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1. 发明专利

TW201209823A 依據資料動態供電之隨機存取記憶體 DATA-AWARE DYNAMIC SUPPLY RANDOM ACCESS MEMORY 审中-公开
简体标题：依据数据动态供电之随机存取内存 DATA-AWARE DYNAMIC SUPPLY RANDOM ACCESS MEMORY
公开(公告)号：TW201209823A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW099127792
申请日：2010-08-19
申请人：智原科技股份有限公司 , 國立交通大學
发明人：莊景德 , 楊皓義 , 林宜緯 , 黃威 , 石維強 , 陳家政
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/413 , G11C11/412
摘要：本發明提供一種隨機存取記憶體,具有複數個記憶單元。在一實施例中,排列於同一直行的記憶單元耦接同一對位元線,並對應於同一電源電路。每一記憶單元中設有兩個反相器,電源電路則設有兩電力開關。針對同一直行的各個記憶單元,兩電力開關可依據位元線的電壓,也就是寫入操作時位元線之欲寫入資料,分別為各記憶單元中兩反相器進行獨立的供電控制。
简体摘要：本发明提供一种随机存取内存,具有复数个记忆单元。在一实施例中,排列于同一直行的记忆单元耦接同一对比特线,并对应于同一电源电路。每一记忆单元中设有两个反相器,电源电路则设有两电力开关。针对同一直行的各个记忆单元,两电力开关可依据比特线的电压,也就是写入操作时比特线之欲写入数据,分别为各记忆单元中两反相器进行独立的供电控制。

2. 发明专利

TW201203278A 具有由資料控制之電源供應的靜態隨機存取記憶體 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH DATA CONTROLLED POWER SUPPLYING 审中-公开
简体标题：具有由数据控制之电源供应的静态随机存取内存 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH DATA CONTROLLED POWER SUPPLYING
公开(公告)号：TW201203278A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW099146583
申请日：2010-12-29
申请人：智原科技股份有限公司 , 國立交通大學
发明人：莊景德 , 楊皓義 , 夏茂墀 , 林勇維 , 盧建宇 , 杜明賢 , 黃威 , 周世傑 , 陳家政 , 石維強
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/419
摘要：一種具有由資料控制之電源供應的SRAM，其包含一記憶格電路以及至少一寫入輔助電路。其中寫入輔助電路用以根據欲寫入至記憶格電路的資料提供電能至記憶格電路。
简体摘要：一种具有由数据控制之电源供应的SRAM，其包含一记忆格电路以及至少一写入辅助电路。其中写入辅助电路用以根据欲写入至记忆格电路的数据提供电能至记忆格电路。

3. 发明专利

TW201207856A 具容忍變異字元線驅動抑制機制之隨機存取記憶體 VARIATION-TOLERANT WORD-LINE UNDER-DRIVE SCHEME FOR RANDOM ACCESS MEMORY 审中-公开
简体标题：具容忍变异字符线驱动抑制机制之随机存取内存 VARIATION-TOLERANT WORD-LINE UNDER-DRIVE SCHEME FOR RANDOM ACCESS MEMORY
公开(公告)号：TW201207856A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100109598
申请日：2011-03-21
申请人：國立交通大學 , 智原科技股份有限公司
发明人：莊景德 , 林宜緯 , 陳家政 , 石維強
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C8/08 , G11C11/413
摘要：本發明提供一種隨機存取記憶體,其包括複數個字元線驅動器、至少一第一追隨電晶體與第二追隨電晶體。各字元線驅動器有一輸入端以接收一解碼訊號、一電源端以接受一工作電壓、與一驅動端以驅動一字元線。一實施例中,第一追隨電晶體有兩通道端,分別耦接字元線驅動器的驅動端與第二追隨電晶體的一個通道端。其中,第一追隨電晶體的電子特性追隨字元線驅動器中驅動電晶體的電子特性,第二追隨電晶體的電子特性追隨各記憶單元中閘通電晶體的電子特性。
简体摘要：本发明提供一种随机存取内存,其包括复数个字符线驱动器、至少一第一追随晶体管与第二追随晶体管。各字符线驱动器有一输入端以接收一译码信号、一电源端以接受一工作电压、与一驱动端以驱动一字符线。一实施例中,第一追随晶体管有两信道端,分别耦接字符线驱动器的驱动端与第二追随晶体管的一个信道端。其中,第一追随晶体管的电子特性追随字符线驱动器中驱动晶体管的电子特性,第二追随晶体管的电子特性追随各记忆单元中闸通晶体管的电子特性。

4. 发明专利

TWI490867B 具容忍變異字元線驅動抑制機制之隨機存取記憶體有权
简体标题：具容忍变异字符线驱动抑制机制之随机存取内存
公开(公告)号：TWI490867B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW100109598
申请日：2011-03-21
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY , 智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：莊景德 , CHUANG, CHING TE , 林宜緯 , LIN, YI WEI , 陳家政 , CHEN, CHIA CHENG , 石維強 , SHIH, WEI CHIANG
IPC分类号： G11C16/08
CPC分类号： G11C8/08 , G11C11/413

5. 发明专利

TWI470640B 低電能靜態隨機存取記憶體有权
简体标题：低电能静态随机存取内存
公开(公告)号：TWI470640B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW100102780
申请日：2011-01-26
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP. , 國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：莊景德 , CHUANG, CHING TE , 楊皓義 , YANG, HAO I , 夏茂墀 , HSIA, MAO CHIH , 黃威 , HWANG, WEI , 陳家政 , CHEN, CHIA CHENG , 石維強 , SHIH, WEI CHIANG
IPC分类号： G11C7/10
CPC分类号： G11C11/417 , G11C11/413

6. 发明专利

TWI464745B 具有由資料控制之電源供應的靜態隨機存取記憶體有权
简体标题：具有由数据控制之电源供应的静态随机存取内存
公开(公告)号：TWI464745B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW099146583
申请日：2010-12-29
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP. , 國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：莊景德 , CHUANG, CHING TE , 楊皓義 , YANG, HAO I , 夏茂墀 , HSIA, MAO CHIH , 林勇維 , LIN, YUNG WEI , 盧建宇 , LU, CHIEN YU , 杜明賢 , TU, MING HSIEN , 黃威 , HWANG, WEI , 周世傑 , JOU, SHYH JYE , 陳家政 , CHEN, CHIA CHENG , 石維強 , SHIH, WEI CHIANG
IPC分类号： G11C7/18
CPC分类号： G11C11/419

7. 发明专利

TWI431624B 依據資料動態供電之隨機存取記憶體有权
简体标题：依据数据动态供电之随机存取内存
公开(公告)号：TWI431624B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW099127792
申请日：2010-08-19
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORPORATION , 國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：莊景德 , CHUANG, CHING TE , 楊皓義 , YANG, HAO I , 林宜緯 , LIN, YI WEI , 黃威 , HWANG, WEI , 石維強 , SHIH, WEI CHIANG , 陳家政 , CHEN, CHIA CHENG
IPC分类号： G11C11/419
CPC分类号： G11C11/413 , G11C11/412

8. 发明专利

TW201203277A 低電能靜態隨機存取記憶體 LOW POWER STATIC RANDOM ACCESS MEMORY 审中-公开
简体标题：低电能静态随机存取内存 LOW POWER STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
公开(公告)号：TW201203277A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100102780
申请日：2011-01-26
申请人：智原科技股份有限公司 , 國立交通大學
发明人：莊景德 , 楊皓義 , 夏茂墀 , 黃威 , 陳家政 , 石維強
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/417 , G11C11/413
摘要：一靜態隨機存取記憶體，包含：至少一記憶格電路，包含了具有至少二反相器的一閉鎖電路，且包含用以接收電能的兩電能接收端；以及一電能供應電路，用以提供該電能至該記憶格電路，使得當資料被寫入至該閉鎖電路時，該閉鎖電路的供應電壓低於一預定電壓。
简体摘要：一静态随机存取内存，包含：至少一记忆格电路，包含了具有至少二反相器的一闭锁电路，且包含用以接收电能的两电能接收端；以及一电能供应电路，用以提供该电能至该记忆格电路，使得当数据被写入至该闭锁电路时，该闭锁电路的供应电压低于一预定电压。

9. 发明专利

TWI434282B 記憶體電路以及控制記憶體電路的方法有权
简体标题：内存电路以及控制内存电路的方法
公开(公告)号：TWI434282B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW098146593
申请日：2009-12-31
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：李鴻瑜 , LI, HUNG YU , 王勇 , WANG, WADE , 鄭堅斌 , ZHENG, RICK , 馬亞奇 , MA, JAMES , 李坤地 , LEE, KUN TI , 陳家政 , CHEN, CHIA CHENG
IPC分类号： G11C11/419

10. 发明专利

TW201123186A 記憶體電路以及控制記憶體電路的方法 MEMORY CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY CIRCUIT 审中-公开
简体标题：内存电路以及控制内存电路的方法 MEMORY CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY CIRCUIT
公开(公告)号：TW201123186A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098146593
申请日：2009-12-31
申请人：智原科技股份有限公司
发明人：李鴻瑜 , 王勇 , 鄭堅斌 , 馬亞奇 , 李坤地 , 陳家政
IPC分类号： G11C
摘要：一種記憶體電路包含有一第一記憶體陣列、一第二記憶體陣列以及一開關模組，其中該第一記憶體陣列具有一第一端點以及一第二端點，該第二記憶體陣列具有一第三端點以及一第四端點，該第一端點耦接於一第一供應電壓，該第四端點耦接於小於該第一供應電壓之一第二供應電壓，該開關模組係耦接於該第二端點、該第三端點、該第一供應電壓以及該第二供應電壓。當該記憶體電路操作於一非運作模式時，該開關模組將該第二端點電性連接至該第三端點，且將該第二端點電性阻絕於該第二供應電壓，以及將該第三端點電性阻絕於該第一供應電壓。
简体摘要：一种内存电路包含有一第一内存数组、一第二内存数组以及一开关模块，其中该第一内存数组具有一第一端点以及一第二端点，该第二内存数组具有一第三端点以及一第四端点，该第一端点耦接于一第一供应电压，该第四端点耦接于小于该第一供应电压之一第二供应电压，该开关模块系耦接于该第二端点、该第三端点、该第一供应电压以及该第二供应电压。当该内存电路操作于一非运作模式时，该开关模块将该第二端点电性连接至该第三端点，且将该第二端点电性阻绝于该第二供应电压，以及将该第三端点电性阻绝于该第一供应电压。

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