专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI423195B 畫素結構有权
简体标题：像素结构
公开(公告)号：TWI423195B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW099135459
申请日：2010-10-18
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：鄭孝威 , CHENG, HSIAO WEI , 林松輝 , LIN, SUNG HUI , 黃銘湧 , HUANG, MING YUNG , 劉品妙 , LIU, PIN MIAO , 吳文馨 , WU, WEN XIN , 黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO , 游偉盛 , YU, WEI SHENG
IPC分类号： G09F9/30
CPC分类号： G02F1/136213

2. 发明专利

TW201218146A 畫素結構 PIXEL STRUCTURE 审中-公开
简体标题：像素结构 PIXEL STRUCTURE
公开(公告)号：TW201218146A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW099135459
申请日：2010-10-18
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：鄭孝威 , 林松輝 , 黃銘湧 , 劉品妙 , 吳文馨 , 黃俊堯 , 游偉盛
IPC分类号： G09F
CPC分类号： G02F1/136213
摘要：一種畫素結構,其包括掃描線、資料線、主動元件、畫素電極、電容電極線、半導體圖案層以及至少一介電層。主動元件與掃描線以及資料線電性連接。畫素電極與主動元件電性連接。電容電極線位於畫素電極的下方,電容電極線與畫素電極構成具有第一儲存電容値之第一儲存電容器。半導體圖案層位於電容電極線與畫素電極之間,畫素電極與半導體圖案層電性連接,半導體圖案層與電容電極線構成具有第二儲存電容値之第二儲存電容器。介電層位於電容電極線與畫素電極之間且位於半導體圖案層與電容電極線之間。特別是,第一儲存電容値與第二儲存電容値之加總為一總儲存電容値,且第二儲存電容値佔總儲存電容値的30%-80%。
简体摘要：一种像素结构,其包括扫描线、数据线、主动组件、像素电极、电容电极线、半导体图案层以及至少一介电层。主动组件与扫描线以及数据线电性连接。像素电极与主动组件电性连接。电容电极线位于像素电极的下方,电容电极线与像素电极构成具有第一存储电容値之第一存储电容器。半导体图案层位于电容电极线与像素电极之间,像素电极与半导体图案层电性连接,半导体图案层与电容电极线构成具有第二存储电容値之第二存储电容器。介电层位于电容电极线与像素电极之间且位于半导体图案层与电容电极线之间。特别是,第一存储电容値与第二存储电容値之加总为一总存储电容値,且第二存储电容値占总存储电容値的30%-80%。

3. 发明专利

TWI420671B 薄膜電晶體有权
简体标题：薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI420671B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW100100348
申请日：2011-01-05
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：吳文馨 , WU, WEN SHING , 黃俊堯 , HUANG, CHUN YAO , 林欣樺 , LIN, HSIN HUA
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L29/7869

4. 发明专利

TW201225302A 薄膜電晶體 THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：薄膜晶体管 THIN FILM TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201225302A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100100348
申请日：2011-01-05
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：吳文馨 , 黃俊堯 , 林欣樺
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L29/7869
摘要：一種薄膜電晶體,包括閘極、電極對、配置於閘極與電極對之間的第一半導體層以及配置於第一半導體層與電極對之間的半導體疊層。半導體疊層包括第二半導體層以及至少一半導體層組。其中,第二半導體層鄰近於電極對設置,半導體層組包括第三半導體層以及第四半導體層。此外,第二半導體層與第四半導體層包夾第三半導體層。詳細而言,第三半導體層之導電率實質上小於第二半導體層之導電率及第四半導體層之導電率。
简体摘要：一种薄膜晶体管,包括闸极、电极对、配置于闸极与电极对之间的第一半导体层以及配置于第一半导体层与电极对之间的半导体叠层。半导体叠层包括第二半导体层以及至少一半导体层组。其中,第二半导体层邻近于电极对设置,半导体层组包括第三半导体层以及第四半导体层。此外,第二半导体层与第四半导体层包夹第三半导体层。详细而言,第三半导体层之导电率实质上小于第二半导体层之导电率及第四半导体层之导电率。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式