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1. 发明专利

TW201304173A 光感測元件及其製備方法审中-公开
简体标题：光传感组件及其制备方法
公开(公告)号：TW201304173A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW100124002
申请日：2011-07-07
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：陳智 , CHEN, CHIH , 劉健民 , LIU, CHIEN MIN , 曾院介 , TSENG, YUAN CHIEH
IPC分类号： H01L31/07
CPC分类号： H01L31/035227 , H01L31/108
摘要：本發明係有關於一種光感測元件及其製備方法，本發明之光感測元件具有極大蕭特基接面且其包括：一第一導電層；複數金屬奈米線，該每一金屬奈米線之一端係與該第一導電層連接，且該每一金屬奈米線之表面係覆有一半導體層，該半導體層之厚度係為1nm-20nm；以及一第二導電層，係對應該第一導電層而配置，該複數金屬奈米線係配置於該第一導電層與該第二導電層之間，且該第二導電層與該複數金屬奈米線表面之半導體層接觸；其中，該光感測元件係用於感測波長10nm-400nm之紫外光。
简体摘要：本发明系有关于一种光传感组件及其制备方法，本发明之光传感组件具有极大萧特基接面且其包括：一第一导电层；复数金属奈米线，该每一金属奈米线之一端系与该第一导电层连接，且该每一金属奈米线之表面系覆有一半导体层，该半导体层之厚度系为1nm-20nm；以及一第二导电层，系对应该第一导电层而配置，该复数金属奈米线系配置于该第一导电层与该第二导电层之间，且该第二导电层与该复数金属奈米线表面之半导体层接触；其中，该光传感组件系用于传感波长10nm-400nm之紫外光。

2. 发明专利

TW201432828A 電性連接結構及其製備方法审中-公开
简体标题：电性连接结构及其制备方法
公开(公告)号：TW201432828A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102134714
申请日：2013-09-26
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：陳智 , CHEN, CHIH , 劉道奇 , LIU, TAOCHI , 黃以撒 , HUANG, YI SA , 劉健民 , LIU, CHIEN MIN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/49866 , H01L23/53228 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/03826 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05666 , H01L2224/11462 , H01L2224/13005 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/16145 , H01L2224/27462 , H01L2224/29005 , H01L2224/29023 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/29169 , H01L2224/32145 , H01L2224/75272 , H01L2224/75704 , H01L2224/75705 , H01L2224/81011 , H01L2224/8109 , H01L2224/81097 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81208 , H01L2224/8121 , H01L2224/8183 , H01L2224/81895 , H01L2224/83011 , H01L2224/8309 , H01L2224/83097 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83208 , H01L2224/8321 , H01L2224/8383 , H01L2224/83895 , H01L2224/94 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
摘要：本發明係有關於一種用以電性連接一第一基板及一第二基板之電性連接結構及其製備方法，其中製備方法包括：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板上係設有一第一銅膜，第二基板上係設有一第一金屬膜，第一銅膜之一第一接合面係為一含(111)面之接合面，且該第一金屬膜具有一第二接合面；以及(B)將第一銅膜及第一金屬膜相互接合以形成接點，其中第一銅膜之第一接合面係與第一金屬膜之第二接合面相互對應。
简体摘要：本发明系有关于一种用以电性连接一第一基板及一第二基板之电性连接结构及其制备方法，其中制备方法包括：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板上系设有一第一铜膜，第二基板上系设有一第一金属膜，第一铜膜之一第一接合面系为一含(111)面之接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将第一铜膜及第一金属膜相互接合以形成接点，其中第一铜膜之第一接合面系与第一金属膜之第二接合面相互对应。

4. 发明专利

TWI472048B 光感測元件及其製備方法有权
简体标题：光传感组件及其制备方法
公开(公告)号：TWI472048B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW100124002
申请日：2011-07-07
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：陳智 , CHEN, CHIH , 劉健民 , LIU, CHIEN MIN , 曾院介 , TSENG, YUAN CHIEH
IPC分类号： H01L31/07
CPC分类号： H01L31/035227 , H01L31/108

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