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1. 发明专利

TW202005045A 半導體設備及其操作方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其操作方法
公开(公告)号：TW202005045A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117135
申请日：2019-05-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張盟昇 , CHANG, MENG-SHENG , 楊耀仁 , YANG, YAO-JEN
IPC分类号： H01L23/62 , H01L21/335 , H01L21/8238
摘要：一種金屬熔絲結構。金屬熔絲結構可包括第一熔絲元件及第二熔絲元件。第二熔絲元件可與第一熔絲元件以長度L相鄰。第二熔絲元件可與第一熔絲元件間隔寬度W。
简体摘要：一种金属熔丝结构。金属熔丝结构可包括第一熔丝组件及第二熔丝组件。第二熔丝组件可与第一熔丝组件以长度L相邻。第二熔丝组件可与第一熔丝组件间隔宽度W。

2. 发明专利

TWI697909B 記憶體電路、記憶體單元陣列及製造記憶體電路的方法有权
简体标题：内存电路、内存单元数组及制造内存电路的方法
公开(公告)号：TWI697909B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108129506
申请日：2019-08-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張盟昇 , CHANG, MENG SHENG , 吳旻信 , WU, MIN SHIN , 楊耀仁 , YANG, YAO JEN
IPC分类号： G11C5/02 , G11C8/06 , G11C7/12 , H01L27/105

3. 发明专利

TW202022880A 積體電路裝置及其電路和操作方法审中-公开
简体标题：集成电路设备及其电路和操作方法
公开(公告)号：TW202022880A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108130321
申请日：2019-08-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳旻信 , WU, MIN SHIN , 張盟昇 , CHANG, MENG SHENG , 周紹禹 , CHOU, SHAO YU , 楊耀仁 , YANG, YAO JEN
IPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18 , H01L27/112
摘要：一種IC裝置包括反熔絲裝置。反熔絲裝置包括在第一閘極結構與主動區之間的介電層；第一電晶體，此第一電晶體包括覆蓋該主動區的第二閘極結構；以及第二電晶體，此第二電晶體包括覆蓋主動區的第三閘極結構。第一閘極結構在第二閘極結構與第三閘極結構之間。
简体摘要：一种IC设备包括反熔丝设备。反熔丝设备包括在第一闸极结构与主动区之间的介电层；第一晶体管，此第一晶体管包括覆盖该主动区的第二闸极结构；以及第二晶体管，此第二晶体管包括覆盖主动区的第三闸极结构。第一闸极结构在第二闸极结构与第三闸极结构之间。

4. 发明专利

TW202018721A 記憶體結構、記憶體元件及產生記憶體元件佈局圖的方法审中-公开
简体标题：内存结构、内存组件及产生内存组件布局图的方法
公开(公告)号：TW202018721A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108129687
申请日：2019-08-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張盟昇 , CHANG, MENG SHENG , 楊耀仁 , YANG, YAO JEN
IPC分类号： G11C17/00 , G06F17/50
摘要：一種結構包括字元線、位元線及反熔絲單元。反熔絲單元包括讀取元件、程式化元件及虛設元件。此讀取元件包括耦合至第一字元線的第一閘極、耦合至位元線的第一源極/汲極區及第二源極/汲極區。第一源極/汲極區及第二源極/汲極區位於第一閘極的相對側。程式化元件包括第二閘極、耦合至第二源極/汲極區的第三源極/汲極區及第四源極/汲極區。第三源極/汲極區及第四源極/汲極區位於第二閘極的相對側。虛設元件包括第三閘極、耦合至第四源極/汲極區的第五源極/汲極區及第六源極/汲極區。第五源極/汲極區及第六源極/汲極區位於第三閘極的相對側上。
简体摘要：一种结构包括字符线、比特线及反熔丝单元。反熔丝单元包括读取组件、进程化组件及虚设组件。此读取组件包括耦合至第一字符线的第一闸极、耦合至比特线的第一源极/汲极区及第二源极/汲极区。第一源极/汲极区及第二源极/汲极区位于第一闸极的相对侧。进程化组件包括第二闸极、耦合至第二源极/汲极区的第三源极/汲极区及第四源极/汲极区。第三源极/汲极区及第四源极/汲极区位于第二闸极的相对侧。虚设组件包括第三闸极、耦合至第四源极/汲极区的第五源极/汲极区及第六源极/汲极区。第五源极/汲极区及第六源极/汲极区位于第三闸极的相对侧上。

5. 发明专利

TW201805950A 用於一非揮發性記憶體之記憶體單元之雙重金屬佈局审中-公开
简体标题：用于一非挥发性内存之内存单元之双重金属布局
公开(公告)号：TW201805950A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106112750
申请日：2017-04-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：張盟昇 , CHANG, MENG-SHENG , 張貝眉 , CHANG, BAI-MEI , 周紹禹 , CHOU, SHAO-YU , 張良川 , CHANG, LIANG-CHUAN
IPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18
CPC分类号： H01L27/11206 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L21/823475
摘要：本揭露提供一種具有一雙重金屬佈局之非揮發性記憶體，該非揮發性記憶體包含：一第一熔絲，其製作於積體電路之一第一導電層上；一第二熔絲，其製作於該積體電路之一第二導電層上；及一電晶體，其製作於該積體電路之前段製程(FEOL)結構上。該非揮發性記憶體之一第一記憶體單元係由包括該第一熔絲及該電晶體之一第一記憶體電路提供，且該非揮發性記憶體之一第二記憶體單元係由包括該第二熔絲及該電晶體之一第二記憶體電路提供。
简体摘要：本揭露提供一种具有一双重金属布局之非挥发性内存，该非挥发性内存包含：一第一熔丝，其制作于集成电路之一第一导电层上；一第二熔丝，其制作于该集成电路之一第二导电层上；及一晶体管，其制作于该集成电路之前段制程(FEOL)结构上。该非挥发性内存之一第一内存单元系由包括该第一熔丝及该晶体管之一第一内存电路提供，且该非挥发性内存之一第二内存单元系由包括该第二熔丝及该晶体管之一第二内存电路提供。

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