专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201730935A 積體電路审中-公开
简体标题：集成电路
公开(公告)号：TW201730935A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105138166
申请日：2016-11-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI FENG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/321 , H01L21/3213 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L21/28282 , H01L21/32115 , H01L21/32139 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L29/42344 , H01L29/42376 , H01L29/4916 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/6656
摘要：本發明實施例提供一種積體電路，其包括高介電常數金屬閘極非揮發性記憶體裝置並提供小尺寸及高效能。在一些實施例中，積體電路包括具有邏輯裝置的邏輯區及鄰近邏輯區安置的嵌入式記憶體區，邏輯裝置安置於基底之上且包括安置於第一高介電常數閘極介電層之上的金屬閘極。嵌入式記憶體區具有包括選擇閘極及控制閘極的分離式閘極快閃記憶胞。控制閘極或選擇閘極是藉由第二高介電常數閘極介電層而與基底隔開的金屬閘極。藉由在邏輯區及記憶體區二者中具有高介電常數金屬閘極結構，可能在新興技術節點中提高積體電路效能且進一步按比例縮小。
简体摘要：本发明实施例提供一种集成电路，其包括高介电常数金属闸极非挥发性内存设备并提供小尺寸及高性能。在一些实施例中，集成电路包括具有逻辑设备的逻辑区及邻近逻辑区安置的嵌入式内存区，逻辑设备安置于基底之上且包括安置于第一高介电常数闸极介电层之上的金属闸极。嵌入式内存区具有包括选择闸极及控制闸极的分离式闸极快闪记忆胞。控制闸极或选择闸极是借由第二高介电常数闸极介电层而与基底隔开的金属闸极。借由在逻辑区及内存区二者中具有高介电常数金属闸极结构，可能在新兴技术节点中提高集成电路性能且进一步按比例缩小。

2. 发明专利

TWI700782B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI700782B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW106135973
申请日：2017-10-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/115

3. 发明专利

TW201724216A 積體電路审中-公开
简体标题：集成电路
公开(公告)号：TW201724216A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105138163
申请日：2016-11-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L21/28282 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L29/42344 , H01L29/42348 , H01L29/42376 , H01L29/45 , H01L29/4916 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66568 , H01L29/66833
摘要：本發明實施例提供一種積體電路，所述積體電路包括高介電常數金屬閘極非揮發性記憶體裝置並提供小尺寸及高效能。在一些實施例中，積體電路包括邏輯區及鄰近邏輯區安置的嵌入式記憶體區。邏輯區具有邏輯裝置，所述邏輯裝置安置於基底之上且包括安置於第一高介電常數閘極介電層之上的第一金屬閘極。記憶體區具有非揮發性記憶體裝置，所述非揮發性記憶體裝置包括安置於第二高介電常數閘極介電層之上的第二金屬閘極。藉由在邏輯區及記憶體區二者中具有高介電常數金屬閘極結構，在新興技術節點中積體電路效能被提高且進一步按比例縮小成為可能。
简体摘要：本发明实施例提供一种集成电路，所述集成电路包括高介电常数金属闸极非挥发性内存设备并提供小尺寸及高性能。在一些实施例中，集成电路包括逻辑区及邻近逻辑区安置的嵌入式内存区。逻辑区具有逻辑设备，所述逻辑设备安置于基底之上且包括安置于第一高介电常数闸极介电层之上的第一金属闸极。内存区具有非挥发性内存设备，所述非挥发性内存设备包括安置于第二高介电常数闸极介电层之上的第二金属闸极。借由在逻辑区及内存区二者中具有高介电常数金属闸极结构，在新兴技术节点中集成电路性能被提高且进一步按比例缩小成为可能。

4. 发明专利

TWI682457B 用於形成積體電路的方法和積體電路有权
简体标题：用于形成集成电路的方法和集成电路
公开(公告)号：TWI682457B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW108104852
申请日：2019-02-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄧立峯 , TENG, LI FENG , 吳偉成 , WU, WEI CHENG
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/324

5. 发明专利

TW201830666A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201830666A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106128488
申请日：2017-08-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG
IPC分类号： H01L27/115
摘要：一種半導體裝置包括非揮發性記憶體。所述非揮發性記憶體包括：第一介電層，設置於基底上；浮置閘極，設置於所述介電層上；控制閘極。第二介電層設置於所述浮置閘極與所述控制閘極之間，且具有氮化矽層、氧化矽層及其多層中的一者。第三介電層設置於所述第二介電層與所述控制閘極之間，且包含介電常數比氮化矽高的介電材料。
简体摘要：一种半导体设备包括非挥发性内存。所述非挥发性内存包括：第一介电层，设置于基底上；浮置闸极，设置于所述介电层上；控制闸极。第二介电层设置于所述浮置闸极与所述控制闸极之间，且具有氮化硅层、氧化硅层及其多层中的一者。第三介电层设置于所述第二介电层与所述控制闸极之间，且包含介电常数比氮化硅高的介电材料。

6. 发明专利

TWI663712B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI663712B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106128488
申请日：2017-08-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG
IPC分类号： H01L27/115

7. 发明专利

TW201919205A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201919205A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107137828
申请日：2018-10-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 邱德馨 , CHIU, TE-HSIN , 吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG , 張健宏 , CHANG, CHIEN-HUNG
IPC分类号： H01L27/115 , B24B37/10
CPC分类号： H01L27/11286 , H01L21/76229 , H01L21/765 , H01L23/562 , H01L27/11524 , H01L27/11534 , H01L27/11546 , H01L29/0649 , H01L29/40114 , H01L29/404 , H01L29/66825
摘要：提供一種半導體結構，包括半導體基底及至少一個圖案化的介電層。半導體基底包括半導體部分、至少一個第一元件、至少一個第二元件與至少一個第一虛設環。至少一個第一元件設置於被半導體部分環繞的第一區。至少一個第二元件與至少一個第一虛設環設置於第二區上，且第二區環繞第一區。至少一個圖案化的介電層覆蓋半導體基底。
简体摘要：提供一种半导体结构，包括半导体基底及至少一个图案化的介电层。半导体基底包括半导体部分、至少一个第一组件、至少一个第二组件与至少一个第一虚设环。至少一个第一组件设置于被半导体部分环绕的第一区。至少一个第二组件与至少一个第一虚设环设置于第二区上，且第二区环绕第一区。至少一个图案化的介电层覆盖半导体基底。

8. 发明专利

TWI690059B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI690059B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107137828
申请日：2018-10-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林孟漢 , LIN, MENG-HAN , 邱德馨 , CHIU, TE-HSIN , 吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG , 張健宏 , CHANG, CHIEN-HUNG
IPC分类号： H01L27/115 , B24B37/10

9. 发明专利

TWI653638B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI653638B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106128638
申请日：2017-08-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG
IPC分类号： G11C7/12 , G11C7/22

10. 发明专利

TW201826265A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201826265A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106128638
申请日：2017-08-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳偉成 , WU, WEI-CHENG , 鄧立峯 , TENG, LI-FENG
IPC分类号： G11C7/12 , G11C7/22
摘要：一種半導體裝置包括非揮發性記憶體。所述非揮發性記憶體包括：第一介電層，安置於基底上；浮置閘極，安置於所述介電層上；控制閘極；以及第二介電層，安置於所述浮置閘極與所述控制閘極之間。所述第二介電層包括氧化矽層、氮化矽層、及由氧化矽層及氮化矽層形成的多層中的一者。所述第一介電層包括：第一介電層的第一部分，形成於所述基底上；以及第一介電層的第二部分，形成於所述第一介電層的第一部分上。所述第一介電層的第二部分包含具有較氮化矽高的介電常數的介電材料。
简体摘要：一种半导体设备包括非挥发性内存。所述非挥发性内存包括：第一介电层，安置于基底上；浮置闸极，安置于所述介电层上；控制闸极；以及第二介电层，安置于所述浮置闸极与所述控制闸极之间。所述第二介电层包括氧化硅层、氮化硅层、及由氧化硅层及氮化硅层形成的多层中的一者。所述第一介电层包括：第一介电层的第一部分，形成于所述基底上；以及第一介电层的第二部分，形成于所述第一介电层的第一部分上。所述第一介电层的第二部分包含具有较氮化硅高的介电常数的介电材料。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式