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1. 发明专利

TW202018721A 記憶體結構、記憶體元件及產生記憶體元件佈局圖的方法审中-公开
简体标题：内存结构、内存组件及产生内存组件布局图的方法
公开(公告)号：TW202018721A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108129687
申请日：2019-08-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張盟昇 , CHANG, MENG SHENG , 楊耀仁 , YANG, YAO JEN
IPC分类号： G11C17/00 , G06F17/50
摘要：一種結構包括字元線、位元線及反熔絲單元。反熔絲單元包括讀取元件、程式化元件及虛設元件。此讀取元件包括耦合至第一字元線的第一閘極、耦合至位元線的第一源極/汲極區及第二源極/汲極區。第一源極/汲極區及第二源極/汲極區位於第一閘極的相對側。程式化元件包括第二閘極、耦合至第二源極/汲極區的第三源極/汲極區及第四源極/汲極區。第三源極/汲極區及第四源極/汲極區位於第二閘極的相對側。虛設元件包括第三閘極、耦合至第四源極/汲極區的第五源極/汲極區及第六源極/汲極區。第五源極/汲極區及第六源極/汲極區位於第三閘極的相對側上。
简体摘要：一种结构包括字符线、比特线及反熔丝单元。反熔丝单元包括读取组件、进程化组件及虚设组件。此读取组件包括耦合至第一字符线的第一闸极、耦合至比特线的第一源极/汲极区及第二源极/汲极区。第一源极/汲极区及第二源极/汲极区位于第一闸极的相对侧。进程化组件包括第二闸极、耦合至第二源极/汲极区的第三源极/汲极区及第四源极/汲极区。第三源极/汲极区及第四源极/汲极区位于第二闸极的相对侧。虚设组件包括第三闸极、耦合至第四源极/汲极区的第五源极/汲极区及第六源极/汲极区。第五源极/汲极区及第六源极/汲极区位于第三闸极的相对侧上。

2. 发明专利

TW202005045A 半導體設備及其操作方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其操作方法
公开(公告)号：TW202005045A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117135
申请日：2019-05-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張盟昇 , CHANG, MENG-SHENG , 楊耀仁 , YANG, YAO-JEN
IPC分类号： H01L23/62 , H01L21/335 , H01L21/8238
摘要：一種金屬熔絲結構。金屬熔絲結構可包括第一熔絲元件及第二熔絲元件。第二熔絲元件可與第一熔絲元件以長度L相鄰。第二熔絲元件可與第一熔絲元件間隔寬度W。
简体摘要：一种金属熔丝结构。金属熔丝结构可包括第一熔丝组件及第二熔丝组件。第二熔丝组件可与第一熔丝组件以长度L相邻。第二熔丝组件可与第一熔丝组件间隔宽度W。

3. 发明专利

TWI697909B 記憶體電路、記憶體單元陣列及製造記憶體電路的方法有权
简体标题：内存电路、内存单元数组及制造内存电路的方法
公开(公告)号：TWI697909B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108129506
申请日：2019-08-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張盟昇 , CHANG, MENG SHENG , 吳旻信 , WU, MIN SHIN , 楊耀仁 , YANG, YAO JEN
IPC分类号： G11C5/02 , G11C8/06 , G11C7/12 , H01L27/105

4. 发明专利

TW202022880A 積體電路裝置及其電路和操作方法审中-公开
简体标题：集成电路设备及其电路和操作方法
公开(公告)号：TW202022880A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108130321
申请日：2019-08-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳旻信 , WU, MIN SHIN , 張盟昇 , CHANG, MENG SHENG , 周紹禹 , CHOU, SHAO YU , 楊耀仁 , YANG, YAO JEN
IPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18 , H01L27/112
摘要：一種IC裝置包括反熔絲裝置。反熔絲裝置包括在第一閘極結構與主動區之間的介電層；第一電晶體，此第一電晶體包括覆蓋該主動區的第二閘極結構；以及第二電晶體，此第二電晶體包括覆蓋主動區的第三閘極結構。第一閘極結構在第二閘極結構與第三閘極結構之間。
简体摘要：一种IC设备包括反熔丝设备。反熔丝设备包括在第一闸极结构与主动区之间的介电层；第一晶体管，此第一晶体管包括覆盖该主动区的第二闸极结构；以及第二晶体管，此第二晶体管包括覆盖主动区的第三闸极结构。第一闸极结构在第二闸极结构与第三闸极结构之间。

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