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1. 发明专利

TWI392943B 具窄型邊框區架構之顯示裝置與其驅動方法有权
简体标题：具窄型边框区架构之显示设备与其驱动方法
公开(公告)号：TWI392943B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW098100467
申请日：2009-01-08
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：江怡禛 , CHIANG, YI CHEN , 石志鴻 , SHIH, CHIH HUNG , 陳茂松 , CHEN, MAW SONG , 何子維 , HO, TZU WEI , 林敬桓 , LIN, CHING HUAN , 李宇軒 , LI, YU HSUAN , 謝曜任 , HSIEH, YAO JEN , 許雅婷 , HSU, YA TING , 洪集茂 , HUNG, CHI MAO , 陳耿銘 , CHEN, KEN MING , 陳昱丞 , CHEN, YU CHENG
IPC分类号： G02F1/136 , G09G3/36
CPC分类号： G09G3/3648 , G02F1/1345 , G09G3/3666 , G09G3/3677 , G09G2300/0426 , G09G2310/0232 , G09G2310/0278

2. 发明专利

TWI397756B 主動陣列基板、液晶顯示面板及製造主動陣列基板之方法有权
简体标题：主动数组基板、液晶显示皮肤及制造主动数组基板之方法
公开(公告)号：TWI397756B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW098117161
申请日：2009-05-22
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：陳昱丞 , CHEN, YU CHENG , 王參群 , WANG, TSAN CHUN , 陳茂松 , CHEN, MAW SONG
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286

3. 发明专利

TWI674662B 陣列基板的製造方法有权
简体标题：数组基板的制造方法
公开(公告)号：TWI674662B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107121013
申请日：2018-06-19
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：徐文義 , HSU, WEN-YI , 陳培銘 , CHEN, PEI-MING , 陳茂松 , CHEN, MAW-SONG
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/336 , G09G3/3225

4. 发明专利

TWI619057B 顯示元件有权
简体标题：显示组件
公开(公告)号：TWI619057B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW106118096
申请日：2017-06-01
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：徐文義 , HSU, WEN-YI , 黃德群 , HUANG, TE-CHUN , 陳茂松 , CHEN, MAW-SONG , 洪濬成 , HUNG, CHUN-CHENG
IPC分类号： G06F3/041 , G02F1/00 , H01B5/14

5. 发明专利

TW201544880A 顯示面板审中-公开
简体标题：显示皮肤
公开(公告)号：TW201544880A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103117497
申请日：2014-05-19
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：李政翰 , LI, ZHENGHAN , 黃國有 , HUANG, KUOYU , 陳茂松 , CHEN, MAWSONG
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/167 , G09F9/00
摘要：一種顯示面板包含第一基板、第二基板、顯示介質層、至少一主間隔物、遮光部、複數個第一子畫素與複數個第二子畫素。第一基板具有第一穿透區域與第二穿透區域。顯示介質層置於第一基板與第二基板之間。主間隔物與遮光部皆置於第一基板與第二基板之間，主間隔物於第一基板的正投影落於第一穿透區域中，且位於遮光部於第一基板的正投影中。第一子畫素與第二子畫素分別置於第一穿透區域與第二穿透區域上，且皆位於顯示介質層與第一基板之間。對應第一子畫素與第二子畫素之部分顯示介質層分別具有第一間隙與第二間隙，第一間隙大於第二間隙。
简体摘要：一种显示皮肤包含第一基板、第二基板、显示介质层、至少一主间隔物、遮光部、复数个第一子像素与复数个第二子像素。第一基板具有第一穿透区域与第二穿透区域。显示介质层置于第一基板与第二基板之间。主间隔物与遮光部皆置于第一基板与第二基板之间，主间隔物于第一基板的正投影落于第一穿透区域中，且位于遮光部于第一基板的正投影中。第一子像素与第二子像素分别置于第一穿透区域与第二穿透区域上，且皆位于显示介质层与第一基板之间。对应第一子像素与第二子像素之部分显示介质层分别具有第一间隙与第二间隙，第一间隙大于第二间隙。

6. 发明专利

TWI411985B 曲面顯示面板有权
简体标题：曲面显示皮肤
公开(公告)号：TWI411985B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW099108354
申请日：2010-03-22
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：楊偉傑 , YANG, WEI CHIEH , 簡維誼 , CHIEN, WEI YI , 陳茂松 , CHEN, MAW SONG
IPC分类号： G09F9/00 , G02F1/1339 , G06F3/041
CPC分类号： G02F1/13394 , G02F1/133305 , G02F2001/13396

7. 发明专利

TWI408475B 主動元件陣列基板及其製造方法有权
简体标题：主动组件数组基板及其制造方法
公开(公告)号：TWI408475B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW098146357
申请日：2009-12-31
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：黃德群 , HUANG, TE CHUN , 黃國有 , HUANG, KUO YU , 陳茂松 , CHEN, MAW SONG
IPC分类号： G02F1/136

8. 发明专利

TW201227098A 顯示面板 DISPLAY PANEL 审中-公开
简体标题：显示皮肤 DISPLAY PANEL
公开(公告)号：TW201227098A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099147212
申请日：2010-12-31
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：曾至孝 , 劉昱辰 , 徐文義 , 陳茂松
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/1339 , G02F2001/133388 , Y10T428/24479
摘要：一種顯示面板，其具有顯示區以及位於顯示區周圍的周邊區，所述顯示面板包括第一基板、第二基板、顯示介質以及膠材。第一基板於周邊區具有第一溝槽，且第一溝槽具有至少一側壁。第二基板位於第一基板的對向。顯示介質位於第一基板與第二基板之間。膠材位於第一基板與第二基板之間的周邊區中，其中膠材位於第一溝槽內，且膠材之一側壁與第一溝槽之至少一側壁之間相距0～700um。
简体摘要：一种显示皮肤，其具有显示区以及位于显示区周围的周边区，所述显示皮肤包括第一基板、第二基板、显示介质以及胶材。第一基板于周边区具有第一沟槽，且第一沟槽具有至少一侧壁。第二基板位于第一基板的对向。显示介质位于第一基板与第二基板之间。胶材位于第一基板与第二基板之间的周边区中，其中胶材位于第一沟槽内，且胶材之一侧壁与第一沟槽之至少一侧壁之间相距0～700um。

9. 发明专利

TW201535688A 畫素結構與其製造方法审中-公开
简体标题：像素结构与其制造方法
公开(公告)号：TW201535688A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103108685
申请日：2014-03-12
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：徐文義 , HSU, WENYI , 陳茂松 , CHEN, MAWSONG , 黃國有 , HUANG, KUOYU
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/458
摘要：一種畫素結構包含閘極、閘極介電層、矽通道層、源極矽歐姆接觸層、汲極矽歐姆接觸層、源極輔助歐姆接觸層、汲極輔助歐姆接觸層、透明導電部、透明畫素電極、源極與汲極。閘極介電層覆蓋閘極。矽通道層置於閘極介電層上，且置於閘極上方。源極矽歐姆接觸層與汲極矽歐姆接觸層分開設置於矽通道層上。源極輔助歐姆接觸層、透明導電部與源極依序置於源極矽歐姆接觸層上。汲極輔助歐姆接觸層置於汲極矽歐姆接觸層上。至少部分透明畫素電極置於汲極輔助歐姆接觸層上。汲極置於透明畫素電極上，並置於汲極輔助歐姆接觸層上方。
简体摘要：一种像素结构包含闸极、闸极介电层、硅信道层、源极硅欧姆接触层、汲极硅欧姆接触层、源极辅助欧姆接触层、汲极辅助欧姆接触层、透明导电部、透明像素电极、源极与汲极。闸极介电层覆盖闸极。硅信道层置于闸极介电层上，且置于闸极上方。源极硅欧姆接触层与汲极硅欧姆接触层分开设置于硅信道层上。源极辅助欧姆接触层、透明导电部与源极依序置于源极硅欧姆接触层上。汲极辅助欧姆接触层置于汲极硅欧姆接触层上。至少部分透明像素电极置于汲极辅助欧姆接触层上。汲极置于透明像素电极上，并置于汲极辅助欧姆接触层上方。

10. 发明专利

TWI487067B 強化基板及其製造方法有权
简体标题：强化基板及其制造方法
公开(公告)号：TWI487067B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW099144823
申请日：2010-12-20
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：林欣龍 , LIN, HSIN LUNG , 劉昱辰 , LIU, YU CHEN , 來漢中 , LAI, HAN CHUNG , 陳茂松 , CHEN, MAW SONG , 曾至孝 , TSENG, CHIH HSIAO , 陳彥良 , CHENG, YAN LIANG
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , C03B33/02

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