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    • 7. 发明专利
    • 成形模具及成形模具之製造方法 FORMATION MOLD AND METHOD FOR MANUFACTURING FORMATION MOLD
    • 成形模具及成形模具之制造方法 FORMATION MOLD AND METHOD FOR MANUFACTURING FORMATION MOLD
    • TW201012617A
    • 2010-04-01
    • TW098126475
    • 2009-08-06
    • 可樂麗股份有限公司
    • 田崎剛福田始弘
    • B29C
    • B29C33/3878G11B7/261
    • [課題]提供一種成形模具,其具有能確保成形面之平面性的耐久性,且該成形模具具有轉印有基於母模之微細凹凸構造的成形面。[解決手段]一種在成形面(10a)上具有微細凹凸構造的成形模具(10,20)之製造方法包含:母模形成步驟,使用在基板之至少一表面上具有通電部(12a)的通電基板(12),並對該通電部(12a)賦予基於阻劑之微細的凸狀阻劑構造體(11)而形成母模(10A);金屬構造形成步驟,在該通電部(12a)析出厚度是相當於該阻劑構造體(11)之高度的金屬,藉以形成金屬構造體(13);通電膜形成步驟,在該阻劑構造體(11)之表面形成通電膜(14);補強層形成步驟,藉由電鍍處理,在通電膜(14)上形成補強層(15);及母模除去步驟,除去該母模(10A),而形成表面具有基於該金屬構造體(13)之微細凹凸圖形的模具(10,20)。
    • [课题]提供一种成形模具,其具有能确保成形面之平面性的耐久性,且该成形模具具有转印有基于母模之微细凹凸构造的成形面。[解决手段]一种在成形面(10a)上具有微细凹凸构造的成形模具(10,20)之制造方法包含:母模形成步骤,使用在基板之至少一表面上具有通电部(12a)的通电基板(12),并对该通电部(12a)赋予基于阻剂之微细的凸状阻剂构造体(11)而形成母模(10A);金属构造形成步骤,在该通电部(12a)析出厚度是相当于该阻剂构造体(11)之高度的金属,借以形成金属构造体(13);通电膜形成步骤,在该阻剂构造体(11)之表面形成通电膜(14);补强层形成步骤,借由电镀处理,在通电膜(14)上形成补强层(15);及母模除去步骤,除去该母模(10A),而形成表面具有基于该金属构造体(13)之微细凹凸图形的模具(10,20)。
    • 8. 发明专利
    • 光電轉換元件及其製造方法 PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    • 光电转换组件及其制造方法 PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    • TW201119111A
    • 2011-06-01
    • TW099126729
    • 2010-08-11
    • 可樂麗股份有限公司
    • 田崎剛福田始弘大木弘之藤田明士
    • H01L
    • H01L51/4253H01L51/0026H01L51/0036H01L51/0037H01L51/424H01L51/447H01L2251/105H01L2251/308Y02E10/549Y02P70/521
    • 本發明之光電轉換元件係在一對電極之間具備剖視梳齒狀的電子供給層及剖視梳齒狀的電子接受層,並且具有活性層,該剖視梳齒狀的電子供給層係由週期性地形成有對於電極主面延伸於交叉方向的複數個剖視長條狀部的剖視帶狀部與基部構成,該剖視梳齒狀的電子接受層係由週期性地形成有對於電極主面延伸於交叉方向的複數個剖視長條狀部的剖視帶狀部與基部構成,該活性層係交互接合電子供給層的複數個剖視長條狀部及電子接受層的複數個剖視長條狀部。電子供給層的剖視帶狀部的帶寬a及電子接受層的剖視帶狀部的帶寬b均為5-100nm。a=b時,活性層的層厚c為a(=b)的2倍-40倍。a≠b時,活性層的層厚c為a與b之中,小的一方的2倍以上且大的一方的40倍以下。
    • 本发明之光电转换组件系在一对电极之间具备剖视梳齿状的电子供给层及剖视梳齿状的电子接受层,并且具有活性层,该剖视梳齿状的电子供给层系由周期性地形成有对于电极主面延伸于交叉方向的复数个剖视长条状部的剖视带状部与基部构成,该剖视梳齿状的电子接受层系由周期性地形成有对于电极主面延伸于交叉方向的复数个剖视长条状部的剖视带状部与基部构成,该活性层系交互接合电子供给层的复数个剖视长条状部及电子接受层的复数个剖视长条状部。电子供给层的剖视带状部的带宽a及电子接受层的剖视带状部的带宽b均为5-100nm。a=b时,活性层的层厚c为a(=b)的2倍-40倍。a≠b时,活性层的层厚c为a与b之中,小的一方的2倍以上且大的一方的40倍以下。