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2. 发明专利

TW201304173A 光感測元件及其製備方法审中-公开
简体标题：光传感组件及其制备方法
公开(公告)号：TW201304173A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW100124002
申请日：2011-07-07
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：陳智 , CHEN, CHIH , 劉健民 , LIU, CHIEN MIN , 曾院介 , TSENG, YUAN CHIEH
IPC分类号： H01L31/07
CPC分类号： H01L31/035227 , H01L31/108
摘要：本發明係有關於一種光感測元件及其製備方法，本發明之光感測元件具有極大蕭特基接面且其包括：一第一導電層；複數金屬奈米線，該每一金屬奈米線之一端係與該第一導電層連接，且該每一金屬奈米線之表面係覆有一半導體層，該半導體層之厚度係為1nm-20nm；以及一第二導電層，係對應該第一導電層而配置，該複數金屬奈米線係配置於該第一導電層與該第二導電層之間，且該第二導電層與該複數金屬奈米線表面之半導體層接觸；其中，該光感測元件係用於感測波長10nm-400nm之紫外光。
简体摘要：本发明系有关于一种光传感组件及其制备方法，本发明之光传感组件具有极大萧特基接面且其包括：一第一导电层；复数金属奈米线，该每一金属奈米线之一端系与该第一导电层连接，且该每一金属奈米线之表面系覆有一半导体层，该半导体层之厚度系为1nm-20nm；以及一第二导电层，系对应该第一导电层而配置，该复数金属奈米线系配置于该第一导电层与该第二导电层之间，且该第二导电层与该复数金属奈米线表面之半导体层接触；其中，该光传感组件系用于传感波长10nm-400nm之紫外光。

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