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1. 发明专利

TWI464808B 薄膜電晶體陣列基板及其製作方法有权
简体标题：薄膜晶体管数组基板及其制作方法
公开(公告)号：TWI464808B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW097127655
申请日：2008-07-21
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：李明賢 , LEE, MING HSIEN , 石靖節 , SHIH, CHING CHIEH , 卓恩宗 , CHO, AN THUNG , 彭佳添 , PENG, CHIA TIEN , 林昆志 , LIN, KUN CHIH
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/14687 , G02F2001/13312 , G02F2201/58 , G06F3/0412 , G06F3/042 , H01L27/1214 , H01L27/14632

2. 发明专利

TWI398707B 光感測單元及具有此光感測單元之畫素結構與液晶顯示面板有权
简体标题：光传感单元及具有此光传感单元之像素结构与液晶显示皮肤
公开(公告)号：TWI398707B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW097118226
申请日：2008-05-16
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：卓恩宗 , CHO, AN THUNG , 江文任 , CHIANG, WEN JEN , 彭佳添 , PENG, CHIA TIEN , 林崇榮 , LIN, CHRONG JUNG , 林昆志 , LIN, KUN CHIH , 金雅琴 , KING, YA CHIN , 趙志偉 , CHAO, CHIH WEI , 甘豐源 , GAN, FENG YUAN
IPC分类号： G02F1/136 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/1446 , H01L27/1214 , H01L31/153

3. 发明专利

TWI344026B 光感測器以及具有此光感測器之顯示面板 A PHOTO DETECTOR AND A DISPLAY PANEL HAVING THE SAME 有权
简体标题：光传感器以及具有此光传感器之显示皮肤 A PHOTO DETECTOR AND A DISPLAY PANEL HAVING THE SAME
公开(公告)号：TWI344026B
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：TW096126222
申请日：2007-07-18
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：卓恩宗 , 彭佳添 , 林昆志 , 江文任 , 陳至揚 , 林崇榮 , 金雅琴 , 趙志偉 , 翁健森 , 甘豐源
IPC分类号： G02F , G09G
CPC分类号： H01L31/153
摘要：一種光感測器，包含一感測薄膜電晶體以及一光二極體。感測薄膜電晶體具有一閘極與一基極。光二極體具有一本質半導體區域與感測薄膜電晶體之閘極及基極電性連接。感測薄膜電晶體及光二極體係為包含低溫多晶矽材質之結構。一種包含此光感測器之顯示面板亦同時被揭露。
简体摘要：一种光传感器，包含一传感薄膜晶体管以及一光二极管。传感薄膜晶体管具有一闸极与一基极。光二极管具有一本质半导体区域与传感薄膜晶体管之闸极及基极电性连接。传感薄膜晶体管及光二极管系为包含低温多晶硅材质之结构。一种包含此光传感器之显示皮肤亦同时被揭露。

4. 发明专利

TWI328283B 薄膜電晶體陣列基板與液晶顯示面板的製作方法 MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL 有权
简体标题：薄膜晶体管数组基板与液晶显示皮肤的制作方法 MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
公开(公告)号：TWI328283B
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW097151836
申请日：2008-12-31
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：卓恩宗 , 彭佳添 , 徐源竣 , 石靖節 , 翁健森 , 林昆志 , 曾泓瑋 , 莊銘宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1214 , G02F1/13318 , G02F1/136213 , G02F2201/58 , G09G3/3406 , G09G3/3611 , G09G2320/0626 , G09G2320/066 , G09G2330/021 , G09G2360/144 , H01L27/127 , H01L31/103 , H01L31/105 , H04N5/58 , H04N5/66 , H04N21/42202
摘要：一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法，整合了光感測器的製作，在透明導電層與金屬電極之間形成光敏介電層，以感測外界光線。由於光感測器採用透明導電層做為一電極，因此外界光線可直接通過透明導電層照射光敏介電層，大幅增加光感測器的感光面積，並提升其光感測效能。此外，光敏介電層的另一側可為金屬電極，因此可有效阻擋背光源直接照射光敏介電層，避免雜訊影響。一種採用上述之薄膜電晶體陣列基板的液晶顯示面板的製作方法也被提出。
简体摘要：一种薄膜晶体管数组基板的制作方法，集成了光传感器的制作，在透明导电层与金属电极之间形成光敏介电层，以传感外界光线。由于光传感器采用透明导电层做为一电极，因此外界光线可直接通过透明导电层照射光敏介电层，大幅增加光传感器的感光面积，并提升其光传感性能。此外，光敏介电层的另一侧可为金属电极，因此可有效阻挡背光源直接照射光敏介电层，避免噪声影响。一种采用上述之薄膜晶体管数组基板的液晶显示皮肤的制作方法也被提出。

5. 发明专利

TW200949397A 光感測單元及具有此光感測單元之畫素結構與液晶顯示面板 PHOTO SENSITIVE UNIT AND PIXEL STRUCTURE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL HAVING THE SAME 审中-公开
简体标题：光传感单元及具有此光传感单元之像素结构与液晶显示皮肤 PHOTO SENSITIVE UNIT AND PIXEL STRUCTURE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL HAVING THE SAME
公开(公告)号：TW200949397A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW097118226
申请日：2008-05-16
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：卓恩宗 , 江文任 , 彭佳添 , 林崇榮 , 林昆志 , 金雅琴 , 趙志偉 , 甘豐源
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： H01L27/1446 , H01L27/1214 , H01L31/153
摘要：一種畫素結構，適於配置在一基板上，畫素結構包括一顯示單元及一光感測單元。顯示單元包括一主動元件及一畫素電極。主動元件配置於基板上，畫素電極與主動元件電性連接。光感測單元包括一光電流讀出元件、一遮光電極、一光敏介電層以及一透明電極。遮光電極與光電流讀出元件電性連接，光敏介電層配置於遮光電極上。透明電極配置於光敏介電層上，其中光敏介電層夾於遮光電極與透明電極之間。
简体摘要：一种像素结构，适于配置在一基板上，像素结构包括一显示单元及一光传感单元。显示单元包括一主动组件及一像素电极。主动组件配置于基板上，像素电极与主动组件电性连接。光传感单元包括一光电流读出组件、一遮光电极、一光敏介电层以及一透明电极。遮光电极与光电流读出组件电性连接，光敏介电层配置于遮光电极上。透明电极配置于光敏介电层上，其中光敏介电层夹于遮光电极与透明电极之间。

6. 发明专利

TWI316736B 一種利用準分子雷射再結晶製程來製作多晶矽薄膜的方法 METHOD OF FABRICATING POLYSILICON FILM BY EXCIMER LASER CRYSTALLIZATION PROCESS 有权
简体标题：一种利用准分子激光再结晶制程来制作多晶硅薄膜的方法 METHOD OF FABRICATING POLYSILICON FILM BY EXCIMER LASER CRYSTALLIZATION PROCESS
公开(公告)号：TWI316736B
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW092112077
申请日：2003-05-02
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：林昆志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026
摘要：首先提供一基底，且該基底表面已定義有一第一區域及一第二區域，接著於該基底上形成一非晶矽薄膜，再於該非晶矽薄膜上方形成一遮罩層，隨即移除該第一區域內之該遮罩層，並再形成一熱含覆蓋層覆蓋於該遮罩層及該非晶矽薄膜上，最後進行一準分子雷射再結晶製程，以使該第一區域內之該非晶矽薄膜再結晶成一多晶矽薄膜。
简体摘要：首先提供一基底，且该基底表面已定义有一第一区域及一第二区域，接着于该基底上形成一非晶硅薄膜，再于该非晶硅薄膜上方形成一遮罩层，随即移除该第一区域内之该遮罩层，并再形成一热含覆盖层覆盖于该遮罩层及该非晶硅薄膜上，最后进行一准分子激光再结晶制程，以使该第一区域内之该非晶硅薄膜再结晶成一多晶硅薄膜。

7. 发明专利

TWI333275B 製作光感應器的方法 METHOD FOR FABRICATING LIGHT SENSOR 有权
简体标题：制作光感应器的方法 METHOD FOR FABRICATING LIGHT SENSOR
公开(公告)号：TWI333275B
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：TW097117078
申请日：2008-05-09
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：石靖節 , 卓恩宗 , 彭佳添 , 林昆志
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L31/095 , H01L27/1288 , H01L27/14692
摘要：一種於非晶矽薄膜電晶體面板上製作光感應器的方法。光感應器包括下電極、含有富矽材料之介電層與上電極，能有效提高光感應器的元件信賴性，且能整合薄膜電晶體之製程而降低產品的整體製程成本。
简体摘要：一种于非晶硅薄膜晶体管皮肤上制作光感应器的方法。光感应器包括下电极、含有富硅材料之介电层与上电极，能有效提高光感应器的组件信赖性，且能集成薄膜晶体管之制程而降低产品的整体制程成本。

8. 发明专利

TWI328884B 光感測元件及其製造方法 PHOTO DETECTOR AND METHOD FOR FORMING THEREOF 有权
简体标题：光传感组件及其制造方法 PHOTO DETECTOR AND METHOD FOR FORMING THEREOF
公开(公告)号：TWI328884B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：TW096117104
申请日：2007-05-14
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：翁健森 , 陳亦偉 , 趙志偉 , 林昆志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/035272 , G02F1/1362 , H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18
摘要：本發明揭露一種光感測元件，其包含一基底、一半導體層設於該基底上、一絕緣層覆蓋於該半導體層上、一內層介電層覆蓋於該絕緣層上以及二電極形成於部份該內層介電層上。其中，該半導體層具有一第一摻雜區、一第二摻雜區以及一位於該第一摻雜區與該第二摻雜區之間之本徵區，且該內層介電層具有至少三個孔洞分別曝露出部份該絕緣層、部分該第一摻雜區及部分該第二摻雜區。此外，二電極，是分別經由該些孔洞之其中二個連接至該第一摻雜區及該第二摻雜區。
简体摘要：本发明揭露一种光传感组件，其包含一基底、一半导体层设于该基底上、一绝缘层覆盖于该半导体层上、一内层介电层覆盖于该绝缘层上以及二电极形成于部份该内层介电层上。其中，该半导体层具有一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间之本征区，且该内层介电层具有至少三个孔洞分别曝露出部份该绝缘层、部分该第一掺杂区及部分该第二掺杂区。此外，二电极，是分别经由该些孔洞之其中二个连接至该第一掺杂区及该第二掺杂区。

9. 发明专利

TW201011923A 具備多重能隙的矽奈米晶體光電池及其在一低溫多晶矽薄膜電晶體面板內之應用 PHOTOVOLTAIC CELLS OF SI-NANOCRYSTALS WITH MULTI-BAND GAP AND APPLICATIONS IN A LOW TEMPERATURE POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM TRANSISTOR PANEL 审中-公开
简体标题：具备多重能隙的硅奈米晶体光电池及其在一低温多晶硅薄膜晶体管皮肤内之应用 PHOTOVOLTAIC CELLS OF SI-NANOCRYSTALS WITH MULTI-BAND GAP AND APPLICATIONS IN A LOW TEMPERATURE POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM TRANSISTOR PANEL
公开(公告)号：TW201011923A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW098107027
申请日：2009-03-04
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：卓恩宗 , 趙志偉 , 彭佳添 , 林昆志
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：本發明的領域係關於一光電池。在一個實施例內，該光電池包含一第一導電層、一形成於第一導電層上的N型摻雜半導體層、一形成於該N型摻雜半導體層上的第一矽層、一形成於一第一矽層上的奈米結晶矽(nc-Si)層、一形成於該奈米結晶矽層上的第二矽層、一形成於第二矽層上的P型摻雜半導體層以及一形成於該P型摻雜半導體層上的第二導電層。第一矽層與第二矽層兩者其中之一者是由非結晶矽所形成，另一者是由多晶矽所形成。
简体摘要：本发明的领域系关于一光电池。在一个实施例内，该光电池包含一第一导电层、一形成于第一导电层上的N型掺杂半导体层、一形成于该N型掺杂半导体层上的第一硅层、一形成于一第一硅层上的奈米结晶硅(nc-Si)层、一形成于该奈米结晶硅层上的第二硅层、一形成于第二硅层上的P型掺杂半导体层以及一形成于该P型掺杂半导体层上的第二导电层。第一硅层与第二硅层两者其中之一者是由非结晶硅所形成，另一者是由多晶硅所形成。

10. 发明专利

TW201003850A 半導體元件、顯示裝置、光電裝置及上述之製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY APPARATUS, ELECTRO-OPTICAL APPARATUS, AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体组件、显示设备、光电设备及上述之制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY APPARATUS, ELECTRO-OPTICAL APPARATUS, AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF
公开(公告)号：TW201003850A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097126183
申请日：2008-07-10
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：胡晉瑋 , 林昆志
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L21/2652 , H01L27/1214 , H01L29/66757
摘要：一種半導體元件及其製造方法，其中製造方法包括於基板上形成一P型金屬氧化物半導體元件及一N型金屬氧化物半導體元件。其中，P型金屬氧化物半導體元件包括第一島狀多晶矽、一覆蓋於第一島狀多晶矽上之閘絕緣層以及一位於閘絕緣層上之第一閘極。此外，P型金屬氧化物半導體元件的製造方法包括：對第一島狀多晶矽進行P型離子植入，以形成多個P型重摻雜區及多個P型輕摻雜區，其中通道區之距離實質上小於3微米，且P型輕摻雜區至少其中一者之距離實質上為通道區之距離的10%至80%。P型輕摻雜區改善P型金屬氧化物半導體元件之短通道效應。
简体摘要：一种半导体组件及其制造方法，其中制造方法包括于基板上形成一P型金属氧化物半导体组件及一N型金属氧化物半导体组件。其中，P型金属氧化物半导体组件包括第一岛状多晶硅、一覆盖于第一岛状多晶硅上之闸绝缘层以及一位于闸绝缘层上之第一闸极。此外，P型金属氧化物半导体组件的制造方法包括：对第一岛状多晶硅进行P型离子植入，以形成多个P型重掺杂区及多个P型轻掺杂区，其中信道区之距离实质上小于3微米，且P型轻掺杂区至少其中一者之距离实质上为信道区之距离的10%至80%。P型轻掺杂区改善P型金属氧化物半导体组件之短信道效应。

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