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1. 发明专利

TWI419335B 顯示裝置及其製造方法有权
简体标题：显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI419335B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW097114276
申请日：2008-04-18
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：詹勳昌 , JAN, SHIUN CHANG , 林漢塗 , LIN, HAN TU , 曾賢楷 , TSENG, SHINE KAI , 張柏翎 , CHANG, PO LING , 周可仲 , CHOU, KE CHUNG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336

2. 发明专利

TWI355748B 畫素之形成方法 A FORMING METHOD OF PIXEL 有权
简体标题：像素之形成方法 A FORMING METHOD OF PIXEL
公开(公告)号：TWI355748B
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW097106688
申请日：2008-02-26
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：詹勳昌 , 林漢塗
IPC分类号： H01L
摘要：一種畫素之形成方法，包括下列步驟：形成薄膜電晶體於基板上，其中薄膜電晶體包括閘極、通道層、源極以及汲極；接著，形成保護層於薄膜電晶體上，然後，形成圖案化光阻層於保護層上，於圖案化光阻層、部分薄膜電晶體以及部分基板上形成透明導電層；接下來，形成第一金屬層於透明導電層上，再以剝離製程將位於圖案化光阻層上之透明導電層與第一金屬層移除。接著，以酸性溶劑溶解已剝離之透明導電層及第一金屬層。然後，移除殘留之第一金屬層以裸露出未被圖案化光阻層覆蓋之薄膜電晶體及位於基板上的透明導電層。
简体摘要：一种像素之形成方法，包括下列步骤：形成薄膜晶体管于基板上，其中薄膜晶体管包括闸极、信道层、源极以及汲极；接着，形成保护层于薄膜晶体管上，然后，形成图案化光阻层于保护层上，于图案化光阻层、部分薄膜晶体管以及部分基板上形成透明导电层；接下来，形成第一金属层于透明导电层上，再以剥离制程将位于图案化光阻层上之透明导电层与第一金属层移除。接着，以酸性溶剂溶解已剥离之透明导电层及第一金属层。然后，移除残留之第一金属层以裸露出未被图案化光阻层覆盖之薄膜晶体管及位于基板上的透明导电层。

3. 发明专利

TWI356499B 畫素結構的製作方法 METHOD FOR FABRICATING PIXEL STRUCTURE 有权
简体标题：像素结构的制作方法 METHOD FOR FABRICATING PIXEL STRUCTURE
公开(公告)号：TWI356499B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：TW096147036
申请日：2007-12-10
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：方國龍 , 楊智鈞 , 黃明遠 , 林漢塗 , 石志鴻 , 廖達文 , 詹勳昌 , 蔡佳琪
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
摘要：一種畫素結構的製作方法包括下列步驟。首先，提供一形成有第一導電層之基板，接著提供第一遮罩於第一導電層上方，並使用雷射經由第一遮罩照射第一導電層，以形成閘極。接著，形成閘絕緣層於基板上，以覆蓋閘極。繼之，同時形成通道層、源極以及汲極於閘極上方的閘絕緣層上，其中閘極、通道層、源極以及汲極構成薄膜電晶體。接著，形成圖案化保護層於薄膜電晶體之上，圖案化保護層暴露出部分汲極。接著，形成一電性連接於汲極的畫素電極。此製作方法較為簡單因而降低製作成本。
简体摘要：一种像素结构的制作方法包括下列步骤。首先，提供一形成有第一导电层之基板，接着提供第一遮罩于第一导电层上方，并使用激光经由第一遮罩照射第一导电层，以形成闸极。接着，形成闸绝缘层于基板上，以覆盖闸极。继之，同时形成信道层、源极以及汲极于闸极上方的闸绝缘层上，其中闸极、信道层、源极以及汲极构成薄膜晶体管。接着，形成图案化保护层于薄膜晶体管之上，图案化保护层暴露出部分汲极。接着，形成一电性连接于汲极的像素电极。此制作方法较为简单因而降低制作成本。

4. 发明专利

TWI339757B 顯示元件及其製造方法 DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：显示组件及其制造方法 DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI339757B
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW096139549
申请日：2007-10-22
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：林漢塗 , 陳建宏 , 詹勳昌
IPC分类号： G02F , G09G , H01L
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1255
摘要：一種顯示元件的製造方法。提供一基板，基板具有一薄膜電晶體區、一畫素區、一閘極線區與一資料線區。依序形成一透明導電層與一第一金屬層於基板上，並對其圖案化以分別於薄膜電晶體區、畫素區、閘極線區與資料線區之末端內形成一導電疊層(包括透明導電層與第一金屬層)。依序形成一第一絕緣層與一半導體層於基板上，並覆蓋導電疊層，再對其圖案化後於薄膜電晶體區之導電疊層上形成一圖案化第一絕緣層與一圖案化半導體層。接著，形成一第二金屬層於基板上，並覆蓋圖案化半導體層與導電疊層，並形成一第一光阻層於第二金屬層上。以第一光阻層為罩幕圖案化第二金屬層與第一金屬層，其中在薄膜電晶體區中形成一通道。之後，加熱第一光阻層使其再流動(reflow)，且部分之第一光阻層保護通道。
简体摘要：一种显示组件的制造方法。提供一基板，基板具有一薄膜晶体管区、一像素区、一闸极线区与一数据线区。依序形成一透明导电层与一第一金属层于基板上，并对其图案化以分别于薄膜晶体管区、像素区、闸极线区与数据线区之末端内形成一导电叠层(包括透明导电层与第一金属层)。依序形成一第一绝缘层与一半导体层于基板上，并覆盖导电叠层，再对其图案化后于薄膜晶体管区之导电叠层上形成一图案化第一绝缘层与一图案化半导体层。接着，形成一第二金属层于基板上，并覆盖图案化半导体层与导电叠层，并形成一第一光阻层于第二金属层上。以第一光阻层为罩幕图案化第二金属层与第一金属层，其中在薄膜晶体管区中形成一信道。之后，加热第一光阻层使其再流动(reflow)，且部分之第一光阻层保护信道。

5. 发明专利

TWI699580B 陣列基板有权
简体标题：数组基板
公开(公告)号：TWI699580B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW108107634
申请日：2019-03-07
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：詹勳昌 , JAN, SHIUN-CHANG
IPC分类号： G02F1/133 , H05K13/06 , G09G3/36

6. 发明专利

TWI373097B 薄膜電晶體陣列基板的製作方法 METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE 有权
简体标题：薄膜晶体管数组基板的制作方法 METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI373097B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW097125980
申请日：2008-07-09
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：曾賢楷 , 林漢塗 , 詹勳昌 , 方國龍
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1288
摘要：一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法包括下列步驟。先於基板上分別形成閘極圖案與第一接墊圖案，並依序形成閘極絕緣層與半導體層覆蓋上述二圖案。接著，形成圖案化光阻層，並調整圖案化光阻層在不同區域的光阻區塊厚度與適當圖案。再經由蝕刻製程、縮減圖案化光阻層製程，以移除位於第一接墊圖案上方之半導體層與閘極絕緣層。之後，移除圖案化光阻層，形成源極圖案、汲極圖案與第一接墊圖案電性連接的第二接墊圖案。接著，形成圖案化保護層於閘極絕緣層上，而圖案化保護層具有暴露出源極圖案或汲極圖案的第二開口與暴露出第二接墊圖案的第三開口。
简体摘要：一种薄膜晶体管数组基板的制作方法包括下列步骤。先于基板上分别形成闸极图案与第一接垫图案，并依序形成闸极绝缘层与半导体层覆盖上述二图案。接着，形成图案化光阻层，并调整图案化光阻层在不同区域的光阻区块厚度与适当图案。再经由蚀刻制程、缩减图案化光阻层制程，以移除位于第一接垫图案上方之半导体层与闸极绝缘层。之后，移除图案化光阻层，形成源极图案、汲极图案与第一接垫图案电性连接的第二接垫图案。接着，形成图案化保护层于闸极绝缘层上，而图案化保护层具有暴露出源极图案或汲极图案的第二开口与暴露出第二接垫图案的第三开口。

7. 发明专利

TWI317538B 顯示面板之金屬層的蝕刻方法 ETCHING PROCESS OF METAL LAYER OF DISPLAY PANEL 有权
简体标题：显示皮肤之金属层的蚀刻方法 ETCHING PROCESS OF METAL LAYER OF DISPLAY PANEL
公开(公告)号：TWI317538B
公开(公告)日：2009-11-21
申请号：TW095142390
申请日：2006-11-16
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：詹勳昌 , 盧藝 , 沈益民 , 陳怡君
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/32134 , H01L27/1244
摘要：一種顯示面板之金屬層的蝕刻方法，包括提供一基板，此基板具有至少一顯示面板區、一測試元件區以及一無元件區。接著於基板上形成一金屬層，覆蓋上述之顯示面板區、測試元件區以及無元件區。之後再於金屬層上形成一蝕刻罩幕，以暴露出部分金屬層，其中被蝕刻罩幕所暴露出之金屬層的面積實質上為金屬層之總面積的70%至88%之間。爾後，進行一濕式蝕刻製程，以移除掉由蝕刻罩幕所暴露出之金屬層。 An etching process of metal layer of display panel is provided. First, a substrate has at least one display panel region, one testing device region and one non－device region is provided. Then, a metal layer is formed on the substrate and fully covers the display panel region, the testing device region and the non－device region. Afterwards, an etching mask is formed on the metal layer to expose part of the metal layer, and the area of the exposed metal layer is substantially about 70% to 88% of that of the metal layer. Then, a wet etching process is performed to remove the exposed metal layer by the etching mask. 【創作特點】本發明之目的是提供一種顯示面板之金屬層的蝕刻方法，以：解決以濕式蝕刻方式蝕刻金屬層時，所遭遇到之側向蝕刻蝕刻量過大的問題。
為達上述或是其他目的，本發明提出一種顯示面板之金屬層的蝕刻方法，包括提供一基板，其中此基板具有至少一顯示面板區、一測試元件區以及一無元件區。接著於基板上形成一金屬層，以覆蓋上述之顯示面板區、測試元件區以及無元件區。之後於金屬層上形成一蝕刻罩幕，以暴露出部分金屬層，其中被蝕刻罩幕所暴露出之金屬層的面積實質上為金屬層之總面積的70%至88%之間。爾後再進行一濕式蝕刻製程，以移除掉由蝕刻罩幕所暴露出之金屬層。
在本發明之一實施例中，上述之金屬層包括鋁、鉬、鉻或是上述金屬之合金，或是上述金屬之氮化物。
在本發明之一實施例中，上述之金屬層為一多層結構，此多層結構包括鋁、鉬、鉻、氮化鋁、氮化鉬、氮化鉻、鋁合金、鉬合金、鉻合金或其任意組合。
在本發明之一實施例中，上述之蝕刻罩幕是由一光阻材料所組成。
在本發明之一實施例中，上述之被蝕刻罩幕所暴露出之金屬層的面積較佳為金屬層之總面積的80%至88%之間。
在本發明之一實施例中，上述之濕式蝕刻製程是採用硝酸溶液(nitric acid solution)為蝕刻液。
在本發明之一實施例中，濕式蝕刻製程之側向蝕刻速率實質上是介於20~160埃/秒，而較佳之側向蝕刻速率是介於30~130埃/秒。
在本發明之一實施例中，濕式蝕刻製程之最大側向蝕刻量與最小蝕刻量之比率實質上是介於0.4~0.95，而較佳之最大側向蝕刻量與最小蝕刻量之比率較佳是介於0.5~0.9。
在本發明之一實施例中，金屬層的蝕刻斜角是小於90度，而較佳的狀況是介於40度到85度之間。
本發明是將薄膜電晶體陣列基板劃分為至少一顯示面板區、一測試元件區以及一無元件區等三個區域，藉由調整上述三個區域內未被蝕刻罩幕覆蓋的鋁金屬層的比例，使得鋁金屬層的總暴露面積介於70%~88%之間。本發明是採用硝酸作為鋁金屬層的蝕刻液，故會產生反應速率較快的副產物亞硝酸與鋁金屬反應。因此，藉由將鋁金屬層的總暴露面積調整至70%~88%之間，以於濕式蝕刻製程中產生大量的鋁離子，如此，會使得亞硝酸的反應迅速達到飽和，而讓反應速率較慢的硝酸反應進行金屬層的蝕刻，藉此將側向蝕刻率降低了10%至90%，故可改善習知技術中因側向蝕刻之蝕刻量過大而產生倒角的現象。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
简体摘要：一种显示皮肤之金属层的蚀刻方法，包括提供一基板，此基板具有至少一显示皮肤区、一测试组件区以及一无组件区。接着于基板上形成一金属层，覆盖上述之显示皮肤区、测试组件区以及无组件区。之后再于金属层上形成一蚀刻罩幕，以暴露出部分金属层，其中被蚀刻罩幕所暴露出之金属层的面积实质上为金属层之总面积的70%至88%之间。尔后，进行一湿式蚀刻制程，以移除掉由蚀刻罩幕所暴露出之金属层。 An etching process of metal layer of display panel is provided. First, a substrate has at least one display panel region, one testing device region and one non－device region is provided. Then, a metal layer is formed on the substrate and fully covers the display panel region, the testing device region and the non－device region. Afterwards, an etching mask is formed on the metal layer to expose part of the metal layer, and the area of the exposed metal layer is substantially about 70% to 88% of that of the metal layer. Then, a wet etching process is performed to remove the exposed metal layer by the etching mask. 【创作特点】本发明之目的是提供一种显示皮肤之金属层的蚀刻方法，以：解决以湿式蚀刻方式蚀刻金属层时，所遭遇到之侧向蚀刻蚀刻量过大的问题。为达上述或是其他目的，本发明提出一种显示皮肤之金属层的蚀刻方法，包括提供一基板，其中此基板具有至少一显示皮肤区、一测试组件区以及一无组件区。接着于基板上形成一金属层，以覆盖上述之显示皮肤区、测试组件区以及无组件区。之后于金属层上形成一蚀刻罩幕，以暴露出部分金属层，其中被蚀刻罩幕所暴露出之金属层的面积实质上为金属层之总面积的70%至88%之间。尔后再进行一湿式蚀刻制程，以移除掉由蚀刻罩幕所暴露出之金属层。在本发明之一实施例中，上述之金属层包括铝、钼、铬或是上述金属之合金，或是上述金属之氮化物。在本发明之一实施例中，上述之金属层为一多层结构，此多层结构包括铝、钼、铬、氮化铝、氮化钼、氮化铬、铝合金、钼合金、铬合金或其任意组合。在本发明之一实施例中，上述之蚀刻罩幕是由一光阻材料所组成。在本发明之一实施例中，上述之被蚀刻罩幕所暴露出之金属层的面积较佳为金属层之总面积的80%至88%之间。在本发明之一实施例中，上述之湿式蚀刻制程是采用硝酸溶液(nitric acid solution)为蚀刻液。在本发明之一实施例中，湿式蚀刻制程之侧向蚀刻速率实质上是介于20~160埃/秒，而较佳之侧向蚀刻速率是介于30~130埃/秒。在本发明之一实施例中，湿式蚀刻制程之最大侧向蚀刻量与最小蚀刻量之比率实质上是介于0.4~0.95，而较佳之最大侧向蚀刻量与最小蚀刻量之比率较佳是介于0.5~0.9。在本发明之一实施例中，金属层的蚀刻斜角是小于90度，而较佳的状况是介于40度到85度之间。本发明是将薄膜晶体管数组基板划分为至少一显示皮肤区、一测试组件区以及一无组件区等三个区域，借由调整上述三个区域内未被蚀刻罩幕覆盖的铝金属层的比例，使得铝金属层的总暴露面积介于70%~88%之间。本发明是采用硝酸作为铝金属层的蚀刻液，故会产生反应速率较快的副产物亚硝酸与铝金属反应。因此，借由将铝金属层的总暴露面积调整至70%~88%之间，以于湿式蚀刻制程中产生大量的铝离子，如此，会使得亚硝酸的反应迅速达到饱和，而让反应速率较慢的硝酸反应进行金属层的蚀刻，借此将侧向蚀刻率降低了10%至90%，故可改善习知技术中因侧向蚀刻之蚀刻量过大而产生倒角的现象。为让本发明之上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

8. 发明专利

TW200945590A 顯示裝置及其製造方法 DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：显示设备及其制造方法 DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200945590A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW097114276
申请日：2008-04-18
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：詹勳昌 , 林漢塗 , 曾賢楷 , 張柏翎 , 周可仲
IPC分类号： H01L
摘要：一種顯示裝置與其製造方法。此種顯示裝置包括基板、多層式導電層、有機光阻層以及透明導電層。多層式導電層包括下阻障層、中間層及上阻障層。前述顯示裝置之製造方法包括下列步驟：提供基板；依序形成下阻障層、中間層及上阻障層於基板上，以形成多層式導電層；形成有機光阻層於多層式導電層上；以及形成透明導電層於有機光阻層上，且透明導電層係與中間層及上阻障層接觸。
简体摘要：一种显示设备与其制造方法。此种显示设备包括基板、多层式导电层、有机光阻层以及透明导电层。多层式导电层包括下阻障层、中间层及上阻障层。前述显示设备之制造方法包括下列步骤：提供基板；依序形成下阻障层、中间层及上阻障层于基板上，以形成多层式导电层；形成有机光阻层于多层式导电层上；以及形成透明导电层于有机光阻层上，且透明导电层系与中间层及上阻障层接触。

9. 发明专利

TWI466298B 畫素結構的製作方法有权
简体标题：像素结构的制作方法
公开(公告)号：TWI466298B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW096133816
申请日：2007-09-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：詹勳昌 , JAN, SHIUN CHANG , 楊智鈞 , YANG, CHIH CHUN , 黃明遠 , HUANG, MING YUAN , 林漢塗 , LIN, HAN TU , 石志鴻 , SHIH, CHIH HUNG , 廖達文 , LIAO, TA WEN , 蔡佳琪 , TSAI, CHIA CHI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/1248 , G02F1/136227 , H01L27/1288

10. 发明专利

TWI360885B 畫素結構及其製作方法 PIXEL STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
简体标题：像素结构及其制作方法 PIXEL STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI360885B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：TW096140324
申请日：2007-10-26
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：詹勳昌 , 林漢塗
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214
摘要：本發明提供一種畫素結構之製作方法，其使用同一光罩進行兩次微影製程，分別定義出源極/汲極以及保護層之圖案，因此可以減少光罩數量與降低製程成本。
简体摘要：本发明提供一种像素结构之制作方法，其使用同一光罩进行两次微影制程，分别定义出源极/汲极以及保护层之图案，因此可以减少光罩数量与降低制程成本。

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