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1. 发明专利

TW201742062A 用於控制感測放大器之系統及方法审中-公开
简体标题：用于控制传感放大器之系统及方法
公开(公告)号：TW201742062A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106112082
申请日：2017-04-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：張君豪 , CHANG, CHUN-HAO , 周紹禹 , CHOU, SHAO-YU , 陳宇翔 , CHEN, SHAWN
IPC分类号： G11C7/08
CPC分类号： G11C11/419 , G11C7/08 , G11C11/412 , G11C2207/002
摘要：本揭露提供用於控制一感測放大器之系統及方法。一第一類型之第一金屬氧化物半導體(MOS)電晶體及第二MOS電晶體串聯連接於一第一電壓電位與一節點之間。該第一MOS電晶體之一閘極端子耦合至一第一資料線。該第二MOS電晶體之一閘極端子耦合至一第二資料線。一第二類型之一第三MOS電晶體連接於該節點與一第二電壓電位之間。該第三MOS電晶體具有耦合至該第一資料線之一閘極端子。該第二類型之一第四MOS電晶體連接於該節點與該第二電壓電位之間以與該第三MOS電晶體成一並聯配置。該第四MOS電晶體具有耦合至該第二資料線之一閘極端子。提供至一感測放大器之一控制信號係基於該節點之一電壓。
简体摘要：本揭露提供用于控制一传感放大器之系统及方法。一第一类型之第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管及第二MOS晶体管串联连接于一第一电压电位与一节点之间。该第一MOS晶体管之一闸极端子耦合至一第一数据线。该第二MOS晶体管之一闸极端子耦合至一第二数据线。一第二类型之一第三MOS晶体管连接于该节点与一第二电压电位之间。该第三MOS晶体管具有耦合至该第一数据线之一闸极端子。该第二类型之一第四MOS晶体管连接于该节点与该第二电压电位之间以与该第三MOS晶体管成一并联配置。该第四MOS晶体管具有耦合至该第二数据线之一闸极端子。提供至一传感放大器之一控制信号系基于该节点之一电压。

2. 发明专利

TW201733057A 半導體結構审中-公开
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TW201733057A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105134716
申请日：2016-10-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：陳宇翔 , CHEN, YU HSIANG , 周紹禹 , CHOU, SHAO-YU , 張君豪 , CHANG, CHUN-HAO , 張良川 , CHANG, LIANG-CHUAN
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5226 , G11C7/18 , G11C8/14 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/4175 , H01L29/78
摘要：本發明實施例係關於一種半導體結構，其包含：擴散帶之第一列，其具有分開達第一距離之兩個區段；擴散帶之第二列，其具有分開達該第一距離之兩個區段；擴散帶之第三列，其具有分開達該第一距離之兩個區段；擴散帶之第四列，其具有分開達該第一距離之兩個區段；導電帶之第一列，其在擴散帶之該第一列及擴散帶之該第二列上方；及導電帶之第二列，其在擴散帶之該第三列及擴散帶之該第四列上方。導電帶之該第一列具有分開達第二距離之兩個區段。導電帶之該第二列具有分開達該第二距離之兩個區段，其中該第二距離大於該第一距離。
简体摘要：本发明实施例系关于一种半导体结构，其包含：扩散带之第一列，其具有分开达第一距离之两个区段；扩散带之第二列，其具有分开达该第一距离之两个区段；扩散带之第三列，其具有分开达该第一距离之两个区段；扩散带之第四列，其具有分开达该第一距离之两个区段；导电带之第一列，其在扩散带之该第一列及扩散带之该第二列上方；及导电带之第二列，其在扩散带之该第三列及扩散带之该第四列上方。导电带之该第一列具有分开达第二距离之两个区段。导电带之该第二列具有分开达该第二距离之两个区段，其中该第二距离大于该第一距离。

3. 发明专利

TWI696184B 偵測半導體裝置位址解碼錯誤的方法與系統及記憶體系統有权
简体标题：侦测半导体设备位址译码错误的方法与系统及内存系统
公开(公告)号：TWI696184B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107119834
申请日：2018-06-08
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：藤原英弘 , FUJIWARA, HIDEHIRO , 吳經緯 , WU, CHING-WEI , 張君豪 , CHANG, CHUN-HAO
IPC分类号： G11C29/02 , G11C8/10

4. 发明专利

TW201911325A 偵測半導體裝置位址解碼錯誤的方法與系統及記憶體系統审中-公开
简体标题：侦测半导体设备位址译码错误的方法与系统及内存系统
公开(公告)号：TW201911325A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107119834
申请日：2018-06-08
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：藤原英弘 , FUJIWARA, HIDEHIRO , 吳經緯 , WU, CHING-WEI , 張君豪 , CHANG, CHUN-HAO
IPC分类号： G11C29/02 , G11C8/10
摘要：本發明提供一種偵測半導體裝置之位址解碼錯誤的方法，包括：使用半導體裝置之位址解碼器解碼原始位址以形成對應的解碼位址；使用半導體裝置之編碼器重新編碼解碼位址以形成重編碼位址；使用半導體裝置之比較器對重編碼位址與原始位址進行比較；以及基於比較偵測位址解碼錯誤。
简体摘要：本发明提供一种侦测半导体设备之位址译码错误的方法，包括：使用半导体设备之位址译码器译码原始位址以形成对应的译码位址；使用半导体设备之编码器重新编码译码位址以形成重编码位址；使用半导体设备之比较器对重编码位址与原始位址进行比较；以及基于比较侦测位址译码错误。

5. 发明专利

TW201822210A 記憶體與其讀取方法审中-公开
简体标题：内存与其读取方法
公开(公告)号：TW201822210A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106134697
申请日：2017-10-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳宇翔 , CHEN, YUHSIANG , 周紹禹 , CHOU, SHAO YU , 張君豪 , CHANG, CHUN HAO , 吳旻信 , WU, MIN SHIN , 池育德 , CHIH, YU DER
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/26
摘要：本發明實施例提供了一種記憶體，包括由複數記憶單元所形成之一第一記憶體陣列、由複數記憶單元所形成之一第二記憶體陣列，以及一讀取電路。讀取電路包括耦接於第一記憶體陣列之一第一解碼器、耦接於第二記憶體陣列之一第二解碼器，以及一輸出緩衝器。第一解碼器根據一位址信號而從第一記憶體陣列得到一第一資料。第二解碼器根據位址信號而從第二記憶體陣列得到一第二資料。輸出緩衝器根據一控制信號而選擇性地提供第一資料或是第二資料以作為一輸出。第一資料是互補於第二資料。
简体摘要：本发明实施例提供了一种内存，包括由复数记忆单元所形成之一第一内存数组、由复数记忆单元所形成之一第二内存数组，以及一读取电路。读取电路包括耦接于第一内存数组之一第一译码器、耦接于第二内存数组之一第二译码器，以及一输出缓冲器。第一译码器根据一位址信号而从第一内存数组得到一第一数据。第二译码器根据位址信号而从第二内存数组得到一第二数据。输出缓冲器根据一控制信号而选择性地提供第一数据或是第二数据以作为一输出。第一数据是互补于第二数据。

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