专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200733134A 非揮發性儲存裝置之控制方法 CONTROL METHOD OF NONVOLATILE STORAGE DEVICE 审中-公开
简体标题：非挥发性存储设备之控制方法 CONTROL METHOD OF NONVOLATILE STORAGE DEVICE
公开(公告)号：TW200733134A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095145293
申请日：2006-12-06
申请人：史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人：矢野勝 YANO, MASARU , 荒川秀貴 ARAKAWA, HIDEKI , 下基匡 SAKASHITA, MOTOTADA , 小川曉 OGAWA, AKIRA , 新村義明 SHINMURA, YOSHIAKI , 青木一 AOKI, HAJIME
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/0475
摘要：本發明揭示了一種用於非揮發性儲存裝置之控制方法,該非揮發性儲存裝置具有根據第一困限區中電荷的存在或缺乏而將1位元的資料儲存在設有困限介電層的記憶單元(memory cell)中之儲存模式。在動態參考記憶單元初始化作業中,對第一及第二動態參考記憶單元的第二困限區執行電荷積聚作業,作為該初始化作業中之預先設定(preset)作業,以便對該記憶單元的第二困限區執行電荷積聚作業。此外,於資料覆寫(rewrite)時,對第一困限區執行預先程式化驗證及預先程式化。此能縮短初始化及資料覆寫所耗用之時間。
简体摘要：本发明揭示了一种用于非挥发性存储设备之控制方法,该非挥发性存储设备具有根据第一困限区中电荷的存在或缺乏而将1比特的数据存储在设有困限介电层的记忆单元(memory cell)中之存储模式。在动态参考记忆单元初始化作业中,对第一及第二动态参考记忆单元的第二困限区运行电荷积聚作业,作为该初始化作业中之预先设置(preset)作业,以便对该记忆单元的第二困限区运行电荷积聚作业。此外,于数据覆写(rewrite)时,对第一困限区运行预先进程化验证及预先进程化。此能缩短初始化及数据覆写所耗用之时间。

2. 发明专利

TW200731284A 半導體裝置以及該半導體裝置之控制方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND CONTROL METHOD THEREFOR 审中-公开
简体标题：半导体设备以及该半导体设备之控制方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND CONTROL METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TW200731284A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095145291
申请日：2006-12-06
申请人：史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人： 下基匡 SAKASHITA, MOTOTADA , 矢野勝 YANO, MASARU , 小川曉 OGAWA, AKIRA , 中井努 NAKAI, TSUTOMU
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/10 , G11C2207/2263
摘要：本發明提供一種半導體裝置以及用於控制具有記憶體單元陣列之半導體裝置之方法,該記憶體單元陣列具有複數個非揮發性記憶體單元,該方法包括:偵測將被寫入作為分割資料的位元數目,該分割資料係從將被程式化至該記憶體單元陣列中之資料所分割出(S10,S20);比較該位元數目與預定的位元數目(S12,S22);根據比較該位元數目與預定之位元數目的結果來反相(inverting)(S14,S24)或不反相(S15,S25)該分割資料以產生反相資料;以及將該反相資料程式化至該記憶體單元陣列中(S18)。偵測將被寫入作為下一個分割資料的位元數目(S20)並比較該下一個分割資料的位元數目與該預定的位元數目(S22),而同時地將該反相資料程式化至該記憶體單元陣列中(S18)。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备以及用于控制具有内存单元数组之半导体设备之方法,该内存单元数组具有复数个非挥发性内存单元,该方法包括:侦测将被写入作为分割数据的比特数目,该分割数据系从将被进程化至该内存单元数组中之数据所分割出(S10,S20);比较该比特数目与预定的比特数目(S12,S22);根据比较该比特数目与预定之比特数目的结果来反相(inverting)(S14,S24)或不反相(S15,S25)该分割数据以产生反相数据;以及将该反相数据进程化至该内存单元数组中(S18)。侦测将被写入作为下一个分割数据的比特数目(S20)并比较该下一个分割数据的比特数目与该预定的比特数目(S22),而同时地将该反相数据进程化至该内存单元数组中(S18)。

3. 发明专利

TW200636974A 半導體裝置及控制其操作之方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING OPERATION THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体设备及控制其操作之方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING OPERATION THEREOF
公开(公告)号：TW200636974A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW094146638
申请日：2005-12-27
申请人：史班遜股份有限公司 SPANSION LLC
发明人：矢野勝 YANO, MASARU , 荒川秀貴 ARAKAWA, HIDEKI , 白岩英彥 SHIRAIWA, HIDEHIKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11568 , G11C16/0491 , H01L27/115 , H01L29/792
摘要：一種半導體裝置係包括半導體基板、字元線、全域位元線及反向閘(inversion gate)，該反向閘在半導體基板中形成作為區域位元線之反轉層(inversion layers)。該反轉層電性連接至全域位元線以及記憶體單元使用該反轉層作為源極與汲極。
简体摘要：一种半导体设备系包括半导体基板、字符线、全域比特线及反向闸(inversion gate)，该反向闸在半导体基板中形成作为区域比特线之反转层(inversion layers)。该反转层电性连接至全域比特线以及内存单元使用该反转层作为源极与汲极。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式