专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201735383A 影像感測器裝置及製造其之方法审中-公开
简体标题：影像传感器设备及制造其之方法
公开(公告)号：TW201735383A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105140929
申请日：2016-12-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：賴志育 , LAI, CHIH-YU , 蔡敏瑛 , TSAI, MIN-YING , 杜友倫 , TU, YEUR-LUEN , 金海光 , TRINH, HAI-DANG , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN
IPC分类号： H01L31/0236
CPC分类号： H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14654 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要：係揭示一種影像感測器裝置。該影像感測器裝置包括：一基板，具有一正面及一背面；一照射感測區，形成在該基板中；一開口，從該基板的該背面延伸至該基板中；一第一金屬氧化物膜，包括一第一金屬，該第一金屬氧化物膜係形成在該開口的一內表面上；以及一第二金屬氧化物膜，包括一第二金屬，該第二金屬氧化物膜係形成在該第一金屬氧化物膜上方；其中該第一金屬的陰電性係大於該第二金屬的陰電性。也揭示一種相關之製造方法。
简体摘要：系揭示一种影像传感器设备。该影像传感器设备包括：一基板，具有一正面及一背面；一照射传感区，形成在该基板中；一开口，从该基板的该背面延伸至该基板中；一第一金属氧化物膜，包括一第一金属，该第一金属氧化物膜系形成在该开口的一内表面上；以及一第二金属氧化物膜，包括一第二金属，该第二金属氧化物膜系形成在该第一金属氧化物膜上方；其中该第一金属的阴电性系大于该第二金属的阴电性。也揭示一种相关之制造方法。

2. 发明专利

TW201729443A 電阻式隨機存取記憶體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：电阻式随机存取内存结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201729443A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105134354
申请日：2016-10-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：金海光 , TRINH, HAI-DANG , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN , 林杏蓮 , LIN, HSING-LIEN
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/08 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1675
摘要：一RRAM裝置之一金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構包含一第一電極及一第二電極，其中一絕緣層插置於該第一電極與該第二電極之間。提供該RRAM裝置之一切換功能之導電細絲可形成於該絕緣層內。此外，一富氮金屬層插置於該第二電極與該絕緣層之間。該富氮金屬層包含比該相鄰第二電極之氮濃度更大的一氮濃度。
简体摘要：一RRAM设备之一金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构包含一第一电极及一第二电极，其中一绝缘层插置于该第一电极与该第二电极之间。提供该RRAM设备之一切换功能之导电细丝可形成于该绝缘层内。此外，一富氮金属层插置于该第二电极与该绝缘层之间。该富氮金属层包含比该相邻第二电极之氮浓度更大的一氮浓度。

3. 发明专利

TW201725737A 金屬-絕緣層-金屬電容器及其製造方法审中-公开
简体标题：金属-绝缘层-金属电容器及其制造方法
公开(公告)号：TW201725737A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105139142
申请日：2016-11-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：林杏蓮 , LIN, HSING-LIEN , 金海光 , TRINH, HAI-DANG , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN
IPC分类号： H01L29/92
CPC分类号： H01L28/60 , H01L21/76895 , H01L21/8256
摘要：一種製造一金屬-絕緣層-金屬電容器之方法。該方法包含：在一半導體基板上方形成一第一金屬板；在該第一金屬板之一表面上形成具有一第一介電常數之一第一介電層；在該第一介電層之一表面上形成具有一第二介電常數之一第二介電層；在該第二介電層之一表面上形成具有一第三介電常數之一第三介電層；及在該第三介電層之一表面上形成一第二金屬板。該第二介電常數不同於該第一介電常數且不同於該第三介電常數。
简体摘要：一种制造一金属-绝缘层-金属电容器之方法。该方法包含：在一半导体基板上方形成一第一金属板；在该第一金属板之一表面上形成具有一第一介电常数之一第一介电层；在该第一介电层之一表面上形成具有一第二介电常数之一第二介电层；在该第二介电层之一表面上形成具有一第三介电常数之一第三介电层；及在该第三介电层之一表面上形成一第二金属板。该第二介电常数不同于该第一介电常数且不同于该第三介电常数。

4. 发明专利

TW201820424A 具有複合式頂部電極的內嵌式記憶體裝置审中-公开
简体标题：具有复合式顶部电极的内嵌式内存设备
公开(公告)号：TW201820424A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106124394
申请日：2017-07-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：林杏蓮 , LIN, HSING-LIEN , 金海光 , TRINH, HAI-DANG , 張耀文 , CHANG, YAO-WEN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8239
摘要：本發明實施例提供一種具有一複合式頂部電極之記憶體胞。一底部電極安置於一基板上方。具有一可變電阻之一切換介電層安置於該底部電極上方。一覆蓋層安置於該切換介電層上方。一複合式頂部電極安置於該覆蓋層上方且鄰接該覆蓋層。該複合式頂部電極包括氮化鉭(TaN)層及直接安置於該氮化鉭層上之氮化鈦(TiN)膜。由於具有該所揭示之複合式頂部電極，所以當曝露該複合式頂部電極來形成頂部電極通路時，無需或不形成一界面氧化層，藉此改良該頂部電極與該頂部電極通路之間之RC性質。本發明實施例亦提供一種用於製造該記憶體胞之方法。
简体摘要：本发明实施例提供一种具有一复合式顶部电极之内存胞。一底部电极安置于一基板上方。具有一可变电阻之一切换介电层安置于该底部电极上方。一覆盖层安置于该切换介电层上方。一复合式顶部电极安置于该覆盖层上方且邻接该覆盖层。该复合式顶部电极包括氮化钽(TaN)层及直接安置于该氮化钽层上之氮化钛(TiN)膜。由于具有该所揭示之复合式顶部电极，所以当曝露该复合式顶部电极来形成顶部电极通路时，无需或不形成一界面氧化层，借此改良该顶部电极与该顶部电极通路之间之RC性质。本发明实施例亦提供一种用于制造该内存胞之方法。

5. 发明专利

TWI633675B 影像感測器裝置及製造其之方法有权
简体标题：影像传感器设备及制造其之方法
公开(公告)号：TWI633675B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW105140929
申请日：2016-12-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：賴志育 , LAI, CHIH-YU , 蔡敏瑛 , TSAI, MIN-YING , 杜友倫 , TU, YEUR-LUEN , 金海光 , TRINH, HAI-DANG , 蔡正原 , TSAI, CHENG-YUAN
IPC分类号： H01L31/0236

6. 发明专利

TW202022994A 半導體結構、積體晶片及形成溝渠電容器的方法审中-公开
简体标题：半导体结构、积体芯片及形成沟渠电容器的方法
公开(公告)号：TW202022994A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108125371
申请日：2019-07-18
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張耀文 , CHANG, YAO-WEN , 金海光 , TRINH, HAI-DANG
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
摘要：本申請案的各種實施例是有關於一種具有導電帽結構的溝渠電容器。在一些實施例中，溝渠電容器包括下部電容器電極、上覆於下部電容器電極上的電容器介電層、及上覆於電容器介電層上的上部電容器電極。電容器介電層及上部電容器電極下陷至基底中且界定凹入至基底中的間隙。導電帽結構上覆於上部電容器電極上的間隙上並密封間隙。在一些實施例中，導電帽結構包括藉由物理氣相沈積形成的金屬層，且更包括上覆於金屬層上的藉由化學氣相沈積形成的金屬氮化物層。在其他實施例中，導電帽結構為或包含其他適合的材料及/或藉由其他沈積製程而形成。
简体摘要：本申请案的各种实施例是有关于一种具有导电帽结构的沟渠电容器。在一些实施例中，沟渠电容器包括下部电容器电极、上覆于下部电容器电极上的电容器介电层、及上覆于电容器介电层上的上部电容器电极。电容器介电层及上部电容器电极下陷至基底中且界定凹入至基底中的间隙。导电帽结构上覆于上部电容器电极上的间隙上并密封间隙。在一些实施例中，导电帽结构包括借由物理气相沉积形成的金属层，且更包括上覆于金属层上的借由化学气相沉积形成的金属氮化物层。在其他实施例中，导电帽结构为或包含其他适合的材料及/或借由其他沉积制程而形成。

7. 发明专利

TWI695498B 積體晶片及其形成方法有权
简体标题：积体芯片及其形成方法
公开(公告)号：TWI695498B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW108114328
申请日：2019-04-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：金海光 , TRINH, HAI-DANG , 吳啟明 , WU, CHII-MING , 林杏蓮 , LIN, HSING-LIEN , 江法伸 , JIANG, FA-SHEN
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00

8. 发明专利

TW202018780A 半導體裝置結構及其形成方法审中-公开
简体标题：半导体设备结构及其形成方法
公开(公告)号：TW202018780A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107141227
申请日：2018-11-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：金海光 , TRINH, HAI-DANG , 林杏蓮 , LIN, HSING LIEN , 蔡正原 , TSAI, CHENG YUAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L27/15 , H01L45/00 , G11C13/00
摘要：提供半導體裝置結構的結構及形成方法，此方法包含在半導體基底上方形成下電極層以及在下電極層上方形成資料儲存層，此方法也包含在資料儲存層上方形成離子擴散阻障層以及在離子擴散阻障層上方形成覆蓋層，離子擴散阻障層為摻雜氮、碳或前述之組合的金屬材料，覆蓋層由金屬材料製成，此方法更包含在覆蓋層上方形成上電極層。
简体摘要：提供半导体设备结构的结构及形成方法，此方法包含在半导体基底上方形成下电极层以及在下电极层上方形成数据存储层，此方法也包含在数据存储层上方形成离子扩散阻障层以及在离子扩散阻障层上方形成覆盖层，离子扩散阻障层为掺杂氮、碳或前述之组合的金属材料，覆盖层由金属材料制成，此方法更包含在覆盖层上方形成上电极层。

9. 发明专利

TWI701772B 相變記憶體結構、記憶體器件與其形成方法有权
简体标题：相变内存结构、内存器件与其形成方法
公开(公告)号：TWI701772B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108105732
申请日：2019-02-21
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：金海光 , TRINH, HAI-DANG , 梁晉瑋 , LIANG, CHIN-WEI , 林杏蓮 , LIN, HSING-LIEN , 江法伸 , JIANG, FA-SHEN
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L45/00

10. 发明专利

TW202008514A 相變記憶體結構、記憶體器件與其形成方法审中-公开
简体标题：相变内存结构、内存器件与其形成方法
公开(公告)号：TW202008514A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108105732
申请日：2019-02-21
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：金海光 , TRINH, HAI-DANG , 梁晉瑋 , LIANG, CHIN-WEI , 林杏蓮 , LIN, HSING-LIEN , 江法伸 , JIANG, FA-SHEN
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L45/00
摘要：本發明的實施例提供一種相變記憶體（PCM）器件，包含具有安置在相變元件（PCE）與介電層之間的吸氣劑金屬層的相變記憶體結構。相變記憶體結構包含介電層、底部電極、通孔、相變元件以及吸氣劑金屬層。介電層安置在基底上方。底部電極上覆於介電層。通孔從介電層的底部表面延伸穿過介電層到介電層的頂部表面。相變元件上覆於底部電極。吸氣劑金屬層安置在介電層與相變元件之間。
简体摘要：本发明的实施例提供一种相变内存（PCM）器件，包含具有安置在相变组件（PCE）与介电层之间的吸气剂金属层的相变内存结构。相变内存结构包含介电层、底部电极、通孔、相变组件以及吸气剂金属层。介电层安置在基底上方。底部电极上覆于介电层。通孔从介电层的底部表面延伸穿过介电层到介电层的顶部表面。相变组件上覆于底部电极。吸气剂金属层安置在介电层与相变组件之间。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式