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1. 发明专利

TW201836209A 波導構造的製作方法审中-公开
简体标题：波导构造的制作方法
公开(公告)号：TW201836209A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106109813
申请日：2017-03-23
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 王伯云 , WANG, PO YUN , 林蔚 , LIN, WEI , 陳揚臻 , CHEN, YANG JENG
IPC分类号： H01P11/00
摘要：一種波導構造的製作方法，其包含步驟：提供一層狀結構，包含：形成一第一型InGaAsP層於一基板上；形成一第一型InP層於該第一型InGaAsP層上；形成一主動層於該第一型InP層上，其中該主動層的材質包含鎵；形成一第二型InP層於該主動層上；以及形成一第二型InGaAsP層於該第二型InP層上；形成一SiO2圖案層於該第二型InGaAsP層上，其中該SiO2圖案層包含多個SiO2區域，且該些SiO2區域之間形成朝向一方向的至少一通道；以及對具有該SiO2圖案層的該層狀結構進行一快速熱退火處理，其中該快速熱退火處理的一處理溫度係介於720至760℃之間，一處理時間係介於60至240秒之間。
简体摘要：一种波导构造的制作方法，其包含步骤：提供一层状结构，包含：形成一第一型InGaAsP层于一基板上；形成一第一型InP层于该第一型InGaAsP层上；形成一主动层于该第一型InP层上，其中该主动层的材质包含镓；形成一第二型InP层于该主动层上；以及形成一第二型InGaAsP层于该第二型InP层上；形成一SiO2图案层于该第二型InGaAsP层上，其中该SiO2图案层包含多个SiO2区域，且该些SiO2区域之间形成朝向一方向的至少一信道；以及对具有该SiO2图案层的该层状结构进行一快速热退火处理，其中该快速热退火处理的一处理温度系介于720至760℃之间，一处理时间系介于60至240秒之间。

2. 发明专利

TWI488294B 場控型全光波長轉換器有权
简体标题：场控型全光波长转换器
公开(公告)号：TWI488294B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW101109681
申请日：2012-03-21
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：吳祖修 , WU, TSU HSIU , 邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 吳瑞彬 , WU, JUI PIN
IPC分类号： H01L27/15

3. 发明专利

TWI420849B 多模多工器及光纖傳輸系統之傳送端失效
简体标题：多模多任务器及光纤传输系统之发送端
公开(公告)号：TWI420849B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW100100829
申请日：2011-01-10
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：于欽平 , YU, CHIN PING , 邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 多賀秀德 , TAGA, HIDENORI
IPC分类号： H04J14/04

4. 发明专利

TWI617081B 波導構造的製作方法有权
简体标题：波导构造的制作方法
公开(公告)号：TWI617081B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106109813
申请日：2017-03-23
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 王伯云 , WANG, PO YUN , 林蔚 , LIN, WEI , 陳揚臻 , CHEN, YANG JENG
IPC分类号： H01P11/00
CPC分类号： G02B6/13 , G02B6/122 , G02B2006/12038 , G02B2006/12078 , G02B2006/12169 , H01S5/00

5. 发明专利

TWI584008B 光波導結構及其製造方法有权
简体标题：光波导结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI584008B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104123936
申请日：2015-07-23
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 陳逸哲 , CHEN, YI JHE , 林宗毅 , LIN, CHUNG YI , 林蔚 , LIN, WEI
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/13
CPC分类号： G02B6/1228 , G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B2006/12061 , G02B2006/12078 , G02B2006/12147 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178

6. 发明专利

TWI452365B 底切蝕刻矽波導結構及其製造方法有权
简体标题：底切蚀刻硅波导结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI452365B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW099107021
申请日：2010-03-11
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 吳祖修 , WU, TSU HSIU , 顏宏戎 , YAN, HUNG JUNG
IPC分类号： G02B6/136 , G02B6/12

7. 发明专利

TWI667503B 光波導結構及其製作方法有权
简体标题：光波导结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI667503B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW108107503
申请日：2019-03-06
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：鄒家仁 , ZOU, JIA REN , 邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 陳日友 , CHEN, RIH YOU , 陳琮隆 , CHEN, CONG LONG
IPC分类号： G02B6/10

8. 发明专利

TW201704791A 光波導結構及其製造方法审中-公开
简体标题：光波导结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201704791A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104123936
申请日：2015-07-23
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 陳逸哲 , CHEN, YI JHE , 林宗毅 , LIN, CHUNG YI , 林蔚 , LIN, WEI
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/13
CPC分类号： G02B6/1228 , G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B2006/12061 , G02B2006/12078 , G02B2006/12147 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178
摘要：本發明提供一種光波導結構及其製造方法。該光波導結構包含一第一波導層、一結合層以及一第二波導層。該第一波導層具有一錐形端部、一連接部以及一長形端部。該光波導結構的製造方法係先蝕刻出該第一波導層，然後在該第一波導層下方蝕刻出該第二波導層的形狀。
简体摘要：本发明提供一种光波导结构及其制造方法。该光波导结构包含一第一波导层、一结合层以及一第二波导层。该第一波导层具有一锥形端部、一连接部以及一长形端部。该光波导结构的制造方法系先蚀刻出该第一波导层，然后在该第一波导层下方蚀刻出该第二波导层的形状。

9. 发明专利

TWI416183B 晶體光纖熔接方法失效
简体标题：晶体光纤熔接方法
公开(公告)号：TWI416183B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099107022
申请日：2010-03-11
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 吳祖修 , WU, TSU HSIU , 吳瑞彬 , WU, JUI PIN
IPC分类号： G02B6/255

10. 发明专利

TW201340305A 場控型全光波長轉換器审中-公开
简体标题：场控型全光波长转换器
公开(公告)号：TW201340305A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101109681
申请日：2012-03-21
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：吳祖修 , WU, TSU HSIU , 邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 吳瑞彬 , WU, JUI PIN
IPC分类号： H01L27/15
摘要：本發明係一種場控型全光波長轉換器，其包含：一光波導，該光波導的量子井結構之導電帶井深對價電帶井深的比值大於或等於1.5；以及一光模態轉換元件，係整合前述光波導；該光模態轉換元件係接收光訊號，將光訊號的大光模態轉換成較小光模態，進而提升該光波導的光場強度。
简体摘要：本发明系一种场控型全光波长转换器，其包含：一光波导，该光波导的量子井结构之导电带井深对价电带井深的比值大于或等于1.5；以及一光模态转换组件，系集成前述光波导；该光模态转换组件系接收光信号，将光信号的大光模态转换成较小光模态，进而提升该光波导的光场强度。

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