会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 6. 发明专利
    • 封裝體及其形成方法
    • 封装体及其形成方法
    • TW202018899A
    • 2020-05-16
    • TW108102516
    • 2019-01-23
    • 台灣積體電路製造股份有限公司TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
    • 余振華YU, CHEN-HUA吳志偉WU, CHIH-WEI盧思維LU, SZU-WEI施應慶SHIH, YING-CHING
    • H01L23/538H01L23/31
    • 一種積體電路封裝體及其形成方法。一種方法包括:將多個積體電路晶粒堆疊於晶圓上以形成晶粒堆疊。對所述晶粒堆疊執行接合製程。所述接合製程將所述晶粒堆疊的多個相鄰的積體電路晶粒機械性及電性連接至彼此。在所述晶圓之上形成擋壩結構。所述擋壩結構環繞所述晶粒堆疊。在所述晶圓之上且在所述晶粒堆疊與所述擋壩結構之間形成第一包封體。所述第一包封體填充所述晶粒堆疊的所述多個相鄰的積體電路晶粒之間的多個間隙。在所述晶圓之上形成第二包封體。所述第二包封體環繞所述晶粒堆疊、所述第一包封體及所述擋壩結構。
    • 一种集成电路封装体及其形成方法。一种方法包括:将多个集成电路晶粒堆栈于晶圆上以形成晶粒堆栈。对所述晶粒堆栈运行接合制程。所述接合制程将所述晶粒堆栈的多个相邻的集成电路晶粒机械性及电性连接至彼此。在所述晶圆之上形成挡坝结构。所述挡坝结构环绕所述晶粒堆栈。在所述晶圆之上且在所述晶粒堆栈与所述挡坝结构之间形成第一包封体。所述第一包封体填充所述晶粒堆栈的所述多个相邻的集成电路晶粒之间的多个间隙。在所述晶圆之上形成第二包封体。所述第二包封体环绕所述晶粒堆栈、所述第一包封体及所述挡坝结构。