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2. 发明专利

TW201225302A 薄膜電晶體 THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：薄膜晶体管 THIN FILM TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201225302A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100100348
申请日：2011-01-05
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：吳文馨 , 黃俊堯 , 林欣樺
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L29/7869
摘要：一種薄膜電晶體,包括閘極、電極對、配置於閘極與電極對之間的第一半導體層以及配置於第一半導體層與電極對之間的半導體疊層。半導體疊層包括第二半導體層以及至少一半導體層組。其中,第二半導體層鄰近於電極對設置,半導體層組包括第三半導體層以及第四半導體層。此外,第二半導體層與第四半導體層包夾第三半導體層。詳細而言,第三半導體層之導電率實質上小於第二半導體層之導電率及第四半導體層之導電率。
简体摘要：一种薄膜晶体管,包括闸极、电极对、配置于闸极与电极对之间的第一半导体层以及配置于第一半导体层与电极对之间的半导体叠层。半导体叠层包括第二半导体层以及至少一半导体层组。其中,第二半导体层邻近于电极对设置,半导体层组包括第三半导体层以及第四半导体层。此外,第二半导体层与第四半导体层包夹第三半导体层。详细而言,第三半导体层之导电率实质上小于第二半导体层之导电率及第四半导体层之导电率。

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