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1. 发明专利

TW201823815A 畫素結構审中-公开
简体标题：像素结构
公开(公告)号：TW201823815A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105144243
申请日：2016-12-30
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：曾賢楷 , TSENG, HSIEN-KAI , 林岱佐 , LIN, TAI-TSO , 張家銘 , CHANG, CHIA-MING
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1345
摘要：一種畫素結構，包括共通線、第一絕緣層、第一連接電極、第二絕緣層、保護層、第一電極、第三絕緣層、第二連接電極以及與主動元件電性連接的第二電極。第一連接電極透過第一絕緣層的第一開口與共通線電性連接。第二絕緣層覆蓋部分的第一連接電極。保護層位於第二絕緣層上且具有第一保護層開口。第一電極位於保護層上，且具有設置於第一保護層開口內的突出部。第三絕緣層位於第一電極上，其中第三絕緣層與第二絕緣層共同形成第一接觸窗，位於第一保護層開口內。第二連接電極於第一接觸窗上，且第一電極的突出部透過第二連接電極與第一連接電極電性連接。
简体摘要：一种像素结构，包括共通线、第一绝缘层、第一连接电极、第二绝缘层、保护层、第一电极、第三绝缘层、第二连接电极以及与主动组件电性连接的第二电极。第一连接电极透过第一绝缘层的第一开口与共通线电性连接。第二绝缘层覆盖部分的第一连接电极。保护层位于第二绝缘层上且具有第一保护层开口。第一电极位于保护层上，且具有设置于第一保护层开口内的突出部。第三绝缘层位于第一电极上，其中第三绝缘层与第二绝缘层共同形成第一接触窗，位于第一保护层开口内。第二连接电极于第一接触窗上，且第一电极的突出部透过第二连接电极与第一连接电极电性连接。

2. 发明专利

TWI605284B 畫素結構有权
简体标题：像素结构
公开(公告)号：TWI605284B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105144243
申请日：2016-12-30
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：曾賢楷 , TSENG, HSIEN-KAI , 林岱佐 , LIN, TAI-TSO , 張家銘 , CHANG, CHIA-MING
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1345

3. 发明专利

TWI419335B 顯示裝置及其製造方法有权
简体标题：显示设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI419335B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW097114276
申请日：2008-04-18
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：詹勳昌 , JAN, SHIUN CHANG , 林漢塗 , LIN, HAN TU , 曾賢楷 , TSENG, SHINE KAI , 張柏翎 , CHANG, PO LING , 周可仲 , CHOU, KE CHUNG
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336

4. 发明专利

TWI396024B 畫素結構、顯示面板以及光電裝置的製造方法有权
简体标题：像素结构、显示皮肤以及光电设备的制造方法
公开(公告)号：TWI396024B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW097145225
申请日：2008-11-21
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：曾賢楷 , TSENG, SHINE KAI , 廖金閱 , LIAO, CHIN YUEH , 陳建宏 , CHEN, CHING HUNG
IPC分类号： G02F1/136

5. 发明专利

TWI373097B 薄膜電晶體陣列基板的製作方法 METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE 有权
简体标题：薄膜晶体管数组基板的制作方法 METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI373097B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW097125980
申请日：2008-07-09
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：曾賢楷 , 林漢塗 , 詹勳昌 , 方國龍
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1288
摘要：一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法包括下列步驟。先於基板上分別形成閘極圖案與第一接墊圖案，並依序形成閘極絕緣層與半導體層覆蓋上述二圖案。接著，形成圖案化光阻層，並調整圖案化光阻層在不同區域的光阻區塊厚度與適當圖案。再經由蝕刻製程、縮減圖案化光阻層製程，以移除位於第一接墊圖案上方之半導體層與閘極絕緣層。之後，移除圖案化光阻層，形成源極圖案、汲極圖案與第一接墊圖案電性連接的第二接墊圖案。接著，形成圖案化保護層於閘極絕緣層上，而圖案化保護層具有暴露出源極圖案或汲極圖案的第二開口與暴露出第二接墊圖案的第三開口。
简体摘要：一种薄膜晶体管数组基板的制作方法包括下列步骤。先于基板上分别形成闸极图案与第一接垫图案，并依序形成闸极绝缘层与半导体层覆盖上述二图案。接着，形成图案化光阻层，并调整图案化光阻层在不同区域的光阻区块厚度与适当图案。再经由蚀刻制程、缩减图案化光阻层制程，以移除位于第一接垫图案上方之半导体层与闸极绝缘层。之后，移除图案化光阻层，形成源极图案、汲极图案与第一接垫图案电性连接的第二接垫图案。接着，形成图案化保护层于闸极绝缘层上，而图案化保护层具有暴露出源极图案或汲极图案的第二开口与暴露出第二接垫图案的第三开口。

6. 发明专利

TW200945590A 顯示裝置及其製造方法 DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：显示设备及其制造方法 DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200945590A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW097114276
申请日：2008-04-18
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：詹勳昌 , 林漢塗 , 曾賢楷 , 張柏翎 , 周可仲
IPC分类号： H01L
摘要：一種顯示裝置與其製造方法。此種顯示裝置包括基板、多層式導電層、有機光阻層以及透明導電層。多層式導電層包括下阻障層、中間層及上阻障層。前述顯示裝置之製造方法包括下列步驟：提供基板；依序形成下阻障層、中間層及上阻障層於基板上，以形成多層式導電層；形成有機光阻層於多層式導電層上；以及形成透明導電層於有機光阻層上，且透明導電層係與中間層及上阻障層接觸。
简体摘要：一种显示设备与其制造方法。此种显示设备包括基板、多层式导电层、有机光阻层以及透明导电层。多层式导电层包括下阻障层、中间层及上阻障层。前述显示设备之制造方法包括下列步骤：提供基板；依序形成下阻障层、中间层及上阻障层于基板上，以形成多层式导电层；形成有机光阻层于多层式导电层上；以及形成透明导电层于有机光阻层上，且透明导电层系与中间层及上阻障层接触。

7. 发明专利

TWI453830B 薄膜電晶體、薄膜電晶體的製造方法以及畫素結構有权
简体标题：薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及像素结构
公开(公告)号：TWI453830B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW099127301
申请日：2010-08-16
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：吳皇君 , WU, HUANG CHUN , 曾賢楷 , TSENG, HSIEN KAI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786 , G09F9/00
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L33/16

8. 发明专利

TWI445175B 主動元件有权
简体标题：主动组件
公开(公告)号：TWI445175B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW100141252
申请日：2011-11-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：邱皓麟 , CHIU, HAO LIN , 林其叡 , LIN, CHI JUI , 曹書瑋 , TSAO, SHU WEI , 林俊男 , LIN, CHUN NAN , 葉柏良 , YEH, PO LIANG , 曾賢楷 , TSENG, HSIEN KAI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869

9. 发明专利

TWI352431B 主動元件陣列結構及其製造方法 ACTIVE MATRIX ARRAY STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
简体标题：主动组件数组结构及其制造方法 ACTIVE MATRIX ARRAY STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI352431B
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：TW097100663
申请日：2008-01-08
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：游偉盛 , 方國龍 , 林祥麟 , 曾賢楷 , 林漢塗
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288
摘要：一種配置於一基板上的主動元件陣列結構包括一第一圖案化導體層、一圖案化閘絕緣層、一圖案化半導體層、一第二圖案化導體層、一圖案化平坦層與一透明導電層。圖案化閘絕緣層具有暴露出部分第一圖案化導體層的第一開口。圖案化半導體層配置於圖案化閘絕緣層上。第二圖案化導體層配置於圖案化半導體層上。圖案化平坦層具有第二開口，以暴露出部分第一圖案化導體層及部分第二圖案化導體層。透明導電層全面地配置於基板上。配置於第一開口以及第二開口內之部份透明導電層在基板以及圖案化平坦層之間斷開。
简体摘要：一种配置于一基板上的主动组件数组结构包括一第一图案化导体层、一图案化闸绝缘层、一图案化半导体层、一第二图案化导体层、一图案化平坦层与一透明导电层。图案化闸绝缘层具有暴露出部分第一图案化导体层的第一开口。图案化半导体层配置于图案化闸绝缘层上。第二图案化导体层配置于图案化半导体层上。图案化平坦层具有第二开口，以暴露出部分第一图案化导体层及部分第二图案化导体层。透明导电层全面地配置于基板上。配置于第一开口以及第二开口内之部份透明导电层在基板以及图案化平坦层之间断开。

10. 发明专利

TW201100941A 薄膜電晶體陣列基板及其製造方法 THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组基板及其制造方法 THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201100941A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW098120246
申请日：2009-06-17
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：陳建宏 , 詹立雄 , 廖金閱 , 曾賢楷
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1248
摘要：一種薄膜電晶體陣列基板及其製造方法。此方法是先於基板上形成包括多條掃描線、與掃描線連接的多個閘極的第一圖案化導電層。然後,於基板上形成具有多個開孔的圖案化閘絕緣層以覆蓋第一圖案化導電層,並於開孔內形成多個介電圖案。接著,於圖案化閘絕緣層上形成多個半導體圖案。而後,於半導體圖案、圖案化閘絕緣層以及介電圖案上形成第二圖案化導電層。繼之,於半導體圖案、圖案化閘絕緣層以及介電圖案上形成保護層。之後,於保護層上形成多個畫素電極。
简体摘要：一种薄膜晶体管数组基板及其制造方法。此方法是先于基板上形成包括多条扫描线、与扫描线连接的多个闸极的第一图案化导电层。然后,于基板上形成具有多个开孔的图案化闸绝缘层以覆盖第一图案化导电层,并于开孔内形成多个介电图案。接着,于图案化闸绝缘层上形成多个半导体图案。而后,于半导体图案、图案化闸绝缘层以及介电图案上形成第二图案化导电层。继之,于半导体图案、图案化闸绝缘层以及介电图案上形成保护层。之后,于保护层上形成多个像素电极。

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