专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202008503A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW202008503A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108121348
申请日：2019-06-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張博欽 , CHANG, PO CHIN , 林立德 , LIN, LI TE , 林斌彥 , LIN, PINYEN
IPC分类号： H01L21/70 , H01L29/06
摘要：一種方法包括以下步驟。在基板上形成沿第一方向延伸的半導體鰭片。在半導體鰭片上形成源極/汲極區域，在源極/汲極區域上方形成第一層間介電層。形成橫跨半導體鰭片並且在實質上垂直於第一方向的第二方向上延伸的閘極堆疊。在第一層間介電層上形成具有第一開口的圖案化遮罩。使用在第一方向上比在第二方向上具有更快沉積速率的沉積製程在第一開口中形成保護層。在形成保護層之後，第一開口在第二方向上延伸。第二開口形成在第一層間介電層中並且在延伸的第一開口下方。在第二開口中形成導電材料。
简体摘要：一种方法包括以下步骤。在基板上形成沿第一方向延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上形成源极/汲极区域，在源极/汲极区域上方形成第一层间介电层。形成横跨半导体鳍片并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上延伸的闸极堆栈。在第一层间介电层上形成具有第一开口的图案化遮罩。使用在第一方向上比在第二方向上具有更快沉积速率的沉积制程在第一开口中形成保护层。在形成保护层之后，第一开口在第二方向上延伸。第二开口形成在第一层间介电层中并且在延伸的第一开口下方。在第二开口中形成导电材料。

2. 发明专利

TWI695430B 半導體製造設備及半導體製造方法有权
简体标题：半导体制造设备及半导体制造方法
公开(公告)号：TWI695430B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107144512
申请日：2018-12-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林含諭 , LIN, HAN YU , 詹易叡 , JHAN, YI RUEI , 李芳葦 , LEE, FANG WEI , 林立德 , LIN, LI TE , 林斌彥 , LIN, PINYEN , 林執中 , LIN, TZE CHUNG
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67

3. 发明专利

TWI676238B 半導體裝置和其製造方法有权
简体标题：半导体设备和其制造方法
公开(公告)号：TWI676238B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW107122992
申请日：2018-07-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：楊建勳 , YANG, DAVID CHAN SYUN , 林立德 , LIN, LI TE , 黃俊瑞 , HUANG, CHUN JUI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/306 , H01L23/52

4. 发明专利

TW201824398A 製造半導體裝置的方法审中-公开
简体标题：制造半导体设备的方法
公开(公告)号：TW201824398A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106137204
申请日：2017-10-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：羅伊辰 , LO, YI CHEN , 林立德 , LIN, LI TE , 黃玉蓮 , HUANG, YU LIEN
IPC分类号： H01L21/336
摘要：一種製造半導體裝置的方法，包括形成閘極電極結構於半導體基板的第一區域之上，和藉由使鹵化物與氧氣反應，選擇性地形成覆蓋閘極電極結構的氧化物層，以增加閘極電極結構的高度。鹵化物可以是四氯化矽，而氧化物層可以是二氧化矽。閘極電極結構可以是虛設閘極電極，其在隨後被移除，並且被另一個閘極電極結構取代。
简体摘要：一种制造半导体设备的方法，包括形成闸极电极结构于半导体基板的第一区域之上，和借由使卤化物与氧气反应，选择性地形成覆盖闸极电极结构的氧化物层，以增加闸极电极结构的高度。卤化物可以是四氯化硅，而氧化物层可以是二氧化硅。闸极电极结构可以是虚设闸极电极，其在随后被移除，并且被另一个闸极电极结构取代。

5. 发明专利

TWI677019B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI677019B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW107134842
申请日：2018-10-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳怡倫 , CHEN, YI LUN , 黃昭憲 , HUANG, CHAO HSIEN , 林立德 , LIN, LI TE , 林群雄 , LIN, CHUN HSIUNG
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/76

6. 发明专利

TWI673779B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI673779B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW107141938
申请日：2018-11-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：詹易叡 , JHAN, YI RUEI , 陳怡倫 , CHEN, YI LUN , 李芳葦 , LEE, FANG WEI , 林含諭 , LIN, HAN YU , 林立德 , LIN, LI TE , 林斌彥 , LIN, PINYEN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3065

7. 发明专利

TW201839818A 積體電路裝置的製造方法审中-公开
简体标题：集成电路设备的制造方法
公开(公告)号：TW201839818A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106141147
申请日：2017-11-27
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：曾晉沅 , TSENG, CHIN YUAN , 林緯良 , LIN, WEI LIANG , 林立德 , LIN, LI TE , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 曹敏 , CAO, MIN
IPC分类号： H01L21/28
摘要：本揭露提供關於某些實施例的方法，上述方法包括：形成一材料層，其具有一鰭狀物結構陣列，其中至少一個鰭狀物結構在一第一側壁具有一第一材料且在上述第二側壁的相反側的一第二側壁具有一第二材料，上述第一材料與上述第二材料不同。上述方法更包括使上述至少一個鰭狀物結構的上述第二側壁曝露；以及移除上述至少一個鰭狀物結構。
简体摘要：本揭露提供关于某些实施例的方法，上述方法包括：形成一材料层，其具有一鳍状物结构数组，其中至少一个鳍状物结构在一第一侧壁具有一第一材料且在上述第二侧壁的相反侧的一第二侧壁具有一第二材料，上述第一材料与上述第二材料不同。上述方法更包括使上述至少一个鳍状物结构的上述第二侧壁曝露；以及移除上述至少一个鳍状物结构。

8. 发明专利

TW441022B 製作半導體之內凹式閘極線路的方法有权
简体标题：制作半导体之内凹式闸极线路的方法
公开(公告)号：TW441022B
公开(公告)日：2001-06-16
申请号：TW089104049
申请日：2000-03-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林立德 , 陶宏遠 , 林煥哲 , 蔡嘉雄
IPC分类号： H01L
摘要：一種形成積體電路線路的方法於此揭露。此積體電路線路包含內連線之導線、閘極、位元線等。形成一犧牲層於一底材的上方，再形成一光阻層於此犧牲層上;以曝光及顯影程序於光阻層上形成積體電路線路的圖案。以此圖案化的光阻層為蝕刻罩幕，用蝕刻法將部分犧牲層蝕刻而形成一溝渠，之後再將光阻層移除。接著，形成一絕緣層於溝渠的兩側壁上，此絕緣層覆蓋兩側壁的部分區域及溝渠底部之鄰近兩側壁的下部;形成一導體層於溝渠內;最後，移除犧牲層。
简体摘要：一种形成集成电路线路的方法于此揭露。此集成电路线路包含内连接之导线、闸极、比特线等。形成一牺牲层于一底材的上方，再形成一光阻层于此牺牲层上;以曝光及显影进程于光阻层上形成集成电路线路的图案。以此图案化的光阻层为蚀刻罩幕，用蚀刻法将部分牺牲层蚀刻而形成一沟渠，之后再将光阻层移除。接着，形成一绝缘层于沟渠的两侧壁上，此绝缘层覆盖两侧壁的部分区域及沟渠底部之邻近两侧壁的下部;形成一导体层于沟渠内;最后，移除牺牲层。

9. 发明专利

TW565901B 用於應力遷移測試之內連線層結構及內連線層之應力遷移測試方法失效
简体标题：用于应力迁移测试之内连接层结构及内连接层之应力迁移测试方法
公开(公告)号：TW565901B
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：TW091119510
申请日：2002-08-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林立德 , 夏勁秋
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種用於應力遷移測試之內連線層結構，藉以量測導線及介層因應力遷移而產生之電阻變化量，該內連線層結構包括一第一及第二導線，位於一第一金屬層；一第三導線，位於一第二金屬層；一第一及第二介層，位於第一及第二金屬層之間，第一介層連接於第一導線之第一端與第三導線之第一端之間，第二介層連接於第二導線之第一端與第三導線之第二端之間，而分別將第一及第二導線電性連接至第三導線；以及一第一、第二、第三及第四銲墊，分別與第三導線之第一、第二端、第一導線之第二端及第二導線之第二端連接。
简体摘要：本发明提供一种用于应力迁移测试之内连接层结构，借以量测导线及介层因应力迁移而产生之电阻变化量，该内连接层结构包括一第一及第二导线，位于一第一金属层；一第三导线，位于一第二金属层；一第一及第二介层，位于第一及第二金属层之间，第一介层连接于第一导线之第一端与第三导线之第一端之间，第二介层连接于第二导线之第一端与第三导线之第二端之间，而分别将第一及第二导线电性连接至第三导线；以及一第一、第二、第三及第四焊垫，分别与第三导线之第一、第二端、第一导线之第二端及第二导线之第二端连接。

10. 发明专利

TWI343508B 微細圖案定義製程中的先進光阻電漿處理方法 IN-SITU PLASMA TREATMENT OF ADVANCED RESISTS IN FINE PATTERN DEFINITION 有权
简体标题：微细图案定义制程中的雪铁龙光阻等离子处理方法 IN-SITU PLASMA TREATMENT OF ADVANCED RESISTS IN FINE PATTERN DEFINITION
公开(公告)号：TWI343508B
公开(公告)日：2011-06-11
申请号：TW095134350
申请日：2006-09-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：林立德 , 王祐藝 , 林煥哲 , 邱遠鴻 , 陶宏遠
IPC分类号： G03F , C23C , H01L
CPC分类号： G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要：揭露一種先進的同步電漿處理方法，用來消除或降低由駐波在光阻罩幕中所引起的條痕現象。此方法包括提供位於底部抗反射層上的光阻罩幕，而底部抗反射層係位於所欲蝕刻的特徵層上。根據光阻罩幕所定義的圖案來蝕刻底部抗反射層以及下方的特徵層。並且在特徵層蝕刻步驟之前所進行的底部抗反射層蝕刻步驟之前、之後或在底部抗反射層蝕刻步驟的前後皆將光阻罩幕暴露於氬氣或溴化氫電漿之中。較佳係在進行底部抗反射層蝕刻步驟的前後皆將光阻罩幕暴露於氬氣或溴化氫電漿之中。
简体摘要：揭露一种雪铁龙的同步等离子处理方法，用来消除或降低由驻波在光阻罩幕中所引起的条痕现象。此方法包括提供位于底部抗反射层上的光阻罩幕，而底部抗反射层系位于所欲蚀刻的特征层上。根据光阻罩幕所定义的图案来蚀刻底部抗反射层以及下方的特征层。并且在特征层蚀刻步骤之前所进行的底部抗反射层蚀刻步骤之前、之后或在底部抗反射层蚀刻步骤的前后皆将光阻罩幕暴露于氩气或溴化氢等离子之中。较佳系在进行底部抗反射层蚀刻步骤的前后皆将光阻罩幕暴露于氩气或溴化氢等离子之中。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式