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1. 发明专利

TWI546977B 傾斜式追日裝置有权
简体标题：倾斜式追日设备
公开(公告)号：TWI546977B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW103104692
申请日：2014-02-13
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：張翼 , CHANG, EDWARD YI , 成維華 , CHIENG, WEI HUA , 鄭時龍 , JENG, SHYR LONG , 呂秉翰 , LUE, BINHAN , 許元銘 , HSU, YUANG MING
IPC分类号： H01L31/052 , F24J2/38
CPC分类号： Y02E10/50

2. 发明专利

TWI505468B 閘極堆疊結構及包含其之金屬氧化物半導體元件及閘極堆疊結構之製造方法有权
简体标题：闸极堆栈结构及包含其之金属氧化物半导体组件及闸极堆栈结构之制造方法
公开(公告)号：TWI505468B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW101145311
申请日：2012-12-03
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：林岳欽 , LIN, YUEHCHIN , 張翼 , CHANG, EDWARD YI , 莊庭維 , CHUANG, TINGWEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L29/513 , H01L29/517

3. 发明专利

TW201515915A 電動車輛間的通訊系統及其通訊方法审中-公开
简体标题：电动车辆间的通信系统及其通信方法
公开(公告)号：TW201515915A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102139574
申请日：2013-10-31
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：張翼 , CHANG, EDWARD YI , 成維華 , CHIENG, WEI HUA , 鄭時龍 , JENG, SHYR LONG , 鄭泗東 , CHENG, STONE , 許甫任 , HSU, FU JEN , 呂秉翰 , LUE, BIN HAN , 吳至強 , WU, CHIH CHIANG , 施境瑋 , SHIH, CHING WEI
IPC分类号： B62J99/00 , H04W4/04 , H04L29/02
CPC分类号： H04W84/12 , B60L2200/12 , G07C5/0825 , H04W76/00 , H04W84/005
摘要：一種電動車輛間的通訊系統及其通訊方法。通訊系統包括多台電動車輛，每一台電動車輛更包括監控模組與可攜式電子裝置，其中可攜式電子裝置還包括儲存單元與WiFi模組。監控模組用以監控電動車輛，以產生多個監控資訊。當可攜式電子裝置放置於電動車輛時，儲存單元儲存該些監控資訊。該些電動車輛的WiFi模組形成一臨時網路時，使得該些電動車輛透過臨時網路彼此傳輸該些監控資訊並儲存之。
简体摘要：一种电动车辆间的通信系统及其通信方法。通信系统包括多台电动车辆，每一台电动车辆更包括监控模块与可携式电子设备，其中可携式电子设备还包括存储单元与WiFi模块。监控模块用以监控电动车辆，以产生多个监控信息。当可携式电子设备放置于电动车辆时，存储单元存储该些监控信息。该些电动车辆的WiFi模块形成一临时网络时，使得该些电动车辆透过临时网络彼此传输该些监控信息并存储之。

4. 发明专利

TWI419326B 一種在矽晶片上成長之高載子遷移率電晶體結構及其方法有权
简体标题：一种在硅芯片上成长之高载子迁移率晶体管结构及其方法
公开(公告)号：TWI419326B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW100130732
申请日：2011-08-26
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：張翼 , CHANG, EDWARD YI , 唐士軒 , TANG, SHIH HSUAN , 林岳欽 , LIN, YUEH CHIN
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7784 , H01L29/267

5. 发明专利

TW201337500A 電流限制電路裝置审中-公开
简体标题：电流限制电路设备
公开(公告)号：TW201337500A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101108776
申请日：2012-03-15
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：陳宗麟 , CHEN, TSUNG LIN , 張翼 , CHANG, EDWARD YI , 成維華 , CHIENG, W. H. , 鄭泗東 , CHENG, STONE , 鄭時龍 , JENG, S. L. , 黃士維 , HUANG, SHIN WEI
IPC分类号： G05F3/02
CPC分类号： H03K17/163
摘要：本發明係提供一種電流限制電路裝置，係連接一氮化鎵電晶體之一閘極，該電流限制電路包含：二極體、第一電晶體、第二電晶體、第一電阻、第二電阻、第三電阻，第一電晶體之源極與汲極係耦接於二極體，第二電晶體之汲極係耦接第一電晶體之閘極，第一電阻耦接二極體以及第一電晶體之源極，第二電阻一端耦接第二電晶體之源極，第三電阻一端耦接於第四電阻以及第一電晶體之閘極，另一端係耦接第二電晶體閘極，第一電晶體之汲極耦接於氮化鎵電晶體之閘極，當氮化鎵電晶體之閘極所流出之電流高於預定值時，第一電晶體係關閉，藉由限制該氮化鎵電晶體之閘極所流出之該電流，以提高該氮化鎵電晶體之崩潰電壓。
简体摘要：本发明系提供一种电流限制电路设备，系连接一氮化镓晶体管之一闸极，该电流限制电路包含：二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻，第一晶体管之源极与汲极系耦接于二极管，第二晶体管之汲极系耦接第一晶体管之闸极，第一电阻耦接二极管以及第一晶体管之源极，第二电阻一端耦接第二晶体管之源极，第三电阻一端耦接于第四电阻以及第一晶体管之闸极，另一端系耦接第二晶体管闸极，第一晶体管之汲极耦接于氮化镓晶体管之闸极，当氮化镓晶体管之闸极所流出之电流高于预定值时，第一晶体管系关闭，借由限制该氮化镓晶体管之闸极所流出之该电流，以提高该氮化镓晶体管之崩溃电压。

6. 发明专利

TWI404209B 高電子遷移率電晶體及其製作方法有权
简体标题：高电子迁移率晶体管及其制作方法
公开(公告)号：TWI404209B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098146534
申请日：2009-12-31
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：張翼 , CHANG, EDWARD YI , 郭建億 , KUO, CHIENI , 許恆通 , HSU, HENGTUNG
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , B82Y10/00 , H01L29/1029 , H01L29/15 , H01L29/66462 , H01L29/7783

7. 发明专利

TW201330111A 形成一Ｔ型閘極結構的方法审中-公开
简体标题：形成一Ｔ型闸极结构的方法
公开(公告)号：TW201330111A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101101109
申请日：2012-01-11
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：張翼 , CHANG, EDWARD YI , 黃祿哲 , HUANG, LUCHE , 張嘉華 , CHANG, CHIAHUA , 林岳欽 , LIN, YUEHCHIN , 成維華 , CHIENG, WEIHUA , 劉世謙 , LIU, SHIHCHIEN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4232 , H01L21/0272 , H01L21/28587 , H01L21/28593
摘要：形成T型閘極結構的方法。首先，提供一半導體基材，並於半導體基材上形成一具有至少兩種顯影速率之光阻體結構。接著，根據一遮罩，圖案化光阻體結構，其中係對該光阻體結構進行斜向曝光，並根據該至少兩種顯影速率顯影曝光後之光阻體結構，來形成一光阻槽道並暴露出部分半導體基材，其中所形成之光阻槽道具有一相較於底部還要寬的上方部分。接著，將閘極材質回填於光阻槽道，並移除圖案化光阻體結構，形成該T型閘極結構。
简体摘要：形成T型闸极结构的方法。首先，提供一半导体基材，并于半导体基材上形成一具有至少两种显影速率之光阻体结构。接着，根据一遮罩，图案化光阻体结构，其中系对该光阻体结构进行斜向曝光，并根据该至少两种显影速率显影曝光后之光阻体结构，来形成一光阻槽道并暴露出部分半导体基材，其中所形成之光阻槽道具有一相较于底部还要宽的上方部分。接着，将闸极材质回填于光阻槽道，并移除图案化光阻体结构，形成该T型闸极结构。

8. 发明专利

TW201324587A 半導體元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201324587A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW100146641
申请日：2011-12-15
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：張翼 , CHANG, EDWARD YI , 林岳欽 , LIN, YUEH CHIN , 張嘉華 , CHANG, CHIA HUA , 金海光 , TRINH, HAI-DANG
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/316 , H01L29/94
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/02178 , H01L21/02192 , H01L21/022 , H01L21/02266 , H01L21/28264 , H01L29/78 , H01L29/94
摘要：本發明提出一種半導體元件及其製作方法。該半導體元件包含：三五族半導體層；一氧化鋁層，形成於該三五族半導體層上；以及一鑭系氧化物層，形成於該氧化鋁層上。該製造半導體元件的方法包含：形成一氧化鋁層於三五族半導體層與一鑭系氧化物層之間，以防止該三五族半導體層與該鑭系氧化物層之間的原子擴散作用。
简体摘要：本发明提出一种半导体组件及其制作方法。该半导体组件包含：三五族半导体层；一氧化铝层，形成于该三五族半导体层上；以及一镧系氧化物层，形成于该氧化铝层上。该制造半导体组件的方法包含：形成一氧化铝层于三五族半导体层与一镧系氧化物层之间，以防止该三五族半导体层与该镧系氧化物层之间的原子扩散作用。

9. 发明专利

TW201310636A 一種在矽晶片上成長之高載子遷移率電晶體結構及其方法审中-公开
简体标题：一种在硅芯片上成长之高载子迁移率晶体管结构及其方法
公开(公告)号：TW201310636A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW100130732
申请日：2011-08-26
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：張翼 , CHANG, EDWARD YI , 唐士軒 , TANG, SHIH HSUAN , 林岳欽 , LIN, YUEH CHIN
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7784 , H01L29/267
摘要：一種在矽晶片上成長之高載子遷移率電晶體結構及其方法，特別用於半導體產業之半導體元件製程，其係利用超真空化學氣相沉積在矽基板上成長一層鍺磊晶層，在於其上成長變形電子遷移率電晶體結構，在此結構中，鍺磊晶層之功用為防止矽晶片在使用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)成長變形電子遷移率電晶體結構(MHEMT)時產生氧化物而影響電晶體元件結構的特性，其後藉由變形的結構以阻擋成長鍺磊晶層於矽晶片上時所產生的差排及缺陷，以達到降低元件厚度及減少製作成本之功效。
简体摘要：一种在硅芯片上成长之高载子迁移率晶体管结构及其方法，特别用于半导体产业之半导体组件制程，其系利用超真空化学气相沉积在硅基板上成长一层锗磊晶层，在于其上成长变形电子迁移率晶体管结构，在此结构中，锗磊晶层之功用为防止硅芯片在使用有机金属化学气相沉积(MOCVD)成长变形电子迁移率晶体管结构(MHEMT)时产生氧化物而影响晶体管组件结构的特性，其后借由变形的结构以阻挡成长锗磊晶层于硅芯片上时所产生的差排及缺陷，以达到降低组件厚度及减少制作成本之功效。

10. 发明专利

TW201218319A 串接式之高電子遷移率電晶體元件及其製造方法 SERIES-CONNECTED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：串接式之高电子迁移率晶体管组件及其制造方法 SERIES-CONNECTED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201218319A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW099136116
申请日：2010-10-22
申请人：國立交通大學
发明人：張翼 , 許恒通
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L27/085 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/66462
摘要：一種串接式之高電子遷移率電晶體元件的製造方法,該方法係利用製程中定義出多個高電子遷移率電晶體,並以內連接的方式將所述高電子遷移率電晶體進行串接。因此,在等效電路上可達到累加電壓的效果,故可形成具有高崩潰電壓特性的元件。
简体摘要：一种串接式之高电子迁移率晶体管组件的制造方法,该方法系利用制程中定义出多个高电子迁移率晶体管,并以内连接的方式将所述高电子迁移率晶体管进行串接。因此,在等效电路上可达到累加电压的效果,故可形成具有高崩溃电压特性的组件。

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