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1. 发明专利

TWI504433B 改質之有機核材料-金屬殼複合微球製備方法有权
简体标题：改质之有机核材料-金属壳复合微球制备方法
公开(公告)号：TWI504433B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102137594
申请日：2013-10-18
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：尤逸玄 , YU, YI HSIUAN , 林冠儒 , LIN, KUAN JU , 巫宏懋 , WU, HONG MAO , 何潛淵 , HO, CHAN YUAN , 曾文甲 , TSENG, WENJEA J.
IPC分类号： B01J13/02 , C23C18/18 , C23C18/31

2. 发明专利

TW201816939A 一種在多晶氮化鋁基板作高深寬比圖案的方法审中-公开
简体标题：一种在多晶氮化铝基板作高深宽比图案的方法
公开(公告)号：TW201816939A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105134662
申请日：2016-10-27
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：呂忠諺 , LU, CHUNG YEN , 尤逸玄 , YU, YI HSIUAN , 林嘉鼎 , LIN, CHIA TING , 呂理煌 , LEU, LEA HWUNG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3065
摘要：一種在多晶氮化鋁基板作高深寬比圖案的方法，步驟包括：(A)提供一氮化鋁基板，於該氮化鋁基板製作一阻障層；(B)使用一能量束對該阻障層進行蝕刻，於該阻障層形成至少一凹部；(C)對該基板進行電漿蝕刻，以將該凹部深入該氮化鋁基板之中；(D)將該阻障層剝除，得到具有至少一高深寬比圖案之氮化鋁基板。藉此，使用一能量束在阻障層上直接製作圖案，再利用電漿蝕刻的方式蝕刻氮化鋁基板，可快速地、有效地製作一具有高深寬比圖案之氮化鋁基板。
简体摘要：一种在多晶氮化铝基板作高深宽比图案的方法，步骤包括：(A)提供一氮化铝基板，于该氮化铝基板制作一阻障层；(B)使用一能量束对该阻障层进行蚀刻，于该阻障层形成至少一凹部；(C)对该基板进行等离子蚀刻，以将该凹部深入该氮化铝基板之中；(D)将该阻障层剥除，得到具有至少一高深宽比图案之氮化铝基板。借此，使用一能量束在阻障层上直接制作图案，再利用等离子蚀刻的方式蚀刻氮化铝基板，可快速地、有效地制作一具有高深宽比图案之氮化铝基板。

3. 发明专利

TW201532800A 具阻燃性及緩衝溫度變化之相變化微囊材石膏板製作方法审中-公开
简体标题：具阻燃性及缓冲温度变化之相变化微囊材石膏板制作方法
公开(公告)号：TW201532800A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103105175
申请日：2014-02-18
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蔡平賜 , TSAI, PING SZU , 尤逸玄 , YU, YI HSIUAN , 謝正佩 , HSIEH, JENG PEI , 李淑華 , LEE, SHU HUA , 謝侯安 , HSIEH, HOW AN
IPC分类号： B32B13/00 , E04C2/296
摘要：本發明係涉及一種具阻燃性及緩衝溫度變化之相變化微囊材石膏板製作方法，以有機相變化微囊材均勻混合於無機石膏板之均質混合技術，該方法係以相變化微囊材加入分散劑溶液，進行攪拌分散形成第一溶液，並可加入發泡劑，另提供石膏粉及澱粉加入該第一溶液攪拌形成相變化微囊材石膏混合溶液，該相變化微囊材石膏混合溶液壓模成型製得具阻燃性及緩衝溫度變化之相變化微囊材石膏板。藉由相變化微囊材、分散劑及發泡劑之搭配可提供當相變化微囊材高溫受熱後所產生的氣體能迅速的排出石膏板，而不會破壞原石膏板的結構，達到具阻燃性及緩衝溫度變化之相變化微囊材石膏板。
简体摘要：本发明系涉及一种具阻燃性及缓冲温度变化之相变化微囊材石膏板制作方法，以有机相变化微囊材均匀混合于无机石膏板之均质混合技术，该方法系以相变化微囊材加入分散剂溶液，进行搅拌分散形成第一溶液，并可加入发泡剂，另提供石膏粉及淀粉加入该第一溶液搅拌形成相变化微囊材石膏混合溶液，该相变化微囊材石膏混合溶液压模成型制得具阻燃性及缓冲温度变化之相变化微囊材石膏板。借由相变化微囊材、分散剂及发泡剂之搭配可提供当相变化微囊材高温受热后所产生的气体能迅速的排出石膏板，而不会破坏原石膏板的结构，达到具阻燃性及缓冲温度变化之相变化微囊材石膏板。

4. 发明专利

TW201717309A 一種用於高電漿密度、高溫半導體製程的氮化鋁靜電吸盤审中-公开
简体标题：一种用于高等离子密度、高温半导体制程的氮化铝静电吸盘
公开(公告)号：TW201717309A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104136106
申请日：2015-11-03
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：郭養國 , 尤逸玄 , YU, YI HSIUAN , 阮建龍 , RUAN, JIAN LONG
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/205
摘要：本發明的靜電吸盤，其特徵主要在開發主體為新一代氮化鋁陶瓷靜電吸盤模組，針對此模組表面溝槽層設計一冷卻氣體通道以利晶圓之溫度分佈控制。應用上特別針對近年來半導體製程中電漿功率密度逐漸增加所產生之高溫度、高電壓製程環境而進行開發。本發明主體為氮化鋁陶瓷介電模組，經內埋電極後可施加正負電壓轉換進行晶圓吸放；本發明並針對此氮化鋁材質靜電吸盤之熱傳特性於其表面溝槽層進行冷卻氣體通道設計，此溝槽經氦(He)等的惰性氣體流到陶瓷介電質基板的表面與吸附對象物之基板的背面之間，可控制吸附對象物之基板的溫度，是故冷卻氣體通過之冷卻氣體通道與接觸面的比例及分佈形狀經本設計後可對吸放晶圓的溫度分佈進行控制。
简体摘要：本发明的静电吸盘，其特征主要在开发主体为新一代氮化铝陶瓷静电吸盘模块，针对此模块表面沟槽层设计一冷却气体信道以利晶圆之温度分布控制。应用上特别针对近年来半导体制程中等离子功率密度逐渐增加所产生之高温度、高电压制程环境而进行开发。本发明主体为氮化铝陶瓷介电模块，经内埋电极后可施加正负电压转换进行晶圆吸放；本发明并针对此氮化铝材质静电吸盘之热传特性于其表面沟槽层进行冷却气体信道设计，此沟槽经氦(He)等的惰性气体流到陶瓷介电质基板的表面与吸附对象物之基板的背面之间，可控制吸附对象物之基板的温度，是故冷却气体通过之冷却气体信道与接触面的比例及分布形状经本设计后可对吸放晶圆的温度分布进行控制。

5. 发明专利

TWI535486B 一種具導熱殼層相變化微膠囊的製備方法有权
简体标题：一种具导热壳层相变化微胶囊的制备方法
公开(公告)号：TWI535486B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103139686
申请日：2014-11-17
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：尤逸玄 , YU, YI HSIUAN , 石燕鳳 , SHIH, YEN FENG , 曾彥霖 , TSENG, YEN LIN , 謝侯安 , HSIEH, HOW AN
IPC分类号： B01J13/16

6. 发明专利

TWI594371B 一種在多晶氮化鋁基板作高深寬比圖案的方法有权
简体标题：一种在多晶氮化铝基板作高深宽比图案的方法
公开(公告)号：TWI594371B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134662
申请日：2016-10-27
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：呂忠諺 , LU, CHUNG YEN , 尤逸玄 , YU, YI HSIUAN , 林嘉鼎 , LIN, CHIA TING , 呂理煌 , LEU, LEA HWUNG
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3065

7. 发明专利

TWI535557B 具阻燃性及緩衝溫度變化之相變化微囊材石膏板製作方法有权
简体标题：具阻燃性及缓冲温度变化之相变化微囊材石膏板制作方法
公开(公告)号：TWI535557B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103105175
申请日：2014-02-18
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：蔡平賜 , TSAI, PING SZU , 尤逸玄 , YU, YI HSIUAN , 謝正佩 , HSIEH, JENG PEI , 李淑華 , LEE, SHU HUA , 謝侯安 , HSIEH, HOW AN
IPC分类号： B32B13/00 , E04C2/296

8. 发明专利

TWI504435B 以PMMA預聚物及無有機溶劑製程合成相變材料微膠囊之製造方法有权
简体标题：以PMMA预聚物及无有机溶剂制程合成相变材料微胶囊之制造方法
公开(公告)号：TWI504435B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW101112128
申请日：2012-04-05
申请人：國家中山科學研究院
发明人：尤逸玄 , YU, YI HSIUAN , 蔡平賜 , TSAI, PING SZU , 蔡宗憲 , TSAI, TSUNG HSIEN , 林保燕 , LIN, BAO YANN , 魏明雄 , WEI, MING HSIUNG
IPC分类号： B01J13/16 , C08L33/12

9. 发明专利

TW201515697A 改質之有機核材料－金屬殼複合微球製備方法审中-公开
简体标题：改质之有机核材料－金属壳复合微球制备方法
公开(公告)号：TW201515697A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102137594
申请日：2013-10-18
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：尤逸玄 , YU, YI HSIUAN , 林冠儒 , LIN, KUAN JU , 巫宏懋 , WU, HONG MAO , 何潛淵 , HO, CHAN YUAN , 曾文甲 , TSENG, WENJEA J.
IPC分类号： B01J13/02 , C23C18/18 , C23C18/31
摘要：本發明係提供一種有機材料，將其分散在溶液中利用其表面本質電性吸附相反電性之聚電解質，達到表面改質的功效，藉由此聚電解質層吸附後續添加之金屬離子、金屬粒子或金屬錯離子化合物，並於適當還原環境下使有機材料表面金屬化；並可於形成之有機核材料-金屬殼微球，藉由Redox-transmetalation(RTM)技術，於該微球之表面金屬殼外再次修飾，獲得第二種金屬層，且此方法可經適度調整後，獲得多層金屬層之有機/金屬複合結構。
简体摘要：本发明系提供一种有机材料，将其分散在溶液中利用其表面本质电性吸附相反电性之聚电解质，达到表面改质的功效，借由此聚电解质层吸附后续添加之金属离子、金属粒子或金属错离子化合物，并于适当还原环境下使有机材料表面金属化；并可于形成之有机核材料-金属壳微球，借由Redox-transmetalation(RTM)技术，于该微球之表面金属壳外再次修饰，获得第二种金属层，且此方法可经适度调整后，获得多层金属层之有机/金属复合结构。

10. 发明专利

TWI475104B 一維奈米銀線之熱界面材料之組成物有权
简体标题：一维奈米银线之热界面材料之组成物
公开(公告)号：TWI475104B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW100122992
申请日：2011-06-30
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：馬振基 , MA, CHEN CHI , 魏明雄 , WEI, MING HSIUNG , 尤逸玄 , YU, YI HSIUAN , 鄧至均 , TENG, CHIH CHUN
IPC分类号： C09K5/14 , B82B3/00 , B22F9/24 , B22F1/00 , H01L23/373 , H01L33/64 , H01B1/22

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