专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201123186A 記憶體電路以及控制記憶體電路的方法 MEMORY CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY CIRCUIT 审中-公开
简体标题：内存电路以及控制内存电路的方法 MEMORY CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY CIRCUIT
公开(公告)号：TW201123186A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098146593
申请日：2009-12-31
申请人：智原科技股份有限公司
发明人：李鴻瑜 , 王勇 , 鄭堅斌 , 馬亞奇 , 李坤地 , 陳家政
IPC分类号： G11C
摘要：一種記憶體電路包含有一第一記憶體陣列、一第二記憶體陣列以及一開關模組，其中該第一記憶體陣列具有一第一端點以及一第二端點，該第二記憶體陣列具有一第三端點以及一第四端點，該第一端點耦接於一第一供應電壓，該第四端點耦接於小於該第一供應電壓之一第二供應電壓，該開關模組係耦接於該第二端點、該第三端點、該第一供應電壓以及該第二供應電壓。當該記憶體電路操作於一非運作模式時，該開關模組將該第二端點電性連接至該第三端點，且將該第二端點電性阻絕於該第二供應電壓，以及將該第三端點電性阻絕於該第一供應電壓。
简体摘要：一种内存电路包含有一第一内存数组、一第二内存数组以及一开关模块，其中该第一内存数组具有一第一端点以及一第二端点，该第二内存数组具有一第三端点以及一第四端点，该第一端点耦接于一第一供应电压，该第四端点耦接于小于该第一供应电压之一第二供应电压，该开关模块系耦接于该第二端点、该第三端点、该第一供应电压以及该第二供应电压。当该内存电路操作于一非运作模式时，该开关模块将该第二端点电性连接至该第三端点，且将该第二端点电性阻绝于该第二供应电压，以及将该第三端点电性阻绝于该第一供应电压。

2. 发明专利

TWI434282B 記憶體電路以及控制記憶體電路的方法有权
简体标题：内存电路以及控制内存电路的方法
公开(公告)号：TWI434282B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW098146593
申请日：2009-12-31
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：李鴻瑜 , LI, HUNG YU , 王勇 , WANG, WADE , 鄭堅斌 , ZHENG, RICK , 馬亞奇 , MA, JAMES , 李坤地 , LEE, KUN TI , 陳家政 , CHEN, CHIA CHENG
IPC分类号： G11C11/419

3. 发明专利

TWI462115B 記憶體裝置及其負位元線信號產生裝置有权
简体标题：内存设备及其负比特线信号产生设备
公开(公告)号：TWI462115B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW100138645
申请日：2011-10-25
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：葉有偉 , YEH, YUWEI , 王林 , WANG, LIN , 鄭堅斌 , ZHENG, JIANBIN
IPC分类号： G11C7/12 , G11C11/413

4. 发明专利

TWI456585B 記憶體裝置及其負位元線信號產生裝置有权
简体标题：内存设备及其负比特线信号产生设备
公开(公告)号：TWI456585B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW100142910
申请日：2011-11-23
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：李坤地 , LEE, KUNTI , 葉有偉 , YEH, YUWEI , 王林 , WANG, LIN , 鄭堅斌 , ZHENG, JIANBIN
IPC分类号： G11C7/12

5. 发明专利

TW201322274A 記憶體裝置及其負位元線信號產生裝置审中-公开
简体标题：内存设备及其负比特线信号产生设备
公开(公告)号：TW201322274A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100142910
申请日：2011-11-23
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：李坤地 , LEE, KUNTI , 葉有偉 , YEH, YUWEI , 王林 , WANG, LIN , 鄭堅斌 , ZHENG, JIANBIN
IPC分类号： G11C7/12
摘要：一種記憶體裝置及其負位元線信號產生裝置，其中的負位元線信號產生裝置包括電容、放電通道以及電壓產生器。電容在耦接至位元線的端點上產生負位元線信號。放電通道依據電壓推動致能信號以導通或斷開。電壓產生器依據電壓推動致能信號以決定是否提供電壓至負推動端點。其中，當電壓產生器提供電壓至負推動端點時，放電通道被斷開，電容在耦接至位元線的端點上對應產生負位元線信號。
简体摘要：一种内存设备及其负比特线信号产生设备，其中的负比特线信号产生设备包括电容、放电信道以及电压产生器。电容在耦接至比特线的端点上产生负比特线信号。放电信道依据电压推动致能信号以导通或断开。电压产生器依据电压推动致能信号以决定是否提供电压至负推动端点。其中，当电压产生器提供电压至负推动端点时，放电信道被断开，电容在耦接至比特线的端点上对应产生负比特线信号。

6. 发明专利

TW201317999A 記憶體裝置及其負位元線信號產生裝置审中-公开
简体标题：内存设备及其负比特线信号产生设备
公开(公告)号：TW201317999A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW100138645
申请日：2011-10-25
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：葉有偉 , YEH, YUWEI , 王林 , WANG, LIN , 鄭堅斌 , ZHENG, JIANBIN
IPC分类号： G11C7/12 , G11C11/413
摘要：一種記憶體裝置及其負位元線信號產生裝置。負位元線信號產生裝置包括預充電通道、放電通道以及電容。預充電通道受控於電壓推動致能信號以在第一時間區間對負推動端點進行充電。放電通道依據電壓推動致能信號以及電壓推動終止信號以在第二時間區間提供負推動端點放電路徑。其中，第一時間區間與第二時間區間不相重疊，操作電壓大於參考電壓，且第二時間區間的時間長短與操作電壓的大小相反。
简体摘要：一种内存设备及其负比特线信号产生设备。负比特线信号产生设备包括预充电信道、放电信道以及电容。预充电信道受控于电压推动致能信号以在第一时间区间对负推动端点进行充电。放电信道依据电压推动致能信号以及电压推动终止信号以在第二时间区间提供负推动端点放电路径。其中，第一时间区间与第二时间区间不相重叠，操作电压大于参考电压，且第二时间区间的时间长短与操作电压的大小相反。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式