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    • 1. 发明专利
    • 記憶體電路以及控制記憶體電路的方法 MEMORY CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY CIRCUIT
    • 内存电路以及控制内存电路的方法 MEMORY CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING MEMORY CIRCUIT
    • TW201123186A
    • 2011-07-01
    • TW098146593
    • 2009-12-31
    • 智原科技股份有限公司
    • 李鴻瑜王勇鄭堅斌馬亞奇李坤地陳家政
    • G11C
    • 一種記憶體電路包含有一第一記憶體陣列、一第二記憶體陣列以及一開關模組,其中該第一記憶體陣列具有一第一端點以及一第二端點,該第二記憶體陣列具有一第三端點以及一第四端點,該第一端點耦接於一第一供應電壓,該第四端點耦接於小於該第一供應電壓之一第二供應電壓,該開關模組係耦接於該第二端點、該第三端點、該第一供應電壓以及該第二供應電壓。當該記憶體電路操作於一非運作模式時,該開關模組將該第二端點電性連接至該第三端點,且將該第二端點電性阻絕於該第二供應電壓,以及將該第三端點電性阻絕於該第一供應電壓。
    • 一种内存电路包含有一第一内存数组、一第二内存数组以及一开关模块,其中该第一内存数组具有一第一端点以及一第二端点,该第二内存数组具有一第三端点以及一第四端点,该第一端点耦接于一第一供应电压,该第四端点耦接于小于该第一供应电压之一第二供应电压,该开关模块系耦接于该第二端点、该第三端点、该第一供应电压以及该第二供应电压。当该内存电路操作于一非运作模式时,该开关模块将该第二端点电性连接至该第三端点,且将该第二端点电性阻绝于该第二供应电压,以及将该第三端点电性阻绝于该第一供应电压。