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    • 1. 发明专利
    • 倍頻非螢光基態耗損超解析之顯微成像方法
    • 倍频非萤光基态耗损超解析之显微成像方法
    • TW201704742A
    • 2017-02-01
    • TW104123137
    • 2015-07-16
    • 國立中央大學NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
    • 陳思妤CHEN, SZU YU張瑞芬CHANG, JUI FEN戴朝義TAI, CHAO YI吳濠濠WU, HAO HAO
    • G01N23/227
    • G02B21/0072G02B21/0032G02B21/0084G02B21/16G02B21/365G02F1/353
    • 本發明為一種倍頻非螢光基態耗損超解析之顯微成像方法,其包括下列步驟:提供一有機材料單元;聚焦激發光及基態耗損光;產生倍頻訊號;進行基態耗損;以及進行顯微成像。藉由本發明之實施,以激發光照射並激發有機材料單元,使其電子受激發並跳躍至單重態能階並使其分子感應產生倍頻訊號;又以基態耗損光將有機材料單元之基態能階電子激發至單重態能階,並經由系間轉換至三重態能階而導致有機材料單元產生基態耗損,降低非線性吸收,並抑制倍頻訊號的強度,進而調制(調變)非螢光倍頻訊號在空間上的分布。如此,可以將STED超解析顯微成像技術應用到非螢光訊號的調變與顯微成像,並提高顯微成像之影像解析度。
    • 本发明为一种倍频非萤光基态耗损超解析之显微成像方法,其包括下列步骤:提供一有机材料单元;聚焦激发光及基态耗损光;产生倍频信号;进行基态耗损;以及进行显微成像。借由本发明之实施,以激发光照射并激发有机材料单元,使其电子受激发并跳跃至单重态能阶并使其分子感应产生倍频信号;又以基态耗损光将有机材料单元之基态能阶电子激发至单重态能阶,并经由系间转换至三重态能阶而导致有机材料单元产生基态耗损,降低非线性吸收,并抑制倍频信号的强度,进而调制(调制)非萤光倍频信号在空间上的分布。如此,可以将STED超解析显微成像技术应用到非萤光信号的调制与显微成像,并提高显微成像之影像分辨率。
    • 5. 发明专利
    • 光路轉折器之製作裝置與製作方法
    • 光路转折器之制作设备与制作方法
    • TW201245787A
    • 2012-11-16
    • TW100116577
    • 2011-05-11
    • 國立中央大學
    • 戴朝義
    • G02B
    • G03F7/2053
    • 本發明係有關於一種光路轉折器之製作裝置與製作方法,係包含一移動工作平台、一基板、一透鏡與一飛秒雷射產生器。基板設於該移動工作平台,且該基板塗佈一高分子光阻膜;透鏡位於該移動工作平台之一側,一飛秒雷射產生器,發出一飛秒雷射穿透該透鏡並在該透鏡之非焦距位置照射該高分子光阻膜,以產生一光路轉折器。如此藉由飛秒雷射穿透該透鏡並照射位於該透鏡之非焦距位置之高分子光阻膜,即可製作光路轉折器,以提升光路轉折器之生產效率。
    • 本发明系有关于一种光路转折器之制作设备与制作方法,系包含一移动工作平台、一基板、一透镜与一飞秒激光产生器。基板设于该移动工作平台,且该基板涂布一高分子光阻膜;透镜位于该移动工作平台之一侧,一飞秒激光产生器,发出一飞秒激光穿透该透镜并在该透镜之非焦距位置照射该高分子光阻膜,以产生一光路转折器。如此借由飞秒激光穿透该透镜并照射位于该透镜之非焦距位置之高分子光阻膜,即可制作光路转折器,以提升光路转折器之生产效率。