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1. 发明专利

TW201911434A 半導體裝置及半導體封裝审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体封装
公开(公告)号：TW201911434A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106130580
申请日：2017-09-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：莊立樸 , CHUANG, LIPU KRIS , 普翰屏 , PU, HAN-PING , 潘信瑜 , PAN, HSIN-YU , 許森貴 , HSU, SEN-KUEI
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768
摘要：一種半導體封裝包括晶粒、保護層、多個第一導電性通孔、多個第二導電性通孔、多個導熱性通孔以及連接圖案。所述晶粒包括多個第一接墊及多個第二接墊。所述保護層設置在所述晶粒上。所述多個第一導電性通孔及所述多個第二導電性通孔延伸穿過所述保護層並分別接觸所述第一接墊及所述第二接墊。所述多個導熱性通孔設置在所述保護層之上。所述導熱性通孔中的每一個與所述第一導電性通孔及所述第二導電性通孔間隔開。所述連接圖案設置在所述保護層上且連接所述第一導電性通孔及所述導熱性通孔。所述導熱性通孔透過所述連接圖案及所述第一導電性通孔連接到所述第一接墊。
简体摘要：一种半导体封装包括晶粒、保护层、多个第一导电性通孔、多个第二导电性通孔、多个导热性通孔以及连接图案。所述晶粒包括多个第一接垫及多个第二接垫。所述保护层设置在所述晶粒上。所述多个第一导电性通孔及所述多个第二导电性通孔延伸穿过所述保护层并分别接触所述第一接垫及所述第二接垫。所述多个导热性通孔设置在所述保护层之上。所述导热性通孔中的每一个与所述第一导电性通孔及所述第二导电性通孔间隔开。所述连接图案设置在所述保护层上且连接所述第一导电性通孔及所述导热性通孔。所述导热性通孔透过所述连接图案及所述第一导电性通孔连接到所述第一接垫。

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