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1. 发明专利

TWI260583B 磁光式之近場光學光儲存元件失效
简体标题：磁光式之近场光学光存储组件
公开(公告)号：TWI260583B
公开(公告)日：2006-08-21
申请号：TW093101438
申请日：2004-01-20
申请人：國立交通大學 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：徐文祥 HSU, WENSYANG , 謝漢萍 SHIEH, HAN PING , 孫翊庭 SUN, YI TING
IPC分类号： G11B
摘要：本發明係提供一種磁光式之近場光學光儲存元件，係先利用犧牲層製作空氣軸承結構；再定義一初始小孔，並以電鍍法縮小該孔至奈米等級，再以兩次之厚膜光阻層配合兩次電鍍製程，製作高深寬比之金屬線圈結構與金屬內連線；可有效利用面積與降低電阻，最後利用微影製程中對不同區域的不同曝光量控制，定義單層光阻形成具有特定尺寸且不同厚度之結構，接著配合回流(reflow)即可利用一連續製程製作出結合超半球固態浸沒式透鏡(solid immersion lens)、奈米微孔、金屬線圈、空氣軸承之磁光(MO)讀取頭，而不需精密昂貴的設備，並可批次大量生產，免去組裝的步驟，並且不用高精密度之儀器即可製作，達到高資料儲存與複寫。
简体摘要：本发明系提供一种磁光式之近场光学光存储组件，系先利用牺牲层制作空气轴承结构；再定义一初始小孔，并以电镀法缩小该孔至奈米等级，再以两次之厚膜光阻层配合两次电镀制程，制作高深宽比之金属线圈结构与金属内连接；可有效利用面积与降低电阻，最后利用微影制程中对不同区域的不同曝光量控制，定义单层光阻形成具有特定尺寸且不同厚度之结构，接着配合回流(reflow)即可利用一连续制程制作出结合超半球固态浸没式透镜(solid immersion lens)、奈米微孔、金属线圈、空气轴承之磁光(MO)读取头，而不需精密昂贵的设备，并可批次大量生产，免去组装的步骤，并且不用高精密度之仪器即可制作，达到高数据存储与复写。

2. 发明专利

TW200525502A 磁光式之近場光學光儲存元件失效
简体标题：磁光式之近场光学光存储组件
公开(公告)号：TW200525502A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093101438
申请日：2004-01-20
申请人：國立交通大學 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：徐文祥 HSU, WENSYANG , 謝漢萍 SHIEH, HAN PING , 孫翊庭 SUN, YI TING
IPC分类号： G11B
摘要：本發明係提供一種磁光式之近場光學光儲存元件，係先利用犧牲層製作空氣軸承結構；再定義一初始小孔，並以電鍍法縮小該孔至奈米等級，再以兩次之厚膜光阻層配合兩次電鍍製程，製作高深寬比之金屬線圈結構與金屬內連線；可有效利用面積與降低電阻，最後利用微影製程中對不同區域的不同曝光量控制，定義單層光阻形成具有特定尺寸且不同厚度之結構，接著配合回流(reflow)即可利用一連續製程製作出結合超半球固態浸沒式透鏡(solid immersion lens)、奈米微孔、金屬線圈、空氣軸承之磁光(MO)讀取頭，而不需精密昂貴的設備，並可批次大量生產，免去組裝的步驟，並且不用高精密度之儀器即可製作，達到高資料儲存與複寫。
简体摘要：本发明系提供一种磁光式之近场光学光存储组件，系先利用牺牲层制作空气轴承结构；再定义一初始小孔，并以电镀法缩小该孔至奈米等级，再以两次之厚膜光阻层配合两次电镀制程，制作高深宽比之金属线圈结构与金属内连接；可有效利用面积与降低电阻，最后利用微影制程中对不同区域的不同曝光量控制，定义单层光阻形成具有特定尺寸且不同厚度之结构，接着配合回流(reflow)即可利用一连续制程制作出结合超半球固态浸没式透镜(solid immersion lens)、奈米微孔、金属线圈、空气轴承之磁光(MO)读取头，而不需精密昂贵的设备，并可批次大量生产，免去组装的步骤，并且不用高精密度之仪器即可制作，达到高数据存储与复写。

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