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1. 发明专利

TW507296B 增進閘極氧化層完整性與可靠度的方法失效
简体标题：增进闸极氧化层完整性与可靠度的方法
公开(公告)号：TW507296B
公开(公告)日：2002-10-21
申请号：TW090117001
申请日：2001-07-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：鄭俊一 , 黃鈺斌 , 李豫華 , 賀慶雄
IPC分类号： H01L
摘要：一種增進閘極氧化層完整性與可靠度的方法，其包括下列步驟：首先依序形成閘極氧化層、多晶矽層、氧化層、光阻層於一半導體基底之上。然後除去部份光阻層，以定義出閘極區域。接著乾式潔淨位於閘極區域的部份多晶矽層，以避免形成孔洞於多晶矽層中。隨後以剩餘的部份光阻層為罩幕，除去部份氧化層，以暴露出部份多晶矽層。然後除去光阻層。接著形成金屬層於多晶矽層與氧化層之上。最後快速熱回火金屬層，以使部份多晶矽層中的矽與金屬層中的金屬反應成金屬矽化物，而形成一金屬矽化物層於多晶矽層內。
简体摘要：一种增进闸极氧化层完整性与可靠度的方法，其包括下列步骤：首先依序形成闸极氧化层、多晶硅层、氧化层、光阻层于一半导体基底之上。然后除去部份光阻层，以定义出闸极区域。接着干式洁净位于闸极区域的部份多晶硅层，以避免形成孔洞于多晶硅层中。随后以剩余的部份光阻层为罩幕，除去部份氧化层，以暴露出部份多晶硅层。然后除去光阻层。接着形成金属层于多晶硅层与氧化层之上。最后快速热回火金属层，以使部份多晶硅层中的硅与金属层中的金属反应成金属硅化物，而形成一金属硅化物层于多晶硅层内。

2. 发明专利

TW484209B 積體電路中DRAM結構的製作方法失效
简体标题：集成电路中DRAM结构的制作方法
公开(公告)号：TW484209B
公开(公告)日：2002-04-21
申请号：TW087108018
申请日：1998-05-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李豫華 , 吳振銘 , 江文銓
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係有關積體電路中DRAM結構的製作方法，尤其是指其中一種圖案化電容器結構與同時完成介層孔蝕刻的方法。其製程步驟主要包括有：首先，於一包含有基板、第一介電層、第一氮化矽層、第一導電層、電容器介電層與第二導電層之電容器結構上，依序形成第二介電層與第二氮化矽層；然後，經光阻圖案，以第一次蝕刻，蝕刻第二氮化矽層、第二介電層、第二導電層、電容器介電層、第一導電層與第一氮化矽層，直至第一介電層，以分隔電容器結構；之後，形成一均勻被覆之第三氮化矽層，然後進行回蝕刻，以在介層孔兩側形成間隙壁結構；最後，進行第二次介層孔蝕刻，而完成介層孔之製作。
简体摘要：本发明系有关集成电路中DRAM结构的制作方法，尤其是指其中一种图案化电容器结构与同时完成介层孔蚀刻的方法。其制程步骤主要包括有：首先，于一包含有基板、第一介电层、第一氮化硅层、第一导电层、电容器介电层与第二导电层之电容器结构上，依序形成第二介电层与第二氮化硅层；然后，经光阻图案，以第一次蚀刻，蚀刻第二氮化硅层、第二介电层、第二导电层、电容器介电层、第一导电层与第一氮化硅层，直至第一介电层，以分隔电容器结构；之后，形成一均匀被覆之第三氮化硅层，然后进行回蚀刻，以在介层孔两侧形成间隙壁结构；最后，进行第二次介层孔蚀刻，而完成介层孔之制作。

3. 发明专利

TW417179B 複晶矽/金屬矽化物之閘極結構的製造方法失效
简体标题：复晶硅/金属硅化物之闸极结构的制造方法
公开(公告)号：TW417179B
公开(公告)日：2001-01-01
申请号：TW086119296
申请日：1997-12-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李豫華
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露了一種複晶矽／金屬矽化物之閘極結構的製造方法，乃是以自動對準矽化物製程(self-aligned silicide; Salicide)形成此複晶矽／金屬矽化物之閘極結構，能夠避免間隙壁受損(spacer damage free)以及閘極和源極／汲極音橋接現象而引起的短路(bridging short free)，同時降低成本且簡化製程。
简体摘要：本发明揭露了一种复晶硅／金属硅化物之闸极结构的制造方法，乃是以自动对准硅化物制程(self-aligned silicide; Salicide)形成此复晶硅／金属硅化物之闸极结构，能够避免间隙壁受损(spacer damage free)以及闸极和源极／汲极音桥接现象而引起的短路(bridging short free)，同时降低成本且简化制程。

4. 发明专利

TW395030B 半球形矽晶動態隨機存取記憶體結構之電容空乏改善方法有权
简体标题：半球形硅晶动态随机存取内存结构之电容空乏改善方法
公开(公告)号：TW395030B
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：TW088100215
申请日：1999-01-08
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李豫華 , 吳振銘
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係揭露一種半球形矽晶(HSG)動態隨機存取記憶體(DRAM)結構之電容空乏(capacitance depletion)改善方法，其步驟包括:首先，提供一基板，該基板上已製作有具HSG表面之電容器下層電極板;接著，沉積一層磷(P)摻雜氧化層於表面，藉由一加熱之回火步驟，使氧化層中的磷擴散至 HSG中;移除該氧化層後，即可沉積電容器介電層及製作電容器上層電極板，而完成具HSG結構之電容器製作，並可解決電容空乏的問題。
简体摘要：本发明系揭露一种半球形硅晶(HSG)动态随机存取内存(DRAM)结构之电容空乏(capacitance depletion)改善方法，其步骤包括:首先，提供一基板，该基板上已制作有具HSG表面之电容器下层电极板;接着，沉积一层磷(P)掺杂氧化层于表面，借由一加热之回火步骤，使氧化层中的磷扩散至 HSG中;移除该氧化层后，即可沉积电容器介电层及制作电容器上层电极板，而完成具HSG结构之电容器制作，并可解决电容空乏的问题。

5. 发明专利

TW383496B 柱狀電容器之製造方法失效
简体标题：柱状电容器之制造方法
公开(公告)号：TW383496B
公开(公告)日：2000-03-01
申请号：TW087107088
申请日：1998-05-07
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：蕭永寬 , 吳振銘 , 李豫華
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提出一種柱狀電容器之製造方法，其步驟包括：提供一包含元件之半導體基底﹔形成一第一絕緣層於該半導體基底上，並在該半導體預定形成電容器之位置上形成一第一接觸開口，裸露出該半導體基底之表面﹔溝填一第一導電層於該第一接觸開口內﹔依序形成由一第二絕緣層以及一第三絕緣層所構成之堆疊層於該第一絕緣層以及該第一導電層上﹔蝕刻該堆疊層，於該第一接觸開口上方之區域形成一範圍略大於該第一接觸開口且貫穿該第三絕緣層之第二接觸開口﹔形成一柱狀第二導電層於該第二接觸開口內，並且與該第一導電層連接﹔去除該第三絕緣層，形成一柱狀下電極﹔以及依序形成一介電層以及一第二導電層於該柱狀下電極上並加以定義，完成一柱狀電容器。
简体摘要：本发明提出一种柱状电容器之制造方法，其步骤包括：提供一包含组件之半导体基底﹔形成一第一绝缘层于该半导体基底上，并在该半导体预定形成电容器之位置上形成一第一接触开口，裸露出该半导体基底之表面﹔沟填一第一导电层于该第一接触开口内﹔依序形成由一第二绝缘层以及一第三绝缘层所构成之堆栈层于该第一绝缘层以及该第一导电层上﹔蚀刻该堆栈层，于该第一接触开口上方之区域形成一范围略大于该第一接触开口且贯穿该第三绝缘层之第二接触开口﹔形成一柱状第二导电层于该第二接触开口内，并且与该第一导电层连接﹔去除该第三绝缘层，形成一柱状下电极﹔以及依序形成一介电层以及一第二导电层于该柱状下电极上并加以定义，完成一柱状电容器。

6. 发明专利

TW415090B 皇冠型電容結構之製作方法有权
简体标题：皇冠型电容结构之制作方法
公开(公告)号：TW415090B
公开(公告)日：2000-12-11
申请号：TW088109666
申请日：1999-06-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：李豫華 , 吳振銘 , 應澤亮
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係揭露一種應用於動態隨機存取記憶元件(DRAM)中之皇冠型電容結構的製作方法，尤其是指一種可以改進皇冠型電容結構上之層間介電材料(ILD)平坦化的方法。習知之皇冠型電容結構製作完成後，所述電容結構與週邊電路區間之高度差異大，造成後續形成之層間介電材料在進行平坦化處理時有嚴重的厚度差異，而影響後續製程的準確性，使得產品良率降低。本發明則於製作皇冠型電容結構之前，先在電容結構之週邊電路區利用一介電層將所述週邊電路區域墊高，故皇冠型電容結構製作完成之後，電容結構位置與週邊電路區之間不會有太大的高度差異，可提供層間介電材料進行良好的平坦化製程，改善習知皇冠型電容結構製作時產生的問題。
简体摘要：本发明系揭露一种应用于动态随机存取记忆组件(DRAM)中之皇冠型电容结构的制作方法，尤其是指一种可以改进皇冠型电容结构上之层间介电材料(ILD)平坦化的方法。习知之皇冠型电容结构制作完成后，所述电容结构与周边电路区间之高度差异大，造成后续形成之层间介电材料在进行平坦化处理时有严重的厚度差异，而影响后续制程的准确性，使得产品良率降低。本发明则于制作皇冠型电容结构之前，先在电容结构之周边电路区利用一介电层将所述周边电路区域垫高，故皇冠型电容结构制作完成之后，电容结构位置与周边电路区之间不会有太大的高度差异，可提供层间介电材料进行良好的平坦化制程，改善习知皇冠型电容结构制作时产生的问题。

7. 发明专利

TW373326B 動態隨機存取記憶體之電容製作方法失效
简体标题：动态随机存取内存之电容制作方法
公开(公告)号：TW373326B
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：TW087109213
申请日：1998-06-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：施振業 , 吳振銘 , 李豫華
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種積體電路電容之製作方法，首先形成第一介電層於一半導體底材上，再形成一蝕刻停止層於第一介電層上，並形成第二介電層於蝕刻停止層上。接著，蝕刻第二介電層以曝露部份蝕刻停止層之表面，並蝕刻所曝露之部份蝕刻停止層，直至抵達第一介電層為止。再蝕刻所曝露之部份第一介電層與第二介電層，以形成一接觸孔於該底材上且形成一孔洞於第一介電層之上。接著，在該接觸孔與孔洞之側壁與底部以及該第二介電層上形成第一導電層，並移除位於第二介電層上表面之第一導電層。然後，移除第二介電層，並形成一電容器介電層於第一導電層表面上，以及形成第二導電層於該電容器介電層之表面上。
简体摘要：本发明提供一种集成电路电容之制作方法，首先形成第一介电层于一半导体底材上，再形成一蚀刻停止层于第一介电层上，并形成第二介电层于蚀刻停止层上。接着，蚀刻第二介电层以曝露部份蚀刻停止层之表面，并蚀刻所曝露之部份蚀刻停止层，直至抵达第一介电层为止。再蚀刻所曝露之部份第一介电层与第二介电层，以形成一接触孔于该底材上且形成一孔洞于第一介电层之上。接着，在该接触孔与孔洞之侧壁与底部以及该第二介电层上形成第一导电层，并移除位于第二介电层上表面之第一导电层。然后，移除第二介电层，并形成一电容器介电层于第一导电层表面上，以及形成第二导电层于该电容器介电层之表面上。

8. 发明专利

TW368718B 電容器之製造方法失效
简体标题：电容器之制造方法
公开(公告)号：TW368718B
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：TW087104322
申请日：1998-03-23
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：吳振銘 , 李豫華 , 黃振銘
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提出一種電容器之製造方法，其步驟包括：提供一包含元件之半導體基底；依序形成一第一絕緣層、一第二絕緣層、以及一第三絕緣層於該半導體基底上；在該半導體預定形成電容器之位置上形成一柱狀開口，裸露出該半導體基底之表面；形成一第一導電層於該第三絕緣層上；形成一第四絕緣層於該第一導電層上；以該第三絕緣層為蝕刻終點，依序去除位在該第三絕緣層上方區域的該第四絕緣層及該第一導電層；去除該第三絕緣層以及該第四絕緣層，完成一電容器之下電極；以及依序形成一定義過的介電層以及第二導電層於該下電極上。
简体摘要：本发明提出一种电容器之制造方法，其步骤包括：提供一包含组件之半导体基底；依序形成一第一绝缘层、一第二绝缘层、以及一第三绝缘层于该半导体基底上；在该半导体预定形成电容器之位置上形成一柱状开口，裸露出该半导体基底之表面；形成一第一导电层于该第三绝缘层上；形成一第四绝缘层于该第一导电层上；以该第三绝缘层为蚀刻终点，依序去除位在该第三绝缘层上方区域的该第四绝缘层及该第一导电层；去除该第三绝缘层以及该第四绝缘层，完成一电容器之下电极；以及依序形成一定义过的介电层以及第二导电层于该下电极上。

9. 发明专利

TW366582B 積體電路中形成雷射修護窗的方法失效
简体标题：集成电路中形成激光修护窗的方法
公开(公告)号：TW366582B
公开(公告)日：1999-08-11
申请号：TW087100354
申请日：1998-01-13
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：吳振銘 , 李豫華 , 施振業 , 黃國欽 , 應澤亮
IPC分类号： H01L
摘要：一種在積體電路中形成雷射修護窗的方法，首先在基板上形成熔絲。覆蓋上第一介電層，接著形成硬式護罩，隨後再形成第二介電層。依序形成各層環狀金屬層、金屬層間介電層、以及環狀金屬插塞，隨即再形成保護層，並塗佈上光阻。利用微影技術揭露出預備形成熔絲窗口的區域。隨後陸續進行各介電層的蝕刻，利用該硬式護罩做為蝕刻終止層。隨後再將硬式護罩去除。此時在熔絲上方僅剩厚度約2000埃至6000埃的第一介電層，正好可用來做為熔絲的保護罩。
简体摘要：一种在集成电路中形成激光修护窗的方法，首先在基板上形成熔丝。覆盖上第一介电层，接着形成硬式护罩，随后再形成第二介电层。依序形成各层环状金属层、金属层间介电层、以及环状金属插塞，随即再形成保护层，并涂布上光阻。利用微影技术揭露出预备形成熔丝窗口的区域。随后陆续进行各介电层的蚀刻，利用该硬式护罩做为蚀刻终止层。随后再将硬式护罩去除。此时在熔丝上方仅剩厚度约2000埃至6000埃的第一介电层，正好可用来做为熔丝的保护罩。

10. 发明专利

TW366565B 鑲嵌式內連線結構之製造方法失效
简体标题：镶嵌式内连接结构之制造方法
公开(公告)号：TW366565B
公开(公告)日：1999-08-11
申请号：TW087105025
申请日：1998-04-02
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：吳振銘 , 李豫華 , 林正堂 , 黃振銘
IPC分类号： H01L
摘要：一種鑲嵌式內連線結構之製造方法，包括下列步驟：首先提供一基底，表面具有金屬內連線，其次依序在基底上方沈積第一介電層及第二介電層，其作為覆蓋金屬內連線之層間介電層。接著定義一介層窗圖案，並蝕刻層間介電層以形成暴露金屬內連線部份表面之孔洞。其次塗佈一抗反射層，以覆蓋層間介電層並填滿孔洞，之後，定義一內連線溝槽圖案，並據此蝕刻抗反射層及第二介電層，以於第二介電層處形成內連線溝槽。接續除去層間介電層表面及孔洞內所剩餘之抗反射層，並以第一介電層處之孔洞作為介層窗，最後形成另一金屬內連線，其填滿介層窗及內連線溝槽，完成鑲嵌式內連線結構。
简体摘要：一种镶嵌式内连接结构之制造方法，包括下列步骤：首先提供一基底，表面具有金属内连接，其次依序在基底上方沉积第一介电层及第二介电层，其作为覆盖金属内连接之层间介电层。接着定义一介层窗图案，并蚀刻层间介电层以形成暴露金属内连接部份表面之孔洞。其次涂布一抗反射层，以覆盖层间介电层并填满孔洞，之后，定义一内连接沟槽图案，并据此蚀刻抗反射层及第二介电层，以于第二介电层处形成内连接沟槽。接续除去层间介电层表面及孔洞内所剩余之抗反射层，并以第一介电层处之孔洞作为介层窗，最后形成另一金属内连接，其填满介层窗及内连接沟槽，完成镶嵌式内连接结构。

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