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1. 发明专利

TWI290266B 超半球固態浸沒式透鏡之製法 PROCESS FOR FABRICATING SUPERSPHERE SOLID IMMERSION LENS 失效
简体标题：超半球固态浸没式透镜之制法 PROCESS FOR FABRICATING SUPERSPHERE SOLID IMMERSION LENS
公开(公告)号：TWI290266B
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：TW093101439
申请日：2004-01-20
申请人：國立交通大學 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：徐文祥 HSU, WENSYANG , 孫翊庭 SUN, YI TING
IPC分类号： G03F , G02B , H01L
摘要：本發明係提供一種超半球固態浸沒式透鏡之製法，係於一基材上塗佈正光阻層後，以第一、二片光罩進行第一、二次曝光，可經由第一次足量曝光在正光阻層上產生之圖案來進行對準，使得第二片光罩上之曝光圖案可經由對準轉移到正光阻層上的特定區域，接著進行回流(reflow)，即可形成超半球固態浸沒式透鏡(SSIL)；可使整個製程容易而不需昂貴或是複雜的設備即可完成，且方便利用後續的半導體製程額外製作其他光學元件；與已製作之超半球固態浸沒式透鏡(SSIL)作整合，所以不需組裝即可製作具有功能性的元件，進而達到易於製作，且應用面廣泛易與其他光學元件作整合，利於批次大量生產。
简体摘要：本发明系提供一种超半球固态浸没式透镜之制法，系于一基材上涂布正光阻层后，以第一、二片光罩进行第一、二次曝光，可经由第一次足量曝光在正光阻层上产生之图案来进行对准，使得第二片光罩上之曝光图案可经由对准转移到正光阻层上的特定区域，接着进行回流(reflow)，即可形成超半球固态浸没式透镜(SSIL)；可使整个制程容易而不需昂贵或是复杂的设备即可完成，且方便利用后续的半导体制程额外制作其他光学组件；与已制作之超半球固态浸没式透镜(SSIL)作集成，所以不需组装即可制作具有功能性的组件，进而达到易于制作，且应用面广泛易与其他光学组件作集成，利于批次大量生产。

2. 发明专利

TWI260583B 磁光式之近場光學光儲存元件失效
简体标题：磁光式之近场光学光存储组件
公开(公告)号：TWI260583B
公开(公告)日：2006-08-21
申请号：TW093101438
申请日：2004-01-20
申请人：國立交通大學 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：徐文祥 HSU, WENSYANG , 謝漢萍 SHIEH, HAN PING , 孫翊庭 SUN, YI TING
IPC分类号： G11B
摘要：本發明係提供一種磁光式之近場光學光儲存元件，係先利用犧牲層製作空氣軸承結構；再定義一初始小孔，並以電鍍法縮小該孔至奈米等級，再以兩次之厚膜光阻層配合兩次電鍍製程，製作高深寬比之金屬線圈結構與金屬內連線；可有效利用面積與降低電阻，最後利用微影製程中對不同區域的不同曝光量控制，定義單層光阻形成具有特定尺寸且不同厚度之結構，接著配合回流(reflow)即可利用一連續製程製作出結合超半球固態浸沒式透鏡(solid immersion lens)、奈米微孔、金屬線圈、空氣軸承之磁光(MO)讀取頭，而不需精密昂貴的設備，並可批次大量生產，免去組裝的步驟，並且不用高精密度之儀器即可製作，達到高資料儲存與複寫。
简体摘要：本发明系提供一种磁光式之近场光学光存储组件，系先利用牺牲层制作空气轴承结构；再定义一初始小孔，并以电镀法缩小该孔至奈米等级，再以两次之厚膜光阻层配合两次电镀制程，制作高深宽比之金属线圈结构与金属内连接；可有效利用面积与降低电阻，最后利用微影制程中对不同区域的不同曝光量控制，定义单层光阻形成具有特定尺寸且不同厚度之结构，接着配合回流(reflow)即可利用一连续制程制作出结合超半球固态浸没式透镜(solid immersion lens)、奈米微孔、金属线圈、空气轴承之磁光(MO)读取头，而不需精密昂贵的设备，并可批次大量生产，免去组装的步骤，并且不用高精密度之仪器即可制作，达到高数据存储与复写。

3. 发明专利

TW200525502A 磁光式之近場光學光儲存元件失效
简体标题：磁光式之近场光学光存储组件
公开(公告)号：TW200525502A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093101438
申请日：2004-01-20
申请人：國立交通大學 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：徐文祥 HSU, WENSYANG , 謝漢萍 SHIEH, HAN PING , 孫翊庭 SUN, YI TING
IPC分类号： G11B
摘要：本發明係提供一種磁光式之近場光學光儲存元件，係先利用犧牲層製作空氣軸承結構；再定義一初始小孔，並以電鍍法縮小該孔至奈米等級，再以兩次之厚膜光阻層配合兩次電鍍製程，製作高深寬比之金屬線圈結構與金屬內連線；可有效利用面積與降低電阻，最後利用微影製程中對不同區域的不同曝光量控制，定義單層光阻形成具有特定尺寸且不同厚度之結構，接著配合回流(reflow)即可利用一連續製程製作出結合超半球固態浸沒式透鏡(solid immersion lens)、奈米微孔、金屬線圈、空氣軸承之磁光(MO)讀取頭，而不需精密昂貴的設備，並可批次大量生產，免去組裝的步驟，並且不用高精密度之儀器即可製作，達到高資料儲存與複寫。
简体摘要：本发明系提供一种磁光式之近场光学光存储组件，系先利用牺牲层制作空气轴承结构；再定义一初始小孔，并以电镀法缩小该孔至奈米等级，再以两次之厚膜光阻层配合两次电镀制程，制作高深宽比之金属线圈结构与金属内连接；可有效利用面积与降低电阻，最后利用微影制程中对不同区域的不同曝光量控制，定义单层光阻形成具有特定尺寸且不同厚度之结构，接着配合回流(reflow)即可利用一连续制程制作出结合超半球固态浸没式透镜(solid immersion lens)、奈米微孔、金属线圈、空气轴承之磁光(MO)读取头，而不需精密昂贵的设备，并可批次大量生产，免去组装的步骤，并且不用高精密度之仪器即可制作，达到高数据存储与复写。

4. 发明专利

TW200525300A 超半球固態浸沒式透鏡之製法失效
简体标题：超半球固态浸没式透镜之制法
公开(公告)号：TW200525300A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093101439
申请日：2004-01-20
申请人：國立交通大學 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：徐文祥 HSU, WENSYANG , 孫翊庭 SUN, YI TING
IPC分类号： G03F
摘要：本發明係提供一種超半球固態浸沒式透鏡之製法，係於一基材上塗佈正光阻層後，以第一、二片光罩進行第一、二次曝光，可經由第一次足量曝光在正光阻層上產生之圖案來進行對準，使得第二片光罩上之曝光圖案可經由對準轉移到正光阻層上的特定區域，接著進行回流(reflow)，即可形成超半球固態浸沒式透鏡(SSIL)；可使整個製程容易而不需昂貴或是複雜的設備即可完成，且方便利用後續的半導體製程額外製作其他光學元件；與已製作之超半球固態浸沒式透鏡(SSIL)作整合，所以不需組裝即可製作具有功能性的元件，進而達到易於製作，且應用面廣泛易與其他光學元件作整合，利於批次大量生產。
简体摘要：本发明系提供一种超半球固态浸没式透镜之制法，系于一基材上涂布正光阻层后，以第一、二片光罩进行第一、二次曝光，可经由第一次足量曝光在正光阻层上产生之图案来进行对准，使得第二片光罩上之曝光图案可经由对准转移到正光阻层上的特定区域，接着进行回流(reflow)，即可形成超半球固态浸没式透镜(SSIL)；可使整个制程容易而不需昂贵或是复杂的设备即可完成，且方便利用后续的半导体制程额外制作其他光学组件；与已制作之超半球固态浸没式透镜(SSIL)作集成，所以不需组装即可制作具有功能性的组件，进而达到易于制作，且应用面广泛易与其他光学组件作集成，利于批次大量生产。

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