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1. 发明专利

TW201717315A 用於成品率改善的使用銅合金的混合鍵审中-公开
简体标题：用于成品率改善的使用铜合金的混合键
公开(公告)号：TW201717315A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104139108
申请日：2015-11-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：蔡喻丞 , TSAI, YU CHENG , 莊俊傑 , CHUANG, CHUN CHIEH , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 盧彥池 , LU, YAN CHIH , 陳如曦 , CHEN, JU SHI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02 , H01L23/00 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31111 , H01L21/3212 , H01L21/76807 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76871 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53238 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L25/50 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/08145 , H01L2224/215 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0104 , H01L2924/01072 , H01L2224/80
摘要：提供使用基於混合鍵的銅合金的積體電路(IC)。積體電路包括一對垂直堆疊於彼此之上的半導體結構。半導體結構包含對應的介電層及佈置在介電層中的對應的金屬特徵。金屬特徵包含銅合金，其具有銅和次要金屬。積體電路另包括混合鍵，該混合鍵佈置在半導體結構之間的界面。混合鍵包含將介電層接合在一起的第一鍵及將金屬特徵接合在一起的第二鍵。第二鍵包含佈置於金屬特徵的銅晶粒之間的空隙且該空隙被次要金屬填充。本揭露還提供了使用基於混合鍵的銅合金將一對半導體結構接合在一起的方法。
简体摘要：提供使用基于混合键的铜合金的集成电路(IC)。集成电路包括一对垂直堆栈于彼此之上的半导体结构。半导体结构包含对应的介电层及布置在介电层中的对应的金属特征。金属特征包含铜合金，其具有铜和次要金属。集成电路另包括混合键，该混合键布置在半导体结构之间的界面。混合键包含将介电层接合在一起的第一键及将金属特征接合在一起的第二键。第二键包含布置于金属特征的铜晶粒之间的空隙且该空隙被次要金属填充。本揭露还提供了使用基于混合键的铜合金将一对半导体结构接合在一起的方法。

2. 发明专利

TWI624006B 用於成品率改善的使用銅合金的混合鍵有权
简体标题：用于成品率改善的使用铜合金的混合键
公开(公告)号：TWI624006B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW104139108
申请日：2015-11-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：蔡喻丞 , TSAI, YU CHENG , 莊俊傑 , CHUANG, CHUN CHIEH , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 盧彥池 , LU, YAN CHIH , 陳如曦 , CHEN, JU SHI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02 , H01L23/00 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L25/00 , H01L25/065

3. 发明专利

TW201725713A 相位偵測自動對焦技術审中-公开
简体标题：相位侦测自动对焦技术
公开(公告)号：TW201725713A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105132755
申请日：2016-10-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：許文義 , HSU, WEN-I , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 周耕宇 , CHOU, KENG-YU
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14685
摘要：本揭露係關於具有自動對焦功能之一影像感測器及相關聯方法。在某些實施例中，積體電路具有：一光電二極體陣列，其具有放置於一半導體基板內之複數個光電二極體；及一複合柵格，其上覆於該光電二極體陣列且具有垂直延伸穿過該複合柵格之第一複數個開口及第二複數個開口。該積體電路進一步具有：一影像感測像素陣列，其具有放置於該第一複數個開口中之複數個彩色濾光器。該積體電路進一步具有：一相位偵測像素陣列，其具有複數個相位偵測組件，該複數個相位偵測組件小於該複數個彩色濾光器且具有帶有小於該複數個彩色濾光器之一折射率(n)之一折射率之一低折射率(低n)材料，其中該等相位偵測組件放置於該第二複數個開口中。
简体摘要：本揭露系关于具有自动对焦功能之一影像传感器及相关联方法。在某些实施例中，集成电路具有：一光电二极管数组，其具有放置于一半导体基板内之复数个光电二极管；及一复合栅格，其上覆于该光电二极管数组且具有垂直延伸穿过该复合栅格之第一复数个开口及第二复数个开口。该集成电路进一步具有：一影像传感像素数组，其具有放置于该第一复数个开口中之复数个彩色滤光器。该集成电路进一步具有：一相位侦测像素数组，其具有复数个相位侦测组件，该复数个相位侦测组件小于该复数个彩色滤光器且具有带有小于该复数个彩色滤光器之一折射率(n)之一折射率之一低折射率(低n)材料，其中该等相位侦测组件放置于该第二复数个开口中。

4. 发明专利

TW201729408A 背側照明式(BSI)影像感測器之電壓偏壓金屬屏蔽及深溝槽隔離审中-公开
简体标题：背侧照明式(BSI)影像传感器之电压偏压金属屏蔽及深沟槽隔离
公开(公告)号：TW201729408A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105139138
申请日：2016-11-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：許慈軒 , HSU, TZU-HSUAN , 王俊智 , WANG, CHING-CHUN , 曾建賢 , TSENG, CHIEN-HSIEN , 王銓中 , WANG, CHEN-JONG , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 許文義 , HSU, WEN-I
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14678 , H01L27/14685 , H01L27/14687
摘要：提供一種用於偏壓背側深溝槽隔離(BDTI)及/或偏壓背側屏蔽之背側照明式(BSI)影像感測器。一光偵測器經配置於一半導體基板中、橫向毗鄰於該半導體基板中之一周邊開口。一互連結構經配置於該半導體基板下方。一墊結構經配置於該周邊開口中，且穿過該周邊開口之一下部表面突出至該互連結構。一導電層電經耦合至該墊結構，且自該墊結構上方朝向該光偵測器橫向延伸。亦提供一種用於製造該BSI影像感測器之方法。
简体摘要：提供一种用于偏压背侧深沟槽隔离(BDTI)及/或偏压背侧屏蔽之背侧照明式(BSI)影像传感器。一光侦测器经配置于一半导体基板中、横向毗邻于该半导体基板中之一周边开口。一互链接构经配置于该半导体基板下方。一垫结构经配置于该周边开口中，且穿过该周边开口之一下部表面突出至该互链接构。一导电层电经耦合至该垫结构，且自该垫结构上方朝向该光侦测器横向延伸。亦提供一种用于制造该BSI影像传感器之方法。

5. 发明专利

TW201724488A 堆疊式單光子雪崩二極體影像感測器审中-公开
简体标题：堆栈式单光子雪崩二极管影像传感器
公开(公告)号：TW201724488A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105138964
申请日：2016-11-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：楊明憲 , YANG, MING-HSIEN , 王俊智 , WANG, CHING-CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN , 陳春元 , CHEN, CHUN-YUAN
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/107
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/03529 , H01L31/107
摘要：本揭露係關於一種堆疊式SPAD影像感測器及一相關聯形成方法，該堆疊式SPAD影像感測器具有接合在一起之一CMOS晶片及一成像晶片，用以改良SPAD影像感測器之填充因數。在某些實施例中，該成像晶片具有經放置於一第二基板內之複數個SPAD胞元。該CMOS晶片具有經放置於一第一基板上方之一第一互連結構。該成像晶片具有經放置於該第二基板與該第一互連結構之間的一第二互連結構。該CMOS晶片與該成像晶片係沿著經放置於該第一互連結構與該第二互連結構之間的一界面而接合在一起。
简体摘要：本揭露系关于一种堆栈式SPAD影像传感器及一相关联形成方法，该堆栈式SPAD影像传感器具有接合在一起之一CMOS芯片及一成像芯片，用以改良SPAD影像传感器之填充因子。在某些实施例中，该成像芯片具有经放置于一第二基板内之复数个SPAD胞元。该CMOS芯片具有经放置于一第一基板上方之一第一互链接构。该成像芯片具有经放置于该第二基板与该第一互链接构之间的一第二互链接构。该CMOS芯片与该成像芯片系沿着经放置于该第一互链接构与该第二互链接构之间的一界面而接合在一起。

6. 发明专利

TW201605012A 具有再分配線的堆疊式集成電路审中-公开
简体标题：具有再分配线的堆栈式集成电路
公开(公告)号：TW201605012A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103138143
申请日：2014-11-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：何承穎 , HO, CHENG YING , 林政賢 , LIN, JENG SHYAN , 許文義 , HSU, WEN I , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 蔡映麟 , TSAI, YING LING
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/52
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/7681 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/02 , H01L24/04 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/91 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/02381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/2405 , H01L2224/24146 , H01L2224/24147 , H01L2224/32146 , H01L2224/451 , H01L2224/48463 , H01L2224/73227 , H01L2224/80896 , H01L2224/82031 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/0651 , H01L2225/06524 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/80001 , H01L2224/82 , H01L2224/8203 , H01L2224/821
摘要：集成電路結構包括第一半導體晶片和第二半導體晶片。第一半導體晶片包括第一基底和在第一基底下面的第一複數個介電層。第二半導體晶片包括第二基底和在第二基底之上的第二複數個介電層，其中第一複數個介電層和第二複數個介電層彼此結合。金屬墊在第二複數個介電層中。再分配線在第一基底之上。導電插塞電耦合到該再分配線。導電插塞包括自第一基底的頂表面延伸至第一基底的底表面之第一部分以及從第一基底的底表面延伸至金屬墊之第二部分。第二部分的底表面接觸金屬墊的頂表面。
简体摘要：集成电路结构包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基底和在第一基底下面的第一复数个介电层。第二半导体芯片包括第二基底和在第二基底之上的第二复数个介电层，其中第一复数个介电层和第二复数个介电层彼此结合。金属垫在第二复数个介电层中。再分配线在第一基底之上。导电插塞电耦合到该再分配线。导电插塞包括自第一基底的顶表面延伸至第一基底的底表面之第一部分以及从第一基底的底表面延伸至金属垫之第二部分。第二部分的底表面接触金属垫的顶表面。

7. 发明专利

TW201739028A 混合接合半導體晶圓的3DIC結構與方法审中-公开
简体标题：混合接合半导体晶圆的3DIC结构与方法
公开(公告)号：TW201739028A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105143700
申请日：2016-12-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：陳如曦 , CHEN, JU-SHI , 何承穎 , HO, CHENG-YING , 莊俊傑 , CHUANG, CHUN-CHIEH , 陳昇照 , CHEN, SHENG-CHAU , 周世培 , CHOU, SHIH-PEI , 沈卉紋 , SHEN, HUI-WEN , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 王俊智 , WANG, CHING-CHUN , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 丁世汎 , TING, SHYH-FANN
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768 , H01L25/04
CPC分类号： H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2225/1041 , H01L2225/1082
摘要：改良形成3DIC裝置之半導體晶圓的混合接合產率之方法包含第一與第二晶圓具有在BEOL製程過程中沉積且圖案化的偽與主要金屬。偽金屬圖案的金屬佔據任何給定的偽金屬圖案區域的表面積約40%至約90%。高偽金屬表面覆蓋結合使用插槽傳導墊，允許晶圓表面之改良的平坦化用於混合接合。平坦化的晶圓具有最小的外形差異，對應於小於約400Å的階梯高度差異。平坦化的第一與第二晶圓對準，而後施加熱與壓力而混合接合；介電質至介電質，RDL至RDL。亦可使用微影控制實現約0.5 mm至約1.5 mm的WEE，以促進晶圓邊緣處的外形均勻性。用於混合接合之晶圓的改良平坦性造成所形成之3DIC裝置的改良接合均勻性。
简体摘要：改良形成3DIC设备之半导体晶圆的混合接合产率之方法包含第一与第二晶圆具有在BEOL制程过程中沉积且图案化的伪与主要金属。伪金属图案的金属占据任何给定的伪金属图案区域的表面积约40%至约90%。高伪金属表面覆盖结合使用插槽传导垫，允许晶圆表面之改良的平坦化用于混合接合。平坦化的晶圆具有最小的外形差异，对应于小于约400Å的阶梯高度差异。平坦化的第一与第二晶圆对准，而后施加热与压力而混合接合；介电质至介电质，RDL至RDL。亦可使用微影控制实现约0.5 mm至约1.5 mm的WEE，以促进晶圆边缘处的外形均匀性。用于混合接合之晶圆的改良平坦性造成所形成之3DIC设备的改良接合均匀性。

9. 发明专利

TWI694552B 互補式金屬－氧化物－半導體影像感測器及其形成方法有权
简体标题：互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及其形成方法
公开(公告)号：TWI694552B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107122078
申请日：2018-06-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳尉壯 , WU, WEI CHUANG , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI , 洪昇暉 , HONG, SHEN HUI , 陳春元 , CHEN, CHUN YUAN , 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/76

10. 发明专利

TWI639217B 半導體元件結構及其形成方法有权
简体标题：半导体组件结构及其形成方法
公开(公告)号：TWI639217B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW105124289
申请日：2016-08-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：楊明憲 , YANG, MING HSIEN , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI , 黃信耀 , HUANG, SIN YAO
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/60

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