会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 9. 发明专利
    • 薄膜電晶體及其製造方法 THIN FILM TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
    • 薄膜晶体管及其制造方法 THIN FILM TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
    • TW201244107A
    • 2012-11-01
    • TW100114110
    • 2011-04-22
    • 友達光電股份有限公司
    • 陳嘉祥洪銘欽涂峻豪林威廷張鈞傑
    • H01L
    • H01L29/4908H01L29/7869
    • 一種薄膜電晶體。薄膜電晶體包括一基板、一閘極、一閘絕緣層、一源極與一汲極、一通道層、一第一圖案化保護層以及一第二圖案化保護層。閘極配置於基板上。閘絕緣層配置於閘極上。源極與汲極配置於閘絕緣層上。通道層位於源極與汲極上方或下方,其中通道層的一部分暴露於源極與汲極之間。第一圖案化保護層配置於通道層的部分上,其中第一圖案化保護層的材料包括一金屬氧化物,且第一圖案化保護層的厚度為50埃至300埃。第二圖案化保護層覆蓋第一圖案化保護層、閘絕緣層以及源極與汲極。
    • 一种薄膜晶体管。薄膜晶体管包括一基板、一闸极、一闸绝缘层、一源极与一汲极、一信道层、一第一图案化保护层以及一第二图案化保护层。闸极配置于基板上。闸绝缘层配置于闸极上。源极与汲极配置于闸绝缘层上。信道层位于源极与汲极上方或下方,其中信道层的一部分暴露于源极与汲极之间。第一图案化保护层配置于信道层的部分上,其中第一图案化保护层的材料包括一金属氧化物,且第一图案化保护层的厚度为50埃至300埃。第二图案化保护层覆盖第一图案化保护层、闸绝缘层以及源极与汲极。