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    • 2. 发明专利
    • 光感測元件及其製作方法 PHOTO DETECTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    • 光传感组件及其制作方法 PHOTO DETECTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    • TWI353063B
    • 2011-11-21
    • TW096127644
    • 2007-07-27
    • 友達光電股份有限公司
    • 林友民陳信立甘豐源
    • H01LG02F
    • H01L31/12G02F1/13338G02F2001/13312G06F3/0412G09G3/20G09G2300/0408G09G2360/144H01L31/145H01L31/18
    • 一種光感測元件,包含一基板、一具有第一狀態之圖案化第一半導體層、一介電層、一圖案化導電層、一內層介電層、一具有第二狀態之圖案化第二半導體層、二第一電極設於內層介電層上以及二第二電極設於圖案化第二半導體層上。圖案化第一半導體層是設於基板上的電晶體區並具有一第一摻雜區與一第二摻雜區。介電層是覆蓋在圖案化第一半導體層上,圖案化導電層是設在介電層上,內層介電層是覆蓋在介電層及圖案化導電層上並具有二孔洞暴露出第一摻雜區及第二摻雜區。圖案化第二半導體層是設於光感測區上,第一電極是電性連接圖案化第一半導體層。
    • 一种光传感组件,包含一基板、一具有第一状态之图案化第一半导体层、一介电层、一图案化导电层、一内层介电层、一具有第二状态之图案化第二半导体层、二第一电极设于内层介电层上以及二第二电极设于图案化第二半导体层上。图案化第一半导体层是设于基板上的晶体管区并具有一第一掺杂区与一第二掺杂区。介电层是覆盖在图案化第一半导体层上,图案化导电层是设在介电层上,内层介电层是覆盖在介电层及图案化导电层上并具有二孔洞暴露出第一掺杂区及第二掺杂区。图案化第二半导体层是设于光传感区上,第一电极是电性连接图案化第一半导体层。
    • 3. 发明专利
    • 薄膜電晶體結構 THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE
    • 薄膜晶体管结构 THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE
    • TWI322508B
    • 2010-03-21
    • TW095146465
    • 2006-12-12
    • 友達光電股份有限公司
    • 林友民甘豐源
    • H01L
    • H01L29/41733H01L27/12H01L27/124H01L29/42384
    • 本發明係關於一種薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)結構,係用於一電晶體液晶顯示器。該薄膜電晶體結構包含一閘極、一第一電極、一第二電極、一介電層及一通道層。此電晶體結構利用第一電極與閘極的重疊面積,形成一不隨製程漂移的寄生電容,可免除外接補償電容;亦即可提高開口率。 A thin film transistor (TFT) structure is provided. The TFT comprises a gate, a first electrode, a second electrode, a dielectric layer, and a channel layer. By overlapping area of the first electrode and the gate, the TFT structure acquires a parasitic capacitor immunized from manufacturing deviation. Therefore the TFT needs no compensation capacitor and the aperture ratio of the TFT is increased. 【創作特點】 本發明之一目的在於提供一種薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)結構,係用於一電晶體液晶顯示器。該薄膜電晶體包含一閘極、一第一電極、一第二電極、一介電層及一通道層。該閘極連接到該液晶顯示器之一掃描線,且面積涵蓋該TFT結構之一工作區域。該第一電極位於該工作區域之兩側。該第二電極位於該工作區域之中間。該介電層位於該閘極與該工作區域之間。該通道層位於該第一及第二電極下方,與該第一及第二電極電性連接。其中,在該閘極面積涵蓋的TFT工作區域內,該第一電極與該第二電極平行,該第一電極與該第二電極其中之一連接到該液晶顯示器之一畫素電極,另一電極連接到該液晶顯示器之一資料線。
      本發明之另一目的在於提供一種薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)結構,係用於一電晶體液晶顯示器。該薄膜電晶體包含一閘極、一第一電極、一第二電極、一介電層及一通道層。該閘極連接到該液晶顯示器之一掃描線,且面積涵蓋該TFT結構之一工作區域。該第一電極具有兩分支,位於該工作區域之中間。該第二電極具有三分支,分別位於該工作區域之中間與兩側。該介電層位於該閘極與該工作區域之間。該通道層位於該第一及第二電極下方,與該第一及第二電極電性連接。其中,該第二電極之分支分別位於該第一電極之分支的兩側,在該閘極面積涵蓋的TFT工作區域內,該第一電極與該第二電極平行,該第一電極與該第二電極其中之一連接到該液晶顯示器之一畫素電極,另一電極連接到該液晶顯示器之一資料線。
      藉此,本發明可提供一薄膜電晶體,具有寄生電容在製程產生偏移時,不受偏移影響,而維持穩定的優點。同時,因為不需額外的補償電容,在增大薄膜電晶體結構面積以獲得較高導通電流時,寄生電容不會大幅度增加。
      為讓本發明之上述目的、技術特徵、和優點能更明顯易懂,下文係以較佳實施例配合所附圖式進行詳細說明。
    • 本发明系关于一种薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)结构,系用于一晶体管液晶显示器。该薄膜晶体管结构包含一闸极、一第一电极、一第二电极、一介电层及一信道层。此晶体管结构利用第一电极与闸极的重叠面积,形成一不随制程漂移的寄生电容,可免除外置补偿电容;亦即可提高开口率。 A thin film transistor (TFT) structure is provided. The TFT comprises a gate, a first electrode, a second electrode, a dielectric layer, and a channel layer. By overlapping area of the first electrode and the gate, the TFT structure acquires a parasitic capacitor immunized from manufacturing deviation. Therefore the TFT needs no compensation capacitor and the aperture ratio of the TFT is increased. 【创作特点】 本发明之一目的在于提供一种薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)结构,系用于一晶体管液晶显示器。该薄膜晶体管包含一闸极、一第一电极、一第二电极、一介电层及一信道层。该闸极连接到该液晶显示器之一扫描线,且面积涵盖该TFT结构之一工作区域。该第一电极位于该工作区域之两侧。该第二电极位于该工作区域之中间。该介电层位于该闸极与该工作区域之间。该信道层位于该第一及第二电极下方,与该第一及第二电极电性连接。其中,在该闸极面积涵盖的TFT工作区域内,该第一电极与该第二电极平行,该第一电极与该第二电极其中之一连接到该液晶显示器之一像素电极,另一电极连接到该液晶显示器之一数据线。 本发明之另一目的在于提供一种薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)结构,系用于一晶体管液晶显示器。该薄膜晶体管包含一闸极、一第一电极、一第二电极、一介电层及一信道层。该闸极连接到该液晶显示器之一扫描线,且面积涵盖该TFT结构之一工作区域。该第一电极具有两分支,位于该工作区域之中间。该第二电极具有三分支,分别位于该工作区域之中间与两侧。该介电层位于该闸极与该工作区域之间。该信道层位于该第一及第二电极下方,与该第一及第二电极电性连接。其中,该第二电极之分支分别位于该第一电极之分支的两侧,在该闸极面积涵盖的TFT工作区域内,该第一电极与该第二电极平行,该第一电极与该第二电极其中之一连接到该液晶显示器之一像素电极,另一电极连接到该液晶显示器之一数据线。 借此,本发明可提供一薄膜晶体管,具有寄生电容在制程产生偏移时,不受偏移影响,而维持稳定的优点。同时,因为不需额外的补偿电容,在增大薄膜晶体管结构面积以获得较高导通电流时,寄生电容不会大幅度增加。 为让本发明之上述目的、技术特征、和优点能更明显易懂,下文系以较佳实施例配合所附图式进行详细说明。
    • 5. 发明专利
    • 雙閘極電晶體及應用此雙閘極電晶體之畫素結構 DUAL-GATE TRANSISTOR AND PIXEL STRUCTURE USING THE SAME
    • 双闸极晶体管及应用此双闸极晶体管之像素结构 DUAL-GATE TRANSISTOR AND PIXEL STRUCTURE USING THE SAME
    • TWI344696B
    • 2011-07-01
    • TW099114562
    • 2006-12-01
    • 友達光電股份有限公司
    • 梁中瑜甘豐源張鼎張
    • H01L
    • 一種畫素結構,包括一雙閘極電晶體、一電容及電性連接於雙閘極電晶體之訊號線。其中,訊號線包含一掃描線與一資料線。雙閘極電晶體,包括一第一閘極,形成於一基板上。一第一介電層,覆蓋於第一閘極與基板上。一半導體層,位於第一介電層與第一閘極上方。一第一電極與一第二電極,分別形成於半導體層上,且第一電極與第二電極之間,具有一間隔,用以分離兩電極。一第二介電層,覆蓋於第一電極、第二電極與部份之半導體層。一第二閘極,位於第二介電層上,其中第二閘極及第一閘極之其中之一者並未與第二電極重疊。
    • 一种像素结构,包括一双闸极晶体管、一电容及电性连接于双闸极晶体管之信号线。其中,信号线包含一扫描线与一数据线。双闸极晶体管,包括一第一闸极,形成于一基板上。一第一介电层,覆盖于第一闸极与基板上。一半导体层,位于第一介电层与第一闸极上方。一第一电极与一第二电极,分别形成于半导体层上,且第一电极与第二电极之间,具有一间隔,用以分离两电极。一第二介电层,覆盖于第一电极、第二电极与部份之半导体层。一第二闸极,位于第二介电层上,其中第二闸极及第一闸极之其中之一者并未与第二电极重叠。
    • 9. 发明专利
    • 顯示裝置及其方法 DISPLAY DEVICE AND METHODS THEREOF
    • 显示设备及其方法 DISPLAY DEVICE AND METHODS THEREOF
    • TW201213983A
    • 2012-04-01
    • TW100142695
    • 2007-09-14
    • 友達光電股份有限公司
    • 鄭岳世郭威宏周文彬胡至仁甘豐源
    • G02FG02B
    • 本發明提供一種顯示裝置,其包括一顯示面板,提供原始影像光訊號。一偏光元件於顯示面板上方,用以偏極該原始影像光訊號。一相位差器於偏光元件之一側,其具有第二方向之平行相位圖案,所述偏光元件於顯示面板與相位差器之間,相位差器使得偏極後的原始影像光訊號包含第一相位光及第二相位光。一影像分像層於相位差器上,所述相位差器於顯示面板與影像分像層之間,所述影像分像層具有一第一方向之平行遮蔽圖案,其中第一方向與第二方向垂直,影像分像層使得包含第一相位光及第二相位光的原始影像光訊號成為顯示角度不同之複數個顯示影像光訊號呈現給至少一使用者。
    • 本发明提供一种显示设备,其包括一显示皮肤,提供原始影像光信号。一偏光组件于显示皮肤上方,用以偏极该原始影像光信号。一相位差器于偏光组件之一侧,其具有第二方向之平行相位图案,所述偏光组件于显示皮肤与相位差器之间,相位差器使得偏极后的原始影像光信号包含第一相位光及第二相位光。一影像分像层于相位差器上,所述相位差器于显示皮肤与影像分像层之间,所述影像分像层具有一第一方向之平行屏蔽图案,其中第一方向与第二方向垂直,影像分像层使得包含第一相位光及第二相位光的原始影像光信号成为显示角度不同之复数个显示影像光信号呈现给至少一用户。