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1. 发明专利

TWI697090B 封裝體及其形成方法有权
简体标题：封装体及其形成方法
公开(公告)号：TWI697090B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW108102516
申请日：2019-01-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：余振華 , YU, CHEN-HUA , 吳志偉 , WU, CHIH-WEI , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 施應慶 , SHIH, YING-CHING
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/31

2. 发明专利

TWI688074B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI688074B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107125992
申请日：2018-07-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄒賢儒 , TSOU, HSIEN-JU , 吳志偉 , WU, CHIH-WEI , 林俊成 , LIN, JING-CHENG , 王卜 , WANG, PU , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 施應慶 , SHIH, YING-CHING
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/31

5. 发明专利

TW201523806A 封裝結構及其形成方法审中-公开
简体标题：封装结构及其形成方法
公开(公告)号：TW201523806A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103115923
申请日：2014-05-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：許峰誠 , HSU, FENG CHENG , 盧思維 , LU, SZU WEI , 林俊成 , LIN, JING CHENG
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/02 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L2224/02315 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05024 , H01L2224/12105 , H01L2224/13026 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要：本發明揭露一種封裝結構及其形成方法。在一實施例中，封裝結構可包括一晶粒，包括一主動層側上之一電性焊墊，以及一封膠體，側向圍繞晶粒且延伸於晶粒之主動層側正上方。一導電圖案位於封膠體上，包括位於一開口內之一介層連接窗，其貫穿封膠體到達並接觸電性焊墊。在一些實施例中，一介電層可位於封膠體上，導電圖案可位於介電層上。在其它實施例中，封膠體可為一介電封膠體，導電圖案可鄰接介電封膠體。在一些實施例中，封膠體可為一可光學圖案化材料、一模製化合物或一ABF絕緣膜。上述結構可包括額外介電層及導電圖案。
简体摘要：本发明揭露一种封装结构及其形成方法。在一实施例中，封装结构可包括一晶粒，包括一主动层侧上之一电性焊垫，以及一封胶体，侧向围绕晶粒且延伸于晶粒之主动层侧正上方。一导电图案位于封胶体上，包括位于一开口内之一介层连接窗，其贯穿封胶体到达并接触电性焊垫。在一些实施例中，一介电层可位于封胶体上，导电图案可位于介电层上。在其它实施例中，封胶体可为一介电封胶体，导电图案可邻接介电封胶体。在一些实施例中，封胶体可为一可光学图案化材料、一模制化合物或一ABF绝缘膜。上述结构可包括额外介电层及导电图案。

6. 发明专利

TW202018899A 封裝體及其形成方法审中-公开
简体标题：封装体及其形成方法
公开(公告)号：TW202018899A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108102516
申请日：2019-01-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：余振華 , YU, CHEN-HUA , 吳志偉 , WU, CHIH-WEI , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 施應慶 , SHIH, YING-CHING
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/31
摘要：一種積體電路封裝體及其形成方法。一種方法包括：將多個積體電路晶粒堆疊於晶圓上以形成晶粒堆疊。對所述晶粒堆疊執行接合製程。所述接合製程將所述晶粒堆疊的多個相鄰的積體電路晶粒機械性及電性連接至彼此。在所述晶圓之上形成擋壩結構。所述擋壩結構環繞所述晶粒堆疊。在所述晶圓之上且在所述晶粒堆疊與所述擋壩結構之間形成第一包封體。所述第一包封體填充所述晶粒堆疊的所述多個相鄰的積體電路晶粒之間的多個間隙。在所述晶圓之上形成第二包封體。所述第二包封體環繞所述晶粒堆疊、所述第一包封體及所述擋壩結構。
简体摘要：一种集成电路封装体及其形成方法。一种方法包括：将多个集成电路晶粒堆栈于晶圆上以形成晶粒堆栈。对所述晶粒堆栈运行接合制程。所述接合制程将所述晶粒堆栈的多个相邻的集成电路晶粒机械性及电性连接至彼此。在所述晶圆之上形成挡坝结构。所述挡坝结构环绕所述晶粒堆栈。在所述晶圆之上且在所述晶粒堆栈与所述挡坝结构之间形成第一包封体。所述第一包封体填充所述晶粒堆栈的所述多个相邻的集成电路晶粒之间的多个间隙。在所述晶圆之上形成第二包封体。所述第二包封体环绕所述晶粒堆栈、所述第一包封体及所述挡坝结构。

7. 发明专利

TWI686877B 封裝方法以及其元件有权
简体标题：封装方法以及其组件
公开(公告)号：TWI686877B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107142835
申请日：2018-11-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林俊成 , LIN, CHUN-CHENG , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 盧思維 , LU, SZU-WEI
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/485 , H01L23/498

8. 发明专利

TWI686635B 光學收發器及其製造方法有权
简体标题：光学收发器及其制造方法
公开(公告)号：TWI686635B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108102480
申请日：2019-01-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳志豪 , CHEN, CHIH-HAO , 高金福 , KAO, CHIN-FU , 鄭禮輝 , CHENG, LI-HUI , 盧思維 , LU, SZU-WEI
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/13 , G02B6/24

9. 发明专利

TW201834086A 封裝結構及其形成方法审中-公开
简体标题：封装结构及其形成方法
公开(公告)号：TW201834086A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106135867
申请日：2017-10-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：余振華 , YU, CHEN-HUA , 胡憲斌 , HU, HSIEN-PIN , 林俊成 , LIN, CHUN-CHENG , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 魏文信 , WEI, WEN-HSIN , 施應慶 , SHIH, YING-CHING , 吳集錫 , WU, CHI-HSI
IPC分类号： H01L21/56 , H01L25/065
摘要：實施例是一種方法，所述方法包括：使用第一電性連接件將第一晶粒貼合至第一組件的第一側；使用第二電性連接件將第二晶粒的第一側貼合至所述第一組件的所述第一側；將虛擬晶粒在所述第一組件的切割道區中貼合至所述第一組件的所述第一側；將蓋體結構黏著至所述第二晶粒的第二側；以及將所述第一組件及所述虛擬晶粒單體化，以形成封裝結構。
简体摘要：实施例是一种方法，所述方法包括：使用第一电性连接件将第一晶粒贴合至第一组件的第一侧；使用第二电性连接件将第二晶粒的第一侧贴合至所述第一组件的所述第一侧；将虚拟晶粒在所述第一组件的切割道区中贴合至所述第一组件的所述第一侧；将盖体结构黏着至所述第二晶粒的第二侧；以及将所述第一组件及所述虚拟晶粒单体化，以形成封装结构。

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