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1. 发明专利

TW200503119A 鑲嵌式金屬內連線之製造方法及介電層之修復程序 METHOD OF FABRICATING DAMASCENE INTERCONNECT STRUCTURES AND REPAIRING DIELECTRIC LAYERS 失效
简体标题：镶嵌式金属内连接之制造方法及介电层之修复进程 METHOD OF FABRICATING DAMASCENE INTERCONNECT STRUCTURES AND REPAIRING DIELECTRIC LAYERS
公开(公告)号：TW200503119A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW092133814
申请日：2003-12-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：徐鵬富 HSU, PENG FU , 謝志宏 SHIEH, JYU HORNG , 盧永誠 LU, YUNG CHENG , 陶宏遠 TAO, HUN JAN , 邱遠鴻 CHIU, YUAN HUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C08G77/38
摘要：本發明提供一種鑲嵌式金屬內連線之製造方法。包括下列步驟：形成有一含矽–碳基鍵之介電層於一基底上，接著，形成一雙鑲嵌開口於該介電層中，之後，進行一電漿灰化步驟，將該介電層結構中之矽–碳基鍵取代為矽–羥基鍵。續對該雙鑲嵌開口之側壁與底部之介電層進行一修復程序，其中該修復程序依序係為一鹵化反應、一碳化反應與一終止反應，該修復程序係將該介電層結構中之矽–羥基鍵修復回矽–碳基鍵。上述各步驟係於一多腔反應室之個別腔室中進行且不破真空，以組成一串接製程。
简体摘要：本发明提供一种镶嵌式金属内连接之制造方法。包括下列步骤：形成有一含硅–碳基键之介电层于一基底上，接着，形成一双镶嵌开口于该介电层中，之后，进行一等离子灰化步骤，将该介电层结构中之硅–碳基键取代为硅–羟基键。续对该双镶嵌开口之侧壁与底部之介电层进行一修复进程，其中该修复进程依序系为一卤化反应、一碳化反应与一终止反应，该修复进程系将该介电层结构中之硅–羟基键修复回硅–碳基键。上述各步骤系于一多腔反应室之个别腔室中进行且不破真空，以组成一串接制程。

2. 发明专利

TW200419662A 移除晶圓表面微粒裝置及方法 WET CLEANING CAVITATION SYSTEM AND METHOD TO REMOVE PARTICULATE WAFER CONTAMINATION 审中-公开
简体标题：移除晶圆表面微粒设备及方法 WET CLEANING CAVITATION SYSTEM AND METHOD TO REMOVE PARTICULATE WAFER CONTAMINATION
公开(公告)号：TW200419662A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW092118283
申请日：2003-07-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：周俊利 CHOU, CHUN LI , 陶宏遠 TAO, HUN JAN , 徐鵬富 HSU, PENG FU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67057 , B08B3/12 , Y10S134/902
摘要：一種移除晶圓表面微粒方法，包括：將待清洗之晶圓置入一腔體內，其中該腔體內以一液體填充，且具有複數個通氣管；將一氣體通入該等通氣管內；以及使該等通氣管產生振動，則該氣體自該等通氣管表面之複數個孔洞產生氣泡進入該液體中，隨該等通氣管之振動對該液體所產生之擾流作用，氣泡可將微粒自晶圓表面帶離。同時提出上述移除晶圓表面微粒方法之裝置。
简体摘要：一种移除晶圆表面微粒方法，包括：将待清洗之晶圆置入一腔体内，其中该腔体内以一液体填充，且具有复数个通气管；将一气体通入该等通气管内；以及使该等通气管产生振动，则该气体自该等通气管表面之复数个孔洞产生气泡进入该液体中，随该等通气管之振动对该液体所产生之扰流作用，气泡可将微粒自晶圆表面带离。同时提出上述移除晶圆表面微粒方法之设备。

3. 发明专利

TW593771B 用於銅金屬鑲嵌製程殘留物之濕式清洗劑失效
简体标题：用于铜金属镶嵌制程残留物之湿式清洗剂
公开(公告)号：TW593771B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091136936
申请日：2002-12-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：周俊利 CHOU, CHUN LI , 陶宏遠 TAO, HUN JAN , 徐鵬富 HSU, PENG FU
IPC分类号： C23G
摘要：一種用於銅金屬鑲嵌製程殘留物之濕式清洗劑，可以有效地去除乾式蝕刻後在鑲嵌開口內的殘留物。利用適當配方之清洗劑，包含銅螫化劑、有機溶劑、PH緩衝劑、表面劑與銅抑制劑等跟銅金屬與周圍低介電材料相容之配方，去除鑲嵌開口內的殘留物，尤其是有機聚合物，同時能維持原有的開口輪廓，避免發生銅侵蝕的現象，以及獲得更高的清洗效率。伍、(一)、本案代表圖為：第╴╴╴1╴╴╴圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
100 基底 110 銅金屬層
120 蝕刻終止層 130 介電層
140 抗反射層 150 鑲嵌開口
152 介層窗開口 154 導線溝渠
160 殘留物
简体摘要：一种用于铜金属镶嵌制程残留物之湿式清洗剂，可以有效地去除干式蚀刻后在镶嵌开口内的残留物。利用适当配方之清洗剂，包含铜螫化剂、有机溶剂、PH缓冲剂、表面剂与铜抑制剂等跟铜金属与周围低介电材料兼容之配方，去除镶嵌开口内的残留物，尤其是有机聚合物，同时能维持原有的开口轮廓，避免发生铜侵蚀的现象，以及获得更高的清洗效率。伍、(一)、本案代表图为：第╴╴╴1╴╴╴图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 100 基底 110 铜金属层 120 蚀刻终止层 130 介电层 140 抗反射层 150 镶嵌开口 152 介层窗开口 154 导线沟渠 160 残留物

4. 发明专利

TW200820437A 半導體結構及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
公开(公告)号：TW200820437A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096113295
申请日：2007-04-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：姚亮吉 YAO, LIANG GI , 王祥保 WANG, SHIANG BAU , 林煥哲 LIN, HUAN JUST , 徐鵬富 HSU, PENG FU , 金鷹 JIN YING , 陶宏遠 TAO, HUN JAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823835 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/7843 , H01L29/7848
摘要：本發明提供一種半導體結構,包括一基板,一閘極堆疊於該基板上,一源極/汲極區域鄰近該閘極堆疊,一源極/汲極矽化物區域於該源極/汲極區域上,一保護層於該源極/汲極矽化物區域上,其中位於該閘極堆疊上的一區域實質上無該保護層,以及一接觸蝕刻停止層(CESL)具一應力於該保護層上,且延伸於該閘極堆疊上。
简体摘要：本发明提供一种半导体结构,包括一基板,一闸极堆栈于该基板上,一源极/汲极区域邻近该闸极堆栈,一源极/汲极硅化物区域于该源极/汲极区域上,一保护层于该源极/汲极硅化物区域上,其中位于该闸极堆栈上的一区域实质上无该保护层,以及一接触蚀刻停止层(CESL)具一应力于该保护层上,且延伸于该闸极堆栈上。

5. 发明专利

TWI247378B 用以剝除光阻與蝕刻低介電常數材料的方法 METHOD FOR PHOTORESIST STRIPPING AND TREATMENT OF LOW-K DIELECTRIC MATERIAL 有权
简体标题：用以剥除光阻与蚀刻低介电常数材料的方法 METHOD FOR PHOTORESIST STRIPPING AND TREATMENT OF LOW-K DIELECTRIC MATERIAL
公开(公告)号：TWI247378B
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：TW093140353
申请日：2004-12-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蔡嘉祥 TSAI, JANGSHIANG , 蘇怡年 SU, YINIEN , 柯忠祁 KO, CHUNGCHI , 謝志宏 SHIEH, JYU HORNG , 徐鵬富 HSU, PENG FU , 陶宏遠 TAO, HUN JAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02063 , G03F7/427 , Y10S438/958
摘要：本發明揭露一種用氮氣與氧氣之混合氣體做為反應氣體的單一電漿製程，用以去除光阻並對具低介電常數之介電絕緣層作一保護處理。此單一電漿製程係在此介電絕緣層上形成一保護層，用以避免造成此介電絕緣層被分解。藉由游離光阻中的碳原子並活化之，使其與此介電絕緣層中的低介電常數材料反應形成複合物，此複合物可維持此介電絕緣層一適當的高含碳量與低介電常數值。其中，在此單一電漿製程中所使用的混合氣體，其氫氣所佔的體積百分比至少為10%。
简体摘要：本发明揭露一种用氮气与氧气之混合气体做为反应气体的单一等离子制程，用以去除光阻并对具低介电常数之介电绝缘层作一保护处理。此单一等离子制程系在此介电绝缘层上形成一保护层，用以避免造成此介电绝缘层被分解。借由游离光阻中的碳原子并活化之，使其与此介电绝缘层中的低介电常数材料反应形成复合物，此复合物可维持此介电绝缘层一适当的高含碳量与低介电常数值。其中，在此单一等离子制程中所使用的混合气体，其氢气所占的体积百分比至少为10%。

6. 发明专利

TW200411827A 閘極接觸窗的形成方法 METHOD FOR FORMING GATE CONTACT 失效
简体标题：闸极接触窗的形成方法 METHOD FOR FORMING GATE CONTACT
公开(公告)号：TW200411827A
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：TW092110135
申请日：2003-04-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：徐鵬富 HSU, PENG FU , 蔡明桓 TSAI, MING HUAN , 彭寶慶 PERNG, BAW CHING , 徐祖望 HSU, JU WANG , 邱遠鴻 CHIU, YUAN HUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76829
摘要：本發明提供一種閘極接觸窗的形成方法，首先，提供一半導體基底，半導體基底上形成有一多晶矽閘極，多晶矽閘極上形成有一金屬矽化物層，且金屬矽化物及半導體基底表面上順應性形成有一停止層；接著，依序於半導體基底上形成一介電層及一具有開口之圖案化罩幕層，開口位於多晶矽閘極位置之介電層表面上，並以圖案化罩幕層為罩幕對介電層進行一蝕刻步驟至露出停止層之表面為止，以在介電層形成一接觸窗；然後，以具有含氫氣體之反應氣體對停止層進行一乾蝕刻步驟，且於乾蝕刻步驟中自然在金屬矽化物層表面形成保護層。
简体摘要：本发明提供一种闸极接触窗的形成方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一多晶硅闸极，多晶硅闸极上形成有一金属硅化物层，且金属硅化物及半导体基底表面上顺应性形成有一停止层；接着，依序于半导体基底上形成一介电层及一具有开口之图案化罩幕层，开口位于多晶硅闸极位置之介电层表面上，并以图案化罩幕层为罩幕对介电层进行一蚀刻步骤至露出停止层之表面为止，以在介电层形成一接触窗；然后，以具有含氢气体之反应气体对停止层进行一干蚀刻步骤，且于干蚀刻步骤中自然在金属硅化物层表面形成保护层。

7. 发明专利

TW578233B 金屬化合物的蝕刻方法以及使用此蝕刻方法製造電晶體之閘極的方法有权
简体标题：金属化合物的蚀刻方法以及使用此蚀刻方法制造晶体管之闸极的方法
公开(公告)号：TW578233B
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092101573
申请日：2003-01-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. , 弘塑科技股份有限公司 GRAND PLASTIC TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：彭寶慶 PERNG, BAW CHING , 陳方正 CHEN, FANG CHENG , 陶宏遠 TAO, HUN JAN , 徐鵬富 HSU, PENG FU , 謝育和 HSIEH, YUE HO , 王志成 WANG, CHIH CHENG , 蕭世乙 HSIAO, SHIH YI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31111
摘要：本發明提供一種金屬化合物的蝕刻方法。其方法為，使用一蝕刻配方對於一金屬化合物進行蝕刻，此蝕刻配方為液相或氣相，包括大於50 wt%之溶劑，以及0.0001 wt%至10 wt%之含鹵素之酸。伍、(一)、本案代表圖為：第3圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
10~半導體基板；
22~閘極介電層；
32~閘極層。
简体摘要：本发明提供一种金属化合物的蚀刻方法。其方法为，使用一蚀刻配方对于一金属化合物进行蚀刻，此蚀刻配方为液相或气相，包括大于50 wt%之溶剂，以及0.0001 wt%至10 wt%之含卤素之酸。伍、(一)、本案代表图为：第3图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 10~半导体基板； 22~闸极介电层； 32~闸极层。

8. 发明专利

TW200820435A 具有雙金屬閘極的互補式金屬-氧化-半導體(CMOS)元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES WITH DUAL-METAL GATE STRUCTURES AND FABRICATION METHODS THEREOF 审中-公开
简体标题：具有双金属闸极的互补式金属-氧化-半导体(CMOS)组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICES WITH DUAL-METAL GATE STRUCTURES AND FABRICATION METHODS THEREOF
公开(公告)号：TW200820435A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096104412
申请日：2007-02-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：徐鵬富 HSU, PENG FU , 顏豐裕 YEN, FONG YU , 莫亦先 MOR, YI SHIEN , 林煥哲 LIN, HUAN JUST , 金鷹 YING JIN , 陶宏遠 TAO, HUN JAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28088 , H01L27/0922 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/7833
摘要：本發明提供一種具有雙金屬閘極的互補式金屬-氧化-半導體(CMOS)元件及其製造方法。上述具有雙金屬閘極的互補式金屬-氧化-半導體元件包括一半導體基板具有一第一型摻雜區域與一第二型摻雜區域,其間隔以一絕緣區。一第一金屬閘極堆疊結構位於第一型摻雜區域上。一第二金屬閘極堆疊結構位於第二型摻雜區域上。一密封層設置於第一金屬閘極堆疊結構與第二金屬閘極堆疊結構的側壁上,其中第一金屬閘極堆疊結構包括一介面層、一高介電材料層於介面層上、一第一金屬層於高介電材料層層上、一金屬介在層於第一金屬層上、一第二金屬層於金屬介在層上、以及一多晶矽層於第二金屬層上,以及其中第二金屬閘極堆疊結構包括一介面層、一高介電材料層於介面層上、一第二金屬層於高介電材料層上、以及一多晶矽層於第二金屬層上。
简体摘要：本发明提供一种具有双金属闸极的互补式金属-氧化-半导体(CMOS)组件及其制造方法。上述具有双金属闸极的互补式金属-氧化-半导体组件包括一半导体基板具有一第一型掺杂区域与一第二型掺杂区域,其间隔以一绝缘区。一第一金属闸极堆栈结构位于第一型掺杂区域上。一第二金属闸极堆栈结构位于第二型掺杂区域上。一密封层设置于第一金属闸极堆栈结构与第二金属闸极堆栈结构的侧壁上,其中第一金属闸极堆栈结构包括一界面层、一高介电材料层于界面层上、一第一金属层于高介电材料层层上、一金属介在层于第一金属层上、一第二金属层于金属介在层上、以及一多晶硅层于第二金属层上,以及其中第二金属闸极堆栈结构包括一界面层、一高介电材料层于界面层上、一第二金属层于高介电材料层上、以及一多晶硅层于第二金属层上。

9. 发明专利

TWI293495B 閘極接觸窗的形成方法 METHOD FOR FORMING GATE CONTACT 失效
简体标题：闸极接触窗的形成方法 METHOD FOR FORMING GATE CONTACT
公开(公告)号：TWI293495B
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：TW092110135
申请日：2003-04-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：徐鵬富 HSU, PENG FU , 蔡明桓 TSAI, MING HUAN , 彭寶慶 PERNG, BAW CHING , 徐祖望 HSU, JU WANG , 邱遠鴻 CHIU, YUAN HUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76829
摘要：本發明提供一種閘極接觸窗的形成方法，首先，提供一半導體基底，半導體基底上形成有一多晶矽閘極，多晶矽閘極上形成有一金屬矽化物層，且金屬矽化物及半導體基底表面上順應性形成有一停止層；接著，依序於半導體基底上形成一介電層及一具有開口之圖案化罩幕層，開口位於多晶矽閘極位置之介電層表面上，並以圖案化罩幕層為罩幕對介電層進行一蝕刻步驟至露出停止層之表面為止，以在介電層形成一接觸窗；然後，以具有含氫氣體之反應氣體對停止層進行一乾蝕刻步驟，且於乾蝕刻步驟中自然在金屬矽化物層表面形成保護層。
简体摘要：本发明提供一种闸极接触窗的形成方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一多晶硅闸极，多晶硅闸极上形成有一金属硅化物层，且金属硅化物及半导体基底表面上顺应性形成有一停止层；接着，依序于半导体基底上形成一介电层及一具有开口之图案化罩幕层，开口位于多晶硅闸极位置之介电层表面上，并以图案化罩幕层为罩幕对介电层进行一蚀刻步骤至露出停止层之表面为止，以在介电层形成一接触窗；然后，以具有含氢气体之反应气体对停止层进行一干蚀刻步骤，且于干蚀刻步骤中自然在金属硅化物层表面形成保护层。

10. 发明专利

TW200805660A 採用塊狀半導體基材所製造的鰭式場效應電晶體元件 FIN-FET DEVICE STRUCTURE FORMED EMPLOYING BULK SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：采用块状半导体基材所制造的鳍式场效应晶体管组件 FIN-FET DEVICE STRUCTURE FORMED EMPLOYING BULK SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200805660A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096114698
申请日：2007-04-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳光鑫 CHEN, KUANG HSIN , 曹訓誌 TSAO, HSUN CHIH , 陸志誠 LU, JHI CHERNG , 侯全評 HOU, CHUANPING , 徐鵬富 HSU, PENG FU , 陳宏瑋 CHEN, HUNGWEI , 李迪弘 LEE, DI HONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L29/66795
摘要：一種採用塊狀半導體基材所製造的鰭式場效應電晶體元件,及其製造方法。在塊狀半導體基材上形成一鰭狀部和一臨接通道。採用一沉積介電層來部分地填充此通道,藉以將鰭狀部區分成未暴露於外的鰭狀部區域和暴露於外的鰭狀部區域。在暴露於外的鰭狀部區域上形成閘介電層,並在閘介電層上形成閘極。採用塊狀半導體基材來製造鰭式場效應電晶體元件具有成本效益。
简体摘要：一种采用块状半导体基材所制造的鳍式场效应晶体管组件,及其制造方法。在块状半导体基材上形成一鳍状部和一临接信道。采用一沉积介电层来部分地填充此信道,借以将鳍状部区分成未暴露于外的鳍状部区域和暴露于外的鳍状部区域。在暴露于外的鳍状部区域上形成闸介电层,并在闸介电层上形成闸极。采用块状半导体基材来制造鳍式场效应晶体管组件具有成本效益。

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