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1. 发明专利

TWI621265B 半導體裝置及其製作方法有权
简体标题：半导体设备及其制作方法
公开(公告)号：TWI621265B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW105114668
申请日：2016-05-12
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC. , 國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：楊竣傑 , YANG, CHUN-CHIEH , 綦振瀛 , CHYI, JEN-INN , 李庚諺 , LEE, GENG-YEN
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L29/778 , H01L21/334
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/432 , H01L29/66462

2. 发明专利

TW201709513A 半導體裝置及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制作方法
公开(公告)号：TW201709513A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105114668
申请日：2016-05-12
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC. , 國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：楊竣傑 , YANG, CHUN-CHIEH , 綦振瀛 , CHYI, JEN-INN , 李庚諺 , LEE, GENG-YEN
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L29/778 , H01L21/334
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/432 , H01L29/66462
摘要：本揭露之一態樣係提供一種半導體裝置。該半導體裝置，包含：一通道層、一Alx In1-x N層在該通道層之上且有一厚度t1、一反極化層在該Alx In1-x N層之上且有一厚度t2。該厚度需介於0.5×t1≦t2≦3×t1。本揭露之另一態樣係提供一種製造半導體裝置之方法。該方法包括形成一通道層於一基板之上；形成一Alx In1-x N層在該通道層之上且有一厚度t1；形成一反極化層在該Alx In1-x N層之上且有一厚度t2。該厚度需介於0.5×t1≦t2≦3×t1。
简体摘要：本揭露之一态样系提供一种半导体设备。该半导体设备，包含：一信道层、一Alx In1-x N层在该信道层之上且有一厚度t1、一反极化层在该Alx In1-x N层之上且有一厚度t2。该厚度需介于0.5×t1≦t2≦3×t1。本揭露之另一态样系提供一种制造半导体设备之方法。该方法包括形成一信道层于一基板之上；形成一Alx In1-x N层在该信道层之上且有一厚度t1；形成一反极化层在该Alx In1-x N层之上且有一厚度t2。该厚度需介于0.5×t1≦t2≦3×t1。

3. 发明专利

TWI584467B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI584467B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104131553
申请日：2015-09-24
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LI-FAN , 楊竣傑 , YANG, CHUN-CHIEH
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/80
CPC分类号： H01L23/5286 , H01L23/5226 , H01L29/0649 , H01L29/41758 , H01L29/4238

4. 发明专利

TWI653760B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI653760B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106110672
申请日：2017-03-30
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LI-FAN , 楊竣傑 , YANG, CHUN-CHIEH
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/778

5. 发明专利

TWI643338B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI643338B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106104323
申请日：2017-02-10
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LI-FAN , 楊竣傑 , YANG, CHUN-CHIEH
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L29/778

6. 发明专利

TW201830698A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201830698A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106110672
申请日：2017-03-30
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LI-FAN , 楊竣傑 , YANG, CHUN-CHIEH
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/778
摘要：一種半導體裝置包含主動層、源極電極、汲極電極、閘極電極、第一絕緣層、第二絕緣層、第一源極墊與第一汲極墊。源極電極、汲極電極與閘極電極置於主動層上。第一絕緣層置於源極電極、汲極電極與閘極電極上。第二絕緣層置於第一絕緣層上。第一源極墊電性連接源極電極且包含第一下源極分支與第一源極本體。第一下源極分支置於第一絕緣層與第二絕緣層之間。第一源極本體置於第二絕緣層上。第一汲極墊電性連接汲極電極且包含第一下汲極分支與第一汲極本體。第一下汲極分支置於第一絕緣層與第二絕緣層之間。第一汲極本體置於第二絕緣層上。
简体摘要：一种半导体设备包含主动层、源极电极、汲极电极、闸极电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极垫与第一汲极垫。源极电极、汲极电极与闸极电极置于主动层上。第一绝缘层置于源极电极、汲极电极与闸极电极上。第二绝缘层置于第一绝缘层上。第一源极垫电性连接源极电极且包含第一下源极分支与第一源极本体。第一下源极分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一源极本体置于第二绝缘层上。第一汲极垫电性连接汲极电极且包含第一下汲极分支与第一汲极本体。第一下汲极分支置于第一绝缘层与第二绝缘层之间。第一汲极本体置于第二绝缘层上。

7. 发明专利

TW201818543A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201818543A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106104323
申请日：2017-02-10
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LI-FAN , 楊竣傑 , YANG, CHUN-CHIEH
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L29/778
摘要：一種半導體裝置包含主動層、源極電極、汲極電極、閘極電極、第一絕緣層、閘極金屬層、貫穿結構、第一源極金屬層、汲極金屬層與第二源極金屬層。源極電極、汲極電極與閘極電極置於主動層上。閘極電極置於源極電極與汲極電極之間。第一絕緣層置於源極電極、汲極電極與閘極電極上。閘極金屬層置於閘極電極與第一絕緣層上。閘極金屬層包含窄部與寬部。貫穿結構置於閘極金屬層與閘極電極之間。第一源極金屬層置於源極電極與第一絕緣層上。汲極金屬層置於汲極電極與第一絕緣層上。第二源極金屬層置於閘極金屬層與汲極金屬層之間。
简体摘要：一种半导体设备包含主动层、源极电极、汲极电极、闸极电极、第一绝缘层、闸极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、汲极金属层与第二源极金属层。源极电极、汲极电极与闸极电极置于主动层上。闸极电极置于源极电极与汲极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、汲极电极与闸极电极上。闸极金属层置于闸极电极与第一绝缘层上。闸极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于闸极金属层与闸极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。汲极金属层置于汲极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于闸极金属层与汲极金属层之间。

9. 发明专利

TW201712865A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201712865A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104131553
申请日：2015-09-24
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LI-FAN , 楊竣傑 , YANG, CHUN-CHIEH
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/80
CPC分类号： H01L23/5286 , H01L23/5226 , H01L29/0649 , H01L29/41758 , H01L29/4238
摘要：一種半導體裝置包含元件層、源極電極、汲極電極、閘極電極、源極匯流排、汲極匯流排、第一閘極匯流排與第二閘極匯流排。源極電極、汲極電極與閘極電極置於元件層上且沿第一方向延伸。閘極電極分別置於源極電極與汲極電極之間。源極匯流排、汲極匯流排、第一閘極匯流排與第二閘極匯流排沿與第一方向交錯之第二方向延伸。源極匯流排與汲極匯流排分別電性連接源極電極與汲極電極。第一閘極匯流排與第二閘極匯流排連接閘極電極。第一閘極匯流排置於源極電極的一端。源極電極橫跨第二閘極匯流排。
简体摘要：一种半导体设备包含组件层、源极电极、汲极电极、闸极电极、源极总线、汲极总线、第一闸极总线与第二闸极总线。源极电极、汲极电极与闸极电极置于组件层上且沿第一方向延伸。闸极电极分别置于源极电极与汲极电极之间。源极总线、汲极总线、第一闸极总线与第二闸极总线沿与第一方向交错之第二方向延伸。源极总线与汲极总线分别电性连接源极电极与汲极电极。第一闸极总线与第二闸极总线连接闸极电极。第一闸极总线置于源极电极的一端。源极电极横跨第二闸极总线。

10. 发明专利

TW201533906A 半導體裝置與應用其之半導體裝置封裝體审中-公开
简体标题：半导体设备与应用其之半导体设备封装体
公开(公告)号：TW201533906A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103106659
申请日：2014-02-27
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LIFAN , 楊竣傑 , YANG, CHUNCHIEH , 廖文甲 , LIAO, WENCHIA , 薛清全 , SHIUE, CHINGCHUAN , 陳世鵬 , CHEN, SHIHPENG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L23/3171 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/535 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/7786 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49111 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/13064 , H01L2924/00
摘要：一種半導體裝置包含主動層、源極、汲極、閘極、間介電層、源極中間層、至少一源極間插塞、汲極中間層、至少一汲極間插塞、閘極中間層與至少一閘極間插塞。主動層之材質為三五族半導體。源極與汲極皆位於主動層上。閘極位於主動層上，並介於源極與汲極之間。間介電層覆蓋源極、汲極與閘極。源極中間層、汲極中間層與閘極中間層皆位於間介電層上。源極間插塞電性連接源極與源極中間層。汲極間插塞電性連接汲極與汲極中間層。閘極間插塞電性連接閘極與閘極中間層。一種應用半導體裝置之半導體裝置封裝體亦在此揭露。
简体摘要：一种半导体设备包含主动层、源极、汲极、闸极、间介电层、源极中间层、至少一源极间插塞、汲极中间层、至少一汲极间插塞、闸极中间层与至少一闸极间插塞。主动层之材质为三五族半导体。源极与汲极皆位于主动层上。闸极位于主动层上，并介于源极与汲极之间。间介电层覆盖源极、汲极与闸极。源极中间层、汲极中间层与闸极中间层皆位于间介电层上。源极间插塞电性连接源极与源极中间层。汲极间插塞电性连接汲极与汲极中间层。闸极间插塞电性连接闸极与闸极中间层。一种应用半导体设备之半导体设备封装体亦在此揭露。

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