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1. 发明专利

TW201716875A 干涉微影裝置审中-公开
简体标题：干涉微影设备
公开(公告)号：TW201716875A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104136195
申请日：2015-11-03
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY , 聯亞光電工業股份有限公司 , LAND MARK OPTOELECTRONICS CORPORATION
发明人：洪勇智 , HUNG, YUNG JR , 林蔚 , LIN, WEI
IPC分类号： G03F7/20 , G03H1/04 , G02B7/198
CPC分类号： G03F7/70191 , G02B26/0816 , G02B27/106 , G02B27/286 , G03F7/70408
摘要：本發明提供一種干涉微影裝置，主要包含：一雷射光源，用以提供一雷射光波；一基座，其上設置有一分光元件，將該雷射光波分成一第一部份光束及一第二部份光束、一擴束元件、一第一反射鏡組、以及一第二反射鏡組；一下反射鏡組；以及一載台，用以承載一基板，其中該第一及第二部分光束分別從該第二反射鏡組反射之後入射至該下反射鏡組，接著分別被該下反射鏡組反射，隨後該第一及第二部分光束共同在該基板上形成一干涉圖案。
简体摘要：本发明提供一种干涉微影设备，主要包含：一激光光源，用以提供一激光光波；一基座，其上设置有一分光组件，将该激光光波分成一第一部份光束及一第二部份光束、一扩束组件、一第一反射镜组、以及一第二反射镜组；一下反射镜组；以及一载台，用以承载一基板，其中该第一及第二部分光束分别从该第二反射镜组反射之后入射至该下反射镜组，接着分别被该下反射镜组反射，随后该第一及第二部分光束共同在该基板上形成一干涉图案。

2. 发明专利

TW201836209A 波導構造的製作方法审中-公开
简体标题：波导构造的制作方法
公开(公告)号：TW201836209A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106109813
申请日：2017-03-23
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 王伯云 , WANG, PO YUN , 林蔚 , LIN, WEI , 陳揚臻 , CHEN, YANG JENG
IPC分类号： H01P11/00
摘要：一種波導構造的製作方法，其包含步驟：提供一層狀結構，包含：形成一第一型InGaAsP層於一基板上；形成一第一型InP層於該第一型InGaAsP層上；形成一主動層於該第一型InP層上，其中該主動層的材質包含鎵；形成一第二型InP層於該主動層上；以及形成一第二型InGaAsP層於該第二型InP層上；形成一SiO2圖案層於該第二型InGaAsP層上，其中該SiO2圖案層包含多個SiO2區域，且該些SiO2區域之間形成朝向一方向的至少一通道；以及對具有該SiO2圖案層的該層狀結構進行一快速熱退火處理，其中該快速熱退火處理的一處理溫度係介於720至760℃之間，一處理時間係介於60至240秒之間。
简体摘要：一种波导构造的制作方法，其包含步骤：提供一层状结构，包含：形成一第一型InGaAsP层于一基板上；形成一第一型InP层于该第一型InGaAsP层上；形成一主动层于该第一型InP层上，其中该主动层的材质包含镓；形成一第二型InP层于该主动层上；以及形成一第二型InGaAsP层于该第二型InP层上；形成一SiO2图案层于该第二型InGaAsP层上，其中该SiO2图案层包含多个SiO2区域，且该些SiO2区域之间形成朝向一方向的至少一信道；以及对具有该SiO2图案层的该层状结构进行一快速热退火处理，其中该快速热退火处理的一处理温度系介于720至760℃之间，一处理时间系介于60至240秒之间。

3. 发明专利

TWI561939B 干涉微影裝置有权
简体标题：干涉微影设备
公开(公告)号：TWI561939B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104136195
申请日：2015-11-03
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY , 聯亞光電工業股份有限公司 , LAND MARK OPTOELECTRONICS CORPORATION
发明人：洪勇智 , HUNG, YUNG JR , 林蔚 , LIN, WEI
IPC分类号： G03F7/20 , G03H1/04 , G02B7/198
CPC分类号： G03F7/70191 , G02B26/0816 , G02B27/106 , G02B27/286 , G03F7/70408

4. 发明专利

TW201704791A 光波導結構及其製造方法审中-公开
简体标题：光波导结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201704791A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104123936
申请日：2015-07-23
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 陳逸哲 , CHEN, YI JHE , 林宗毅 , LIN, CHUNG YI , 林蔚 , LIN, WEI
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/13
CPC分类号： G02B6/1228 , G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B2006/12061 , G02B2006/12078 , G02B2006/12147 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178
摘要：本發明提供一種光波導結構及其製造方法。該光波導結構包含一第一波導層、一結合層以及一第二波導層。該第一波導層具有一錐形端部、一連接部以及一長形端部。該光波導結構的製造方法係先蝕刻出該第一波導層，然後在該第一波導層下方蝕刻出該第二波導層的形狀。
简体摘要：本发明提供一种光波导结构及其制造方法。该光波导结构包含一第一波导层、一结合层以及一第二波导层。该第一波导层具有一锥形端部、一连接部以及一长形端部。该光波导结构的制造方法系先蚀刻出该第一波导层，然后在该第一波导层下方蚀刻出该第二波导层的形状。

5. 发明专利

TWI617081B 波導構造的製作方法有权
简体标题：波导构造的制作方法
公开(公告)号：TWI617081B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106109813
申请日：2017-03-23
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 王伯云 , WANG, PO YUN , 林蔚 , LIN, WEI , 陳揚臻 , CHEN, YANG JENG
IPC分类号： H01P11/00
CPC分类号： G02B6/13 , G02B6/122 , G02B2006/12038 , G02B2006/12078 , G02B2006/12169 , H01S5/00

6. 发明专利

TWI584008B 光波導結構及其製造方法有权
简体标题：光波导结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI584008B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104123936
申请日：2015-07-23
申请人：國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
发明人：邱逸仁 , CHIU, YI JEN , 陳逸哲 , CHEN, YI JHE , 林宗毅 , LIN, CHUNG YI , 林蔚 , LIN, WEI
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/13
CPC分类号： G02B6/1228 , G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B2006/12061 , G02B2006/12078 , G02B2006/12147 , G02B2006/12176 , G02B2006/12178

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