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1. 发明专利

TWI674662B 陣列基板的製造方法有权
简体标题：数组基板的制造方法
公开(公告)号：TWI674662B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107121013
申请日：2018-06-19
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：徐文義 , HSU, WEN-YI , 陳培銘 , CHEN, PEI-MING , 陳茂松 , CHEN, MAW-SONG
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/336 , G09G3/3225

2. 发明专利

TWI694365B 觸控顯示面板有权
简体标题：触摸显示皮肤
公开(公告)号：TWI694365B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW108101709
申请日：2019-01-16
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：黃德群 , HUANG, TE-CHUN , 徐文義 , HSU, WEN-YI , 陳政德 , CHEN, ZENG-DE , 陳培銘 , CHEN, PEI-MING
IPC分类号： G06F3/041

3. 发明专利

TW202022464A 陣列基板及其製造方法审中-公开
简体标题：数组基板及其制造方法
公开(公告)号：TW202022464A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107143417
申请日：2018-12-04
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳培銘 , CHEN, PEI-MING
IPC分类号： G02F1/1345 , G02F1/1343
摘要：一種陣列基板的製造方法包括以下步驟。藉由第一光罩形成第一圖案化導電層於基板上。基板包括元件區及扇出區。形成閘極絕緣層於第一圖案化導電層上。藉由第二光罩形成圖案化半導體層及第二圖案化導電層於閘極絕緣層上。第二圖案化導電層覆蓋於圖案化半導體層上。形成第一絕緣層於圖案化半導體層及第二圖案化導電層上。藉由第三光罩形成第一圖案化透明導電層及第三圖案化導電層於第一絕緣層上。第三圖案化導電層覆蓋於第一圖案化透明導電層上，且第三圖案化導電層至少位於扇出區。另提出一種陣列基板。
简体摘要：一种数组基板的制造方法包括以下步骤。借由第一光罩形成第一图案化导电层于基板上。基板包括组件区及扇出区。形成闸极绝缘层于第一图案化导电层上。借由第二光罩形成图案化半导体层及第二图案化导电层于闸极绝缘层上。第二图案化导电层覆盖于图案化半导体层上。形成第一绝缘层于图案化半导体层及第二图案化导电层上。借由第三光罩形成第一图案化透明导电层及第三图案化导电层于第一绝缘层上。第三图案化导电层覆盖于第一图案化透明导电层上，且第三图案化导电层至少位于扇出区。另提出一种数组基板。

4. 发明专利

TWI673550B 半穿反顯示面板及其畫素結構有权
简体标题：半穿反显示皮肤及其像素结构
公开(公告)号：TWI673550B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW107129639
申请日：2018-08-24
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：周昱恆 , CHOU, YU-HENG , 陳培銘 , CHEN, PEI-MING
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1362

5. 发明专利

TWI588971B 主動元件有权
简体标题：主动组件
公开(公告)号：TWI588971B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105111946
申请日：2016-04-15
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳培銘 , CHEN, PEI-MING
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L27/1251 , H01L27/1225 , H01L29/78675 , H01L29/7869 , H01L29/78696

6. 发明专利

TW201737465A 主動元件审中-公开
简体标题：主动组件
公开(公告)号：TW201737465A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105111946
申请日：2016-04-15
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳培銘 , CHEN, PEI-MING
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L27/1251 , H01L27/1225 , H01L29/78675 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：一種主動元件，適於設置於基板上，其包括多晶矽半導體層、第一絕緣層、閘極、第二絕緣層、第一接觸窗、氧化物半導體層、第一電極及一第二電極。多晶矽半導體層設置於基板上，具有第一摻雜區、通道區及第二摻雜區，通道區設置於第一摻雜區及第二摻雜區之間。第一絕緣層覆蓋多晶矽半導體層及基板。閘極對應通道區設置於第一絕緣層上。第二絕緣層覆蓋閘極及第一絕緣層，第一絕緣層及第二絕緣層具有一第一接觸窗。氧化物半導體層對應閘極設置於第二絕緣層上。第一電極及一第二電極分別相對設置於氧化物半導體層上，氧化物半導體層電性連接第二電極，並經第一接觸窗與第二摻雜區電性連接。
简体摘要：一种主动组件，适于设置于基板上，其包括多晶硅半导体层、第一绝缘层、闸极、第二绝缘层、第一接触窗、氧化物半导体层、第一电极及一第二电极。多晶硅半导体层设置于基板上，具有第一掺杂区、信道区及第二掺杂区，信道区设置于第一掺杂区及第二掺杂区之间。第一绝缘层覆盖多晶硅半导体层及基板。闸极对应信道区设置于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖闸极及第一绝缘层，第一绝缘层及第二绝缘层具有一第一接触窗。氧化物半导体层对应闸极设置于第二绝缘层上。第一电极及一第二电极分别相对设置于氧化物半导体层上，氧化物半导体层电性连接第二电极，并经第一接触窗与第二掺杂区电性连接。

7. 发明专利

TW201711165A 製作光學感測元件與薄膜電晶體元件的方法审中-公开
简体标题：制作光学传感组件与薄膜晶体管组件的方法
公开(公告)号：TW201711165A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW104129730
申请日：2015-09-09
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳信學 , CHEN, SHIN-SHUEH , 陳培銘 , CHEN, PEI-MING
IPC分类号： H01L25/16 , H01L31/0224 , H01L29/40
CPC分类号： H01L27/1443 , H01L29/41733 , H01L29/42356 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L31/02005 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1884 , H02S40/44
摘要：一種光學感測元件與薄膜電晶體元件的整合方法，包括下列步驟。提供基板，並於基板上形成閘極與下電極。形成第一絕緣層於閘極與下電極上，且第一絕緣層至少部分暴露出下電極。形成感光圖案於下電極上。形成圖案化透明半導體層於第一絕緣層上，其中圖案化透明半導體層包括第一透明半導體圖案覆蓋於閘極上方，以及第二透明半導體圖案覆蓋感光圖案。形成源極與汲極於第一透明半導體圖案上。對第二透明半導體圖案進行改質製程，包括通入至少一氣體將第二透明半導體圖案改質成具有導電性的透明上電極。
简体摘要：一种光学传感组件与薄膜晶体管组件的集成方法，包括下列步骤。提供基板，并于基板上形成闸极与下电极。形成第一绝缘层于闸极与下电极上，且第一绝缘层至少部分暴露出下电极。形成感光图案于下电极上。形成图案化透明半导体层于第一绝缘层上，其中图案化透明半导体层包括第一透明半导体图案覆盖于闸极上方，以及第二透明半导体图案覆盖感光图案。形成源极与汲极于第一透明半导体图案上。对第二透明半导体图案进行改质制程，包括通入至少一气体将第二透明半导体图案改质成具有导电性的透明上电极。

8. 发明专利

TWI574374B 製作光學感測元件與薄膜電晶體元件的方法有权
简体标题：制作光学传感组件与薄膜晶体管组件的方法
公开(公告)号：TWI574374B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104129730
申请日：2015-09-09
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳信學 , CHEN, SHIN-SHUEH , 陳培銘 , CHEN, PEI-MING
IPC分类号： H01L25/16 , H01L31/0224 , H01L29/40
CPC分类号： H01L27/1443 , H01L29/41733 , H01L29/42356 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L31/02005 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1884 , H02S40/44

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