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1. 发明专利

TW201724361A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201724361A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105136807
申请日：2016-11-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：潘信瑜 , PAN, HSIN-YU , 普翰屏 , PU, HAN-PING , 曹佩華 , TSAO, PEI-HAW , 徐語晨 , HSU, YU-CHEN
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L23/585 , H01L21/563 , H01L23/3171 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/17 , H01L2224/02373 , H01L2224/0401 , H01L2224/06133
摘要：一種半導體裝置，其包含半導體基底及所述半導體基底上方的內連線結構。所述內連線結構包含功能電路區域及藉由緩衝區與所述功能電路區域間隔開的封環的第一部分。所述裝置亦包含所述內連線結構上方的鈍化層及在所述鈍化層上方且連接所述封環的所述第一部分的所述封環的第二部分。所述封環的所述第二部分設置於所述緩衝區中。
简体摘要：一种半导体设备，其包含半导体基底及所述半导体基底上方的内连接结构。所述内连接结构包含功能电路区域及借由缓冲区与所述功能电路区域间隔开的封环的第一部分。所述设备亦包含所述内连接结构上方的钝化层及在所述钝化层上方且连接所述封环的所述第一部分的所述封环的第二部分。所述封环的所述第二部分设置于所述缓冲区中。

2. 发明专利

TW201532216A 封裝結構及其形成方法审中-公开
简体标题：封装结构及其形成方法
公开(公告)号：TW201532216A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103145296
申请日：2014-12-24
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：何冠霖 , HO, KUANLIN , 邱聖翔 , CHIU, SHENGHSIANG , 潘信瑜 , PAN, HSINYU , 劉育志 , LIU, YUCHIH , 陳衿良 , CHEN, CHINLIANG
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： H01L23/433 , H01L21/4803 , H01L21/563 , H01L23/04 , H01L23/3675 , H01L23/3737 , H01L23/562 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/83385 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
摘要：敘述以蓋體覆蓋裝置晶粒，以增進晶粒封裝之散熱之多個實施方式。多個溝槽形成於蓋體之底側上，以增加用於散熱的表面積。敘述蓋體上的溝槽的多個實施方式。溝槽的佈局與設計可以優化，以達成裝置晶粒的散熱需求。藉由使用具有溝槽的蓋體，改善散熱效率並降低熱介面材料的用量。此外，還拓展用於蓋體的熱介面材料的選擇。
简体摘要：叙述以盖体覆盖设备晶粒，以增进晶粒封装之散热之多个实施方式。多个沟槽形成于盖体之底侧上，以增加用于散热的表面积。叙述盖体上的沟槽的多个实施方式。沟槽的布局与设计可以优化，以达成设备晶粒的散热需求。借由使用具有沟槽的盖体，改善散热效率并降低热界面材料的用量。此外，还拓展用于盖体的热界面材料的选择。

3. 发明专利

TW201813040A 半導體裝置結構审中-公开
简体标题：半导体设备结构
公开(公告)号：TW201813040A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106117373
申请日：2017-05-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張守仁 , CHANG, SHOU ZEN , 黃啟銘 , HUANG, CHI MING , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 許森貴 , HSU, SEN KUEI , 普翰屏 , PU, HAN PING , 潘信瑜 , PAN, HSIN YU , 萬厚德 , WAN, ALBERT
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L25/065 , H01L21/48 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/5382 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2225/06537 , H01L2225/06555
摘要：一種半導體裝置結構包括一第一裝置。半導體裝置結構包括一導電部件位於第一裝置上方。半導體裝置結構包括一導電遮蔽層位於第一裝置與導電部件之間。導電遮蔽層具有複數個開口，且開口的最大寬度小於第一裝置所產生的能量的波長。
简体摘要：一种半导体设备结构包括一第一设备。半导体设备结构包括一导电部件位于第一设备上方。半导体设备结构包括一导电屏蔽层位于第一设备与导电部件之间。导电屏蔽层具有复数个开口，且开口的最大宽度小于第一设备所产生的能量的波长。

4. 发明专利

TWI436459B 用以冷卻積體電路晶片之熱電結構有权
简体标题：用以冷却集成电路芯片之热电结构
公开(公告)号：TWI436459B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW098133953
申请日：2009-10-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張仕承 , CHANG, SHIH CHENG , 潘信瑜 , PAN, HSIN YU
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/38 , H01L2924/0002 , Y10S257/93 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201911434A 半導體裝置及半導體封裝审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体封装
公开(公告)号：TW201911434A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106130580
申请日：2017-09-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：莊立樸 , CHUANG, LIPU KRIS , 普翰屏 , PU, HAN-PING , 潘信瑜 , PAN, HSIN-YU , 許森貴 , HSU, SEN-KUEI
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768
摘要：一種半導體封裝包括晶粒、保護層、多個第一導電性通孔、多個第二導電性通孔、多個導熱性通孔以及連接圖案。所述晶粒包括多個第一接墊及多個第二接墊。所述保護層設置在所述晶粒上。所述多個第一導電性通孔及所述多個第二導電性通孔延伸穿過所述保護層並分別接觸所述第一接墊及所述第二接墊。所述多個導熱性通孔設置在所述保護層之上。所述導熱性通孔中的每一個與所述第一導電性通孔及所述第二導電性通孔間隔開。所述連接圖案設置在所述保護層上且連接所述第一導電性通孔及所述導熱性通孔。所述導熱性通孔透過所述連接圖案及所述第一導電性通孔連接到所述第一接墊。
简体摘要：一种半导体封装包括晶粒、保护层、多个第一导电性通孔、多个第二导电性通孔、多个导热性通孔以及连接图案。所述晶粒包括多个第一接垫及多个第二接垫。所述保护层设置在所述晶粒上。所述多个第一导电性通孔及所述多个第二导电性通孔延伸穿过所述保护层并分别接触所述第一接垫及所述第二接垫。所述多个导热性通孔设置在所述保护层之上。所述导热性通孔中的每一个与所述第一导电性通孔及所述第二导电性通孔间隔开。所述连接图案设置在所述保护层上且连接所述第一导电性通孔及所述导热性通孔。所述导热性通孔透过所述连接图案及所述第一导电性通孔连接到所述第一接垫。

7. 发明专利

TW201025526A 用以冷卻積體電路晶片之熱電結構 THERMOELECTRIC COOLER FOR FLIP-CHIP SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
简体标题：用以冷却集成电路芯片之热电结构 THERMOELECTRIC COOLER FOR FLIP-CHIP SEMICONDUCTOR DEVICES
公开(公告)号：TW201025526A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW098133953
申请日：2009-10-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：張仕承 , 潘信瑜
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/38 , H01L2924/0002 , Y10S257/93 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種用以冷卻積體電路(IC)晶片之熱電結構(thermoelectric structure),該熱電結構包含一第一型態之超晶格層及一第二型態之超晶格層,該第一型態之超晶格層形成於IC晶片頂部,並且被連接至一第一電壓,及,該第二型態之超晶格層形成於IC晶片底部,並且被連接至一第二電壓,第二電壓不同於第一電壓,其中一電源電流流經第一及第二型態之超晶格層,以冷卻IC晶片。
简体摘要：本发明揭示一种用以冷却集成电路(IC)芯片之热电结构(thermoelectric structure),该热电结构包含一第一型态之超晶格层及一第二型态之超晶格层,该第一型态之超晶格层形成于IC芯片顶部,并且被连接至一第一电压,及,该第二型态之超晶格层形成于IC芯片底部,并且被连接至一第二电压,第二电压不同于第一电压,其中一电源电流流经第一及第二型态之超晶格层,以冷却IC芯片。

8. 发明专利

TWI328277B 堆疊結構及其製造方法 STACKED STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME 有权
简体标题：堆栈结构及其制造方法 STACKED STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TWI328277B
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW096105458
申请日：2007-02-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：趙智傑 , 袁從棣 , 潘信瑜 , 陳金 , 彭邁杉 , 郭祖寬
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要：一種堆疊結構，包括：一第一晶片，耦接於一第一基板，該第一晶片包括穿透該第一晶片之一第一導電結構；一第二晶片，安裝於該第一晶片上，該第二晶片經由該第一導電結構而耦接該第一基板；至少一第一支撐結構，由形成於該第一基板上之一第二基板所製成，該第一支撐結構至少鄰近該第一晶片與該第二晶片其中之一，該第一支撐結構之一頂面大體與其鄰近之該第一晶片與第二晶片其中之一共平面；以及一散熱片，安裝於該第二晶片上。
简体摘要：一种堆栈结构，包括：一第一芯片，耦接于一第一基板，该第一芯片包括穿透该第一芯片之一第一导电结构；一第二芯片，安装于该第一芯片上，该第二芯片经由该第一导电结构而耦接该第一基板；至少一第一支撑结构，由形成于该第一基板上之一第二基板所制成，该第一支撑结构至少邻近该第一芯片与该第二芯片其中之一，该第一支撑结构之一顶面大体与其邻近之该第一芯片与第二芯片其中之一共平面；以及一散热片，安装于该第二芯片上。

9. 发明专利

TWI319907B 散熱裝置、積體電路的封裝體及其製作方法 HEAT SINK, INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE AND THE METHOD OF FABRICATING THEREOF 有权
简体标题：散热设备、集成电路的封装体及其制作方法 HEAT SINK, INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE AND THE METHOD OF FABRICATING THEREOF
公开(公告)号：TWI319907B
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：TW095142556
申请日：2006-11-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：曹佩華 , 潘信瑜
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/467 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311
摘要：本發明提供一種從積體電路中驅散熱的散熱裝置、積體電路封裝體及其製作方法。其中上述散熱裝置，包含一熱傳導材料，具有大致上平坦的一外形，其中該熱傳導材料適用於容置一積體電路晶片於該散熱裝置的一底部表面，且適用於與該積體電路晶片熱連接。此散熱裝置具有多數鰭片，延伸至該散熱裝置的一頂部表面或上方，以及多數狹縫，提供流體流動於該散熱裝置的頂部表面與底部表面之間。上述多數狹縫設置在散熱裝置下方、積體電路及其附近構件的周圍提供空氣循環，以增加驅散熱的能力。 A heat sink is presented for dissipating heat from an integrated circuit (IC). The heat sink is made of a heat conductive material having a generally planar shape and adapted to receive an IC chip on a bottom surface and adapted to be in thermal connection with the IC chip. The heat sink has a plurality of fins extending from and above a top surface of the heat sink and a plurality of slots providing fluid communication between the top surface and the bottom surface. The plurality of slots allow for air circulation below the heat sink and around the IC and other proximate components to increase heat dissipation. 【創作特點】有鑑於此，本發明之一目的係以消除習知技藝的缺陷，且提供一種適用於積體電路封裝體的散熱裝置，其中上述散熱裝置包含一熱傳導材料，具有大致上平坦的外形，其中該熱傳導材料適用於容置一積體電路晶片於該散熱裝置的一底部表面，且適用於與該積體電路晶片熱連接。此散熱裝置更包含多數個鰭片，延伸至該散熱裝置的一頂部表面或上方，以及多數個狹縫，提供流體流動於該頂部表面與底部表面之間。
本發明之另一目的係提供一種積體電路的封裝體，包含一基材，一積體電路晶片，設於該基材上，且一散熱裝置熱連接於該積體電路晶片。其中上述散熱裝置包含多數個鰭片，且多數個流體通路介於該散熱裝置的一頂部表面與一底部表面之間。上述積體電路的封裝體更包含一風扇，用於從散熱裝置的該頂部表面推進該些流體至該底部表面。
本發明之再一目的係提供一種積體電路封裝體的製作方法，其製作方法可增加該積體電路封裝體的散熱能力，其中該積體電路封裝體包括一基材，一積體電路晶片，設於該基材上，以及一散熱裝置，熱連接於該積體電路晶片，且該散熱裝置包含多數個鰭片。上述製造方法包括形成多數個流體通路介於該散熱裝置的一頂部表面與該散熱裝置的一底部表面之間的步驟，藉此增加散熱能力。
該領域技藝者在閱讀本發明之申請專利範圍、附圖及接下來較佳之具體實施例的詳細說明，將可立即了解本發明的上述及其它目的及優點。
简体摘要：本发明提供一种从集成电路中驱散热的散热设备、集成电路封装体及其制作方法。其中上述散热设备，包含一热传导材料，具有大致上平坦的一外形，其中该热传导材料适用于容置一集成电路芯片于该散热设备的一底部表面，且适用于与该集成电路芯片热连接。此散热设备具有多数鳍片，延伸至该散热设备的一顶部表面或上方，以及多数狭缝，提供流体流动于该散热设备的顶部表面与底部表面之间。上述多数狭缝设置在散热设备下方、集成电路及其附近构件的周围提供空气循环，以增加驱散热的能力。 A heat sink is presented for dissipating heat from an integrated circuit (IC). The heat sink is made of a heat conductive material having a generally planar shape and adapted to receive an IC chip on a bottom surface and adapted to be in thermal connection with the IC chip. The heat sink has a plurality of fins extending from and above a top surface of the heat sink and a plurality of slots providing fluid communication between the top surface and the bottom surface. The plurality of slots allow for air circulation below the heat sink and around the IC and other proximate components to increase heat dissipation. 【创作特点】有鉴于此，本发明之一目的系以消除习知技艺的缺陷，且提供一种适用于集成电路封装体的散热设备，其中上述散热设备包含一热传导材料，具有大致上平坦的外形，其中该热传导材料适用于容置一集成电路芯片于该散热设备的一底部表面，且适用于与该集成电路芯片热连接。此散热设备更包含多数个鳍片，延伸至该散热设备的一顶部表面或上方，以及多数个狭缝，提供流体流动于该顶部表面与底部表面之间。本发明之另一目的系提供一种集成电路的封装体，包含一基材，一集成电路芯片，设于该基材上，且一散热设备热连接于该集成电路芯片。其中上述散热设备包含多数个鳍片，且多数个流体通路介于该散热设备的一顶部表面与一底部表面之间。上述集成电路的封装体更包含一风扇，用于从散热设备的该顶部表面推进该些流体至该底部表面。本发明之再一目的系提供一种集成电路封装体的制作方法，其制作方法可增加该集成电路封装体的散热能力，其中该集成电路封装体包括一基材，一集成电路芯片，设于该基材上，以及一散热设备，热连接于该集成电路芯片，且该散热设备包含多数个鳍片。上述制造方法包括形成多数个流体通路介于该散热设备的一顶部表面与该散热设备的一底部表面之间的步骤，借此增加散热能力。该领域技艺者在阅读本发明之申请专利范围、附图及接下来较佳之具体实施例的详细说明，将可立即了解本发明的上述及其它目的及优点。

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