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1. 发明专利

TW201813022A 積體扇出型封裝件审中-公开
简体标题：积体扇出型封装件
公开(公告)号：TW201813022A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105140174
申请日：2016-12-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：邱銘彥 , CHIU, MING-YEN , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/52 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058
摘要：一種積體扇出型封裝件，其包括晶粒貼合膜、積體電路元件、絕緣包封體及重佈線路結構。積體電路元件配置於晶粒貼合膜上且包括多個導電端子。晶粒貼合膜包括升高的邊緣，升高的邊緣朝積體電路元件的側壁凸起。絕緣包封體包覆升高的邊緣及積體電路元件。重佈線路結構配置於積體電路元件及絕緣包封體上，且重佈線路結構電連接至積體電路元件的導電端子。還提供一種製作積體扇出型封裝件的方法。
简体摘要：一种积体扇出型封装件，其包括晶粒贴合膜、集成电路组件、绝缘包封体及重布线路结构。集成电路组件配置于晶粒贴合膜上且包括多个导电端子。晶粒贴合膜包括升高的边缘，升高的边缘朝集成电路组件的侧壁凸起。绝缘包封体包覆升高的边缘及集成电路组件。重布线路结构配置于集成电路组件及绝缘包封体上，且重布线路结构电连接至集成电路组件的导电端子。还提供一种制作积体扇出型封装件的方法。

2. 发明专利

TW201742203A 整合扇出型封裝及其製造方法审中-公开
简体标题：集成扇出型封装及其制造方法
公开(公告)号：TW201742203A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105124753
申请日：2016-08-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：邱銘彥 , CHIU, MING-YEN , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
IPC分类号： H01L23/31
CPC分类号： H01L24/14 , H01L21/31053 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76885 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/06 , H01L24/20 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2224/0231 , H01L2224/0237 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/059 , H01L2924/06 , H01L2924/07025 , H01L2924/14 , H01L2224/03 , H01L2924/014
摘要：一種整合扇出型封裝，其包括積體電路、絕緣包封體、多個導電通孔以及重配置線路結構。積體電路包括多個導電端子。絕緣包封體包覆積體電路的側壁。導電通孔貫穿絕緣包封體。重配置線路結構被配置於積體電路、導電通孔以及絕緣包封體上。重配置線路結構電性連接導電端子以及導電通孔。導電端子的多個第一接觸表面以及導電通孔的多個第二接觸表面與重配置線路結構接觸，且第一接觸表面以及第二接觸表面的粗糙度介於100埃到500埃之間。本發明實施例亦提供形成整合扇出型封裝的方法。
简体摘要：一种集成扇出型封装，其包括集成电路、绝缘包封体、多个导电通孔以及重配置线路结构。集成电路包括多个导电端子。绝缘包封体包覆集成电路的侧壁。导电通孔贯穿绝缘包封体。重配置线路结构被配置于集成电路、导电通孔以及绝缘包封体上。重配置线路结构电性连接导电端子以及导电通孔。导电端子的多个第一接触表面以及导电通孔的多个第二接触表面与重配置线路结构接触，且第一接触表面以及第二接触表面的粗糙度介于100埃到500埃之间。本发明实施例亦提供形成集成扇出型封装的方法。

3. 发明专利

TW201740443A 封裝體及其形成方法审中-公开
简体标题：封装体及其形成方法
公开(公告)号：TW201740443A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106109466
申请日：2017-03-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：邱銘彥 , CHIU, MING-YEN , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/50
CPC分类号： H01L23/3107 , H01L21/31053 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76895 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/1032 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19102 , H01L2224/214
摘要：一種封裝體的形成方法包括：形成覆蓋晶圓中的金屬通孔的聚合物層；對所述晶圓開槽，以形成溝槽，所述溝槽從所述聚合物層的頂表面延伸至所述晶圓中；以及在所述晶圓上執行晶粒切割，以將所述晶圓分割為多個元件晶粒。切口穿過所述溝槽。將所述元件晶粒中的一者放置在載體上方。將包封材料施配在所述元件晶粒上方和周圍。所述方法更包括按壓和固化所述包封材料。在所述包封材料固化之後，所述聚合物層的側壁傾斜。對所述包封材料執行平坦化至所述聚合物層和所述金屬通孔暴露出來。將重分佈線形成在所述金屬通孔上方且電耦合至所述金屬通孔。
简体摘要：一种封装体的形成方法包括：形成覆盖晶圆中的金属通孔的聚合物层；对所述晶圆开槽，以形成沟槽，所述沟槽从所述聚合物层的顶表面延伸至所述晶圆中；以及在所述晶圆上运行晶粒切割，以将所述晶圆分割为多个组件晶粒。切口穿过所述沟槽。将所述组件晶粒中的一者放置在载体上方。将包封材料施配在所述组件晶粒上方和周围。所述方法更包括按压和固化所述包封材料。在所述包封材料固化之后，所述聚合物层的侧壁倾斜。对所述包封材料运行平坦化至所述聚合物层和所述金属通孔暴露出来。将重分布线形成在所述金属通孔上方且电耦合至所述金属通孔。

4. 发明专利

TWI650807B 封裝體及其形成方法有权
简体标题：封装体及其形成方法
公开(公告)号：TWI650807B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106109466
申请日：2017-03-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：邱銘彥 , CHIU, MING-YEN , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/50

5. 发明专利

TW201742081A 導電圖案审中-公开
简体标题：导电图案
公开(公告)号：TW201742081A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106101345
申请日：2017-01-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：邱銘彥 , CHIU, MING-YEN , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 邱建嘉 , CHIU, CHIEN-CHIA , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH , 林宗澍 , LIN, TSUNG-SHU , 余佩弟 , YU, PEI-TI
IPC分类号： H01B5/14
CPC分类号： H01L23/5386 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311
摘要：一種導電圖案，其包括：導電墊，包括圓形墊部及連接至圓形墊部的第一收斂部，第一收斂部具有一對不平行的第一邊緣，不平行的第一邊緣界定第一錐度角，且不平行的第一邊緣由圓形墊部的一對不平行的第一切線界定；以及緩衝延伸部，連接至導電墊的第一收斂部，緩衝延伸部至少包括具有一對不平行的第二邊緣的第二收斂部，不平行的第二邊緣界定第二錐度角，第一錐度角大於或等於第二錐度角。
简体摘要：一种导电图案，其包括：导电垫，包括圆形垫部及连接至圆形垫部的第一收敛部，第一收敛部具有一对不平行的第一边缘，不平行的第一边缘界定第一锥度角，且不平行的第一边缘由圆形垫部的一对不平行的第一切线界定；以及缓冲延伸部，连接至导电垫的第一收敛部，缓冲延伸部至少包括具有一对不平行的第二边缘的第二收敛部，不平行的第二边缘界定第二锥度角，第一锥度角大于或等于第二锥度角。

6. 发明专利

TW201804576A 整合扇出型封裝审中-公开
简体标题：集成扇出型封装
公开(公告)号：TW201804576A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105132992
申请日：2016-10-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：邱銘彥 , CHIU, MING-YEN , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L23/3114 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/66 , H01L28/10 , H01L2223/6677 , H01L2224/18 , H01L2224/97
摘要：一種整合扇出型封裝，其包括積體電路、絕緣包封體以及重配置線路結構。積體電路包括天線區域。絕緣包封體包覆積體電路。重配置線路結構配置於積體電路與絕緣包封體上。重配置線路結構與積體電路電性連接，並且重配置線路結構包括覆蓋積體電路的天線區域的無走線介電部分。
简体摘要：一种集成扇出型封装，其包括集成电路、绝缘包封体以及重配置线路结构。集成电路包括天线区域。绝缘包封体包覆集成电路。重配置线路结构配置于集成电路与绝缘包封体上。重配置线路结构与集成电路电性连接，并且重配置线路结构包括覆盖集成电路的天线区域的无走线介电部分。

7. 发明专利

TW201814850A 封裝結構及其形成方法审中-公开
简体标题：封装结构及其形成方法
公开(公告)号：TW201814850A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106113308
申请日：2017-04-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：鄭錫圭 , CHENG, HSI-KUEI , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 韓至剛 , HAN, CHIH-KANG , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/105 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2221/68331 , H01L2221/68359 , H01L2225/0651 , H01L2225/0652 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06572 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1076
摘要：一實施例係一種結構，其包含：一第一封裝，其包含一第一晶粒及至少側向囊封該第一晶粒之一模塑料；一第二封裝，其使用一第一組導電連接器接合至該第一封裝，該第二封裝包括一第二晶粒；及一底膠填充，其在該第一封裝與該第二封裝之間且圍繞該第一組導電連接器，該底膠填充具有沿著該第二封裝之一側壁向上延伸之一第一部分，該第一部分具有一第一側壁，該第一側壁具有一彎曲部分及一平坦部分。
简体摘要：一实施例系一种结构，其包含：一第一封装，其包含一第一晶粒及至少侧向囊封该第一晶粒之一模塑料；一第二封装，其使用一第一组导电连接器接合至该第一封装，该第二封装包括一第二晶粒；及一底胶填充，其在该第一封装与该第二封装之间且围绕该第一组导电连接器，该底胶填充具有沿着该第二封装之一侧壁向上延伸之一第一部分，该第一部分具有一第一侧壁，该第一侧壁具有一弯曲部分及一平坦部分。

8. 发明专利

TWI685927B 封裝結構及其形成方法有权
简体标题：封装结构及其形成方法
公开(公告)号：TWI685927B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW106113308
申请日：2017-04-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：鄭錫圭 , CHENG, HSI-KUEI , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 韓至剛 , HAN, CHIH-KANG , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/48

9. 发明专利

TW201826408A 具有相反輪廓銅柱的整合扇出結構审中-公开
简体标题：具有相反轮廓铜柱的集成扇出结构
公开(公告)号：TW201826408A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106122249
申请日：2017-07-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：鄭錫圭 , CHENG, HSI-KUEI , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 韓至剛 , HAN, CHIH-KANG , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/48
摘要：本發明實施例係關於一種方法，其包含：形成一第一聚合物層以覆蓋一晶圓之一金屬墊；及圖案化該第一聚合物層以形成一第一開口。暴露於該第一開口之該第一聚合物層之一第一側壁具有一第一傾斜角，其中該第一側壁與該金屬墊接觸。該方法進一步包含：在該第一開口中形成一金屬柱；切割該晶圓以產生一裝置晶粒；將該裝置晶粒囊封於一囊封材料中；執行一平坦化以顯露該金屬柱；在該囊封材料及該裝置晶粒上方形成一第二聚合物層；及圖案化該第二聚合物層以形成一第二開口。透過該第二開口暴露該金屬柱。暴露於該第二開口之該第二聚合物層之一第二側壁具有大於該第一傾斜角之一第二傾斜角。
简体摘要：本发明实施例系关于一种方法，其包含：形成一第一聚合物层以覆盖一晶圆之一金属垫；及图案化该第一聚合物层以形成一第一开口。暴露于该第一开口之该第一聚合物层之一第一侧壁具有一第一倾斜角，其中该第一侧壁与该金属垫接触。该方法进一步包含：在该第一开口中形成一金属柱；切割该晶圆以产生一设备晶粒；将该设备晶粒囊封于一囊封材料中；运行一平坦化以显露该金属柱；在该囊封材料及该设备晶粒上方形成一第二聚合物层；及图案化该第二聚合物层以形成一第二开口。透过该第二开口暴露该金属柱。暴露于该第二开口之该第二聚合物层之一第二侧壁具有大于该第一倾斜角之一第二倾斜角。

10. 发明专利

TW201824469A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201824469A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106113154
申请日：2017-04-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：鄭錫圭 , CHENG, HSI-KUEI , 韓至剛 , HAN, CHIH-KANG , 張兢夫 , CHANG, CHING-FU , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/522
摘要：一種半導體結構包含：一基板；一晶粒，其放置於該基板上方且包含一晶粒墊、放置於該晶粒墊上方之一導電通路及環繞該導電通路之一介電材料；一模塑物，其放置於該基板上方且環繞該晶粒；一下部介電層，其較接近該基板而放置且放置於該介電材料及該模塑物上方；及一上部介電層，其較遠離該基板而放置且放置於該下部介電層上方，其中該上部介電層中之一材料含量比率實質上大於該下部介電層中之材料含量比率，且該材料含量比率實質上反向影響該上部介電層及該下部介電層之一機械強度。
简体摘要：一种半导体结构包含：一基板；一晶粒，其放置于该基板上方且包含一晶粒垫、放置于该晶粒垫上方之一导电通路及环绕该导电通路之一介电材料；一模塑物，其放置于该基板上方且环绕该晶粒；一下部介电层，其较接近该基板而放置且放置于该介电材料及该模塑物上方；及一上部介电层，其较远离该基板而放置且放置于该下部介电层上方，其中该上部介电层中之一材料含量比率实质上大于该下部介电层中之材料含量比率，且该材料含量比率实质上反向影响该上部介电层及该下部介电层之一机械强度。

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