN-RONG , 楊沂淵 , YANG, YI-YUAN , 李俊毅 , LEE, JIUNN-YIH , 鄭國彬 , CHENG, KUO PIN , 吳昌謀 , WU, CHANG-MOU , 馬孟緯 , MA, MENG-WEI , 莊冠霆 , CHUANG, KUAN-TING
IPC分类号： C01G9/02 , C01G5/00 , B82Y30/00 , C23C14/34 , C23C14/08 , C08L101/00 , C08K3/22 , A61L9/18 , C02F1/30
CPC分类号： A01N59/16 , A01N25/12 , B01J21/04 , B01J23/06 , B01J23/50 , B01J31/06 , B01J31/26 , B01J35/0013 , B01J35/0033 , B01J35/004 , B01J35/026 , B01J37/34 , B01J2231/005 , B01J2531/002
摘要：一種複合粉體，作為可見光催化以及抗菌之用途。複合粉體包括多數個N型半導體顆粒以及多數個P型半導體奈米顆粒。P型半導體奈米顆粒分別覆蓋在N型半導體顆粒的表面。N型半導體顆粒與P型半導體奈米顆粒的重量比為1:0.1至1:0.5。各N型半導體顆粒與所對應的P型半導體奈米顆粒之間具有PN接面。
简体摘要：一种复合粉体，作为可见光催化以及抗菌之用途。复合粉体包括多数个N型半导体颗粒以及多数个P型半导体奈米颗粒。P型半导体奈米颗粒分别覆盖在N型半导体颗粒的表面。N型半导体颗粒与P型半导体奈米颗粒的重量比为1:0.1至1:0.5。各N型半导体颗粒与所对应的P型半导体奈米颗粒之间具有pn结。

3. 发明专利

TW201718090A 一種三維量子井型奈米晶團聚的光觸媒粉體之製作與應用审中-公开
简体标题：一种三维量子井型奈米晶团聚的光触媒粉体之制作与应用
公开(公告)号：TW201718090A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104139030
申请日：2015-11-24
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 王賈荃 , ABDULLAH, HAIRUS
IPC分类号： B01J27/04 , B01J35/02 , B82Y30/00 , C01B3/04 , C02F1/30
摘要：本發明攸關一種單一相、具不同組成、具三維量子井能帶結構之奈米晶團聚粉體，可於光催化條件下，進行反應與應用，如將水分解產生氫氣。此光觸媒粉體由兩種或兩種以上的金屬氧族化合物構成，係於150℃以下低溫反應，相互固溶而形成具有不同組成的奈米晶，再經奈米晶聚集而形成三維量子井型奈米晶團聚的光觸媒粉體。此粉體利用飛利浦6瓦黑管紫外燈的弱光照下，可以將水催化分解產生氫氣，光照每瓦功率可達產氫量130μmol/g．h．watt以上，產氫量隨光照強度提高而增加，且此產氫反應為可逆式，反應室不需更換或補充反應物，可多次重複使用。
简体摘要：本发明攸关一种单一相、具不同组成、具三维量子井能带结构之奈米晶团聚粉体，可于光催化条件下，进行反应与应用，如将水分解产生氢气。此光触媒粉体由两种或两种以上的金属氧族化合物构成，系于150℃以下低温反应，相互固溶而形成具有不同组成的奈米晶，再经奈米晶聚集而形成三维量子井型奈米晶团聚的光触媒粉体。此粉体利用飞利浦6瓦黑管紫外灯的弱光照下，可以将水催化分解产生氢气，光照每瓦功率可达产氢量130μmol/g．h．watt以上，产氢量随光照强度提高而增加，且此产氢反应为可逆式，反应室不需更换或补充反应物，可多次重复使用。

4. 发明专利

TWI379455B 具梯度型連接物之固態氧化物燃料電池裝置及其製造方法 SOLID OXIDE FUEL CELL (SOFC) DEVICE HAVING GRADIENT INTERCONNECT AND FABRICATION METHOD THEREOF 失效
简体标题：具梯度型连接物之固态氧化物燃料电池设备及其制造方法 SOLID OXIDE FUEL CELL (SOFC) DEVICE HAVING GRADIENT INTERCONNECT AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI379455B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW098116134
申请日：2009-05-15
申请人：國立臺灣科技大學
发明人：郭東昊 , 薛人愷 , 許弘岦 , 魏明雄
IPC分类号： H01M
CPC分类号： H01M8/2428 , H01M4/9033 , H01M8/0208 , H01M8/0215 , H01M8/0226 , H01M8/0228 , H01M8/0247 , H01M8/0282 , H01M8/0297 , H01M8/1246 , H01M8/2425 , H01M2008/1293 , Y02E60/525 , Y02P70/56
摘要：一種具梯度型連接物之固態氧化物燃料電池裝置，包括：一第一組成濃度梯度型連接物，具有相對之一第一表面與一第二表面、設置於該第一組成濃度梯度型連接物內且為該第一表面所露出之一第一凹槽、設置於該第一組成濃度梯度型連接物內並為該第二表面所露出之一第二凹槽以及設置於該第一組成濃度梯度型連接物內以連結該第一凹槽與該第二凹槽之第一內連管路；一第一多孔導電連結錠，設置於該第一凹槽內並部分突出於該第一組成濃度梯度型連接物之該第一表面；一第一密封層，設置於該第一組成濃度梯度型連接物之該第一表面上並環繞該第一凹槽；以及一正電極-電解質-負電極膜電極組，設置於該第一組成濃度梯度型連接物之該第一表面上且接觸該第一多孔導電連結錠與該第一密封層。
简体摘要：一种具梯度型连接物之固态氧化物燃料电池设备，包括：一第一组成浓度梯度型连接物，具有相对之一第一表面与一第二表面、设置于该第一组成浓度梯度型连接物内且为该第一表面所露出之一第一凹槽、设置于该第一组成浓度梯度型连接物内并为该第二表面所露出之一第二凹槽以及设置于该第一组成浓度梯度型连接物内以链接该第一凹槽与该第二凹槽之第一内连管路；一第一多孔导电链接锭，设置于该第一凹槽内并部分突出于该第一组成浓度梯度型连接物之该第一表面；一第一密封层，设置于该第一组成浓度梯度型连接物之该第一表面上并环绕该第一凹槽；以及一正电极-电解质-负电极膜电极组，设置于该第一组成浓度梯度型连接物之该第一表面上且接触该第一多孔导电链接锭与该第一密封层。

5. 发明专利

TW201836710A 雙金屬硒硫化物觸媒及其製造方法和應用审中-公开
简体标题：双金属硒硫化物触媒及其制造方法和应用
公开(公告)号：TW201836710A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106111389
申请日：2017-04-05
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG-HAU , 陳孝雲 , CHEN, XIAOYUN , 王賈荃 , ABDULLAH, HAIRUS
IPC分类号： B01J27/04 , B01J27/057 , B01J37/03 , B01J37/04 , B01J37/08 , C02F1/32 , C02F1/72 , C01B3/40 , C22B34/32
摘要：本發明提供一種雙金屬硒硫化物觸媒及其製造方法和應用。雙金屬硒硫化物觸媒由式(1)表示： M(1)xM(2)ySeβSγ(1) 其中在式(1)中，M(1)包括銅（Cu）且M(2)包括二價、三價或四價金屬，且0.7＜x＜1.0；0＜y＜0.3；0.01＜β＜0.6；0.5＜γ＜1.0。依照本發明的雙金屬硒硫化物觸媒於室溫條件下，具有優異的有機化合物氧化、醇類氧化以及重金屬還原性能。
简体摘要：本发明提供一种双金属硒硫化物触媒及其制造方法和应用。双金属硒硫化物触媒由式(1)表示： M(1)xM(2)ySeβSγ(1) 其中在式(1)中，M(1)包括铜（Cu）且M(2)包括二价、三价或四价金属，且0.7＜x＜1.0；0＜y＜0.3；0.01＜β＜0.6；0.5＜γ＜1.0。依照本发明的双金属硒硫化物触媒于室温条件下，具有优异的有机化合物氧化、醇类氧化以及重金属还原性能。

6. 发明专利

TWI608867B 雙金屬硫氧化物固溶體觸媒及其製造方法、二氧化碳還原方法、重金屬還原方法以及有機化合物氫化方法有权
简体标题：双金属硫氧化物固溶体触媒及其制造方法、二氧化碳还原方法、重金属还原方法以及有机化合物氢化方法
公开(公告)号：TWI608867B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW105120695
申请日：2016-06-30
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG-HAU , 陳孝雲 , CHEN, XIAOYUN
IPC分类号： B01J27/04 , B01J35/02 , B01J37/04 , B01J37/03 , B01J37/08 , C07C29/153 , C07C31/04 , C22B34/32 , C22C27/06
CPC分类号： B01J27/02 , B01D53/8665 , B01D53/8671 , B01D2255/104 , B01D2255/2065 , B01D2255/2073 , B01D2255/20746 , B01D2255/20753 , B01D2255/20761 , B01D2255/20769 , B01D2255/20792 , B01D2255/2094 , B01D2255/2098 , B01D2257/504 , B01J37/009 , B01J37/0236 , B01J37/031 , B01J37/04 , C07C309/46 , C07D279/20 , C07D311/82 , Y02P20/152

7. 发明专利

TWI577560B 奈米複合薄膜及其製造方法有权
简体标题：奈米复合薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI577560B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW104103419
申请日：2015-02-02
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 徐唯庭 , HSU, WEI TING , 楊沂淵 , YANG, YI YUAN
IPC分类号： B32B5/16 , B22F3/14 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/35

8. 发明专利

TWI513507B 奈米複合粉體及其混成材料有权
简体标题：奈米复合粉体及其混成材料
公开(公告)号：TWI513507B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW103140612
申请日：2014-11-24
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 王賈荃 , ABDULLAH, HAIRUS
IPC分类号： B01J35/08 , B82Y30/00

9. 发明专利

TW201041220A 具梯度型連接物之固態氧化物燃料電池裝置及其製造方法 SOLID OXIDE FUEL CELL (SOFC) DEVICE HAVING GRADIENT INTERCONNECT AND FABRICATION METHOD THEREOF 失效
简体标题：具梯度型连接物之固态氧化物燃料电池设备及其制造方法 SOLID OXIDE FUEL CELL (SOFC) DEVICE HAVING GRADIENT INTERCONNECT AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201041220A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW098116134
申请日：2009-05-15
申请人：國立臺灣科技大學
发明人：郭東昊 , 薛人愷 , 許弘岦 , 魏明雄
IPC分类号： H01M
CPC分类号： H01M8/2428 , H01M4/9033 , H01M8/0208 , H01M8/0215 , H01M8/0226 , H01M8/0228 , H01M8/0247 , H01M8/0282 , H01M8/0297 , H01M8/1246 , H01M8/2425 , H01M2008/1293 , Y02E60/525 , Y02P70/56
摘要：一種具梯度型連接物之固態氧化物燃料電池裝置,包括:一第一梯度型連接物,具有相對之一第一表面與一第二表面、設置於該第一梯度型連接物內且為該第一表面所露出之一第一凹槽、設置於該第一梯度型連接物內並為該第二表面所露出之一第二凹槽以及設置於該第一梯度型連接物內以連結該第一凹槽與該第二凹槽之第一內連管路;一第一多孔導電連結錠,設置於該第一凹槽內並部分突出於該第一梯度型連接物之該第一表面;一第一密封層,設置於該第一梯度型連接物之該第一表面上並環繞該第一凹槽;以及一正電極-電解質-負電極膜電極組,設置於該第一梯度型連接物之該第一表面上且接觸該第一多孔導電連結錠與該第一密封層。
简体摘要：一种具梯度型连接物之固态氧化物燃料电池设备,包括:一第一梯度型连接物,具有相对之一第一表面与一第二表面、设置于该第一梯度型连接物内且为该第一表面所露出之一第一凹槽、设置于该第一梯度型连接物内并为该第二表面所露出之一第二凹槽以及设置于该第一梯度型连接物内以链接该第一凹槽与该第二凹槽之第一内连管路;一第一多孔导电链接锭,设置于该第一凹槽内并部分突出于该第一梯度型连接物之该第一表面;一第一密封层,设置于该第一梯度型连接物之该第一表面上并环绕该第一凹槽;以及一正电极-电解质-负电极膜电极组,设置于该第一梯度型连接物之该第一表面上且接触该第一多孔导电链接锭与该第一密封层。

10. 发明专利

TW201715752A 固態陶金靶濺鍍ＩＩＩ族氮化物薄膜之ｐ／ｎ功率二極體元件审中-公开
简体标题：固态陶金靶溅镀ＩＩＩ族氮化物薄膜之ｐ／ｎ功率二极管组件
公开(公告)号：TW201715752A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104134079
申请日：2015-10-16
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭東昊 , KUO, DONG HAU , 李成哲 , LI, CHENG CHE , 顏煒峻 , YAN, WEI JYUN , 李冠璋 , LI, GUAN ZHANG , 林凱帆 , LIN, KAIFAN
IPC分类号： H01L33/32 , C23C14/06 , C23C14/36
摘要：本發明係以固態陶金靶進行物理濺鍍法製作堆疊的p型與n型氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵之III族氮化物薄膜於基板上，製作出p/n半導體接面，同時以白金電極與p型半導體形成歐姆接觸，再利用鍍鋁薄膜電極於n型薄膜上形成歐姆接觸，得完成III族氮化物薄膜之p/n功率二極體元件製作；亦可以固態陶金靶濺鍍p型或n型III族氮化物薄膜，於n型或p型矽晶片基板上，製作出p/n半導體異質接面，再利用鍍鋁薄膜電極於n型薄膜與矽晶片上，白金電極於p型薄膜上，得完成III族氮化物薄膜之異質接面p/n功率二極體元件製作。 n型薄膜包括氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵，p型薄膜包括鎂或鋅摻雜之氮化鎵與氮化銦鎵，製作這些薄膜所需的陶金靶材包含20-45莫耳百分比的金屬(鎵、銦、鋁、鎂)與55-80莫耳百分比的陶瓷(氮化鎵、氮化鋅)，係由粉體混合與300-500℃熱壓後所製得。由陶金靶材濺鍍III族氮化物薄膜製作所得之p/n功率二極體元件，具有整流的功能且於150℃高溫環境仍能保有此特性，啟動電壓高於2伏特，於-1伏特下，1mm2大小的元件其漏電流於室溫下低於10-7安培，於150℃下低於10-5安培。
简体摘要：本发明系以固态陶金靶进行物理溅镀法制作堆栈的p型与n型氮化镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓之III族氮化物薄膜于基板上，制作出p/n半导体接面，同时以白金电极与p型半导体形成欧姆接触，再利用镀铝薄膜电极于n型薄膜上形成欧姆接触，得完成III族氮化物薄膜之p/n功率二极管组件制作；亦可以固态陶金靶溅镀p型或n型III族氮化物薄膜，于n型或p型硅芯片基板上，制作出p/n半导体异质接面，再利用镀铝薄膜电极于n型薄膜与硅芯片上，白金电极于p型薄膜上，得完成III族氮化物薄膜之异质接面p/n功率二极管组件制作。 n型薄膜包括氮化镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓，p型薄膜包括镁或锌掺杂之氮化镓与氮化铟镓，制作这些薄膜所需的陶金靶材包含20-45莫耳百分比的金属(镓、铟、铝、镁)与55-80莫耳百分比的陶瓷(氮化镓、氮化锌)，系由粉体混合与300-500℃热压后所制得。由陶金靶材溅镀III族氮化物薄膜制作所得之p/n功率二极管组件，具有整流的功能且于150℃高温环境仍能保有此特性，启动电压高于2伏特，于-1伏特下，1mm2大小的组件其漏电流于室温下低于10-7安培，于150℃下低于10-5安培。

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