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1. 发明专利

TWI666767B 主動元件基板有权
简体标题：主动组件基板
公开(公告)号：TWI666767B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107130473
申请日：2018-08-31
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：王鼎 , WANG, DEAN , 林威廷 , LIN, WEI-TING , 鄭君丞 , CHENG, CHUN-CHENG
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336

2. 发明专利

TW201511960A 基板之黏結及分離的方法审中-公开
简体标题：基板之黏结及分离的方法
公开(公告)号：TW201511960A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW102134577
申请日：2013-09-25
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：孫碩陽 , SUN, SHUOYANG , 黃婉真 , HUANG, WANCHEN , 林威廷 , LIN, WEITING , 鄭君丞 , CHENG, CHUNCHENG
IPC分类号： B32B7/04 , B32B17/06 , B32B37/12
CPC分类号： B32B38/10 , B32B37/1284 , B32B38/0004 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381
摘要：一種基板之黏結及分離的方法，包含以下步驟：提供基板；形成第一矽膠層於基板的離型區以及形成第二矽膠層於基板的周邊區，其中第一矽膠層及第二矽膠層分別包含相同的矽膠主劑以及相同的矽膠硬化劑，且第一矽膠層之矽膠主劑與矽膠硬化劑之體積比為約12：1至約15：1，第二矽膠層之矽膠主劑與矽膠硬化劑之體積比為約1：1至約5：1；貼合對向基板至第一矽膠層及第二矽膠層；固化第一矽膠層及第二矽膠層，以黏結基板與對向基板；以及將基板之一部分與對向基板分離。
简体摘要：一种基板之黏结及分离的方法，包含以下步骤：提供基板；形成第一硅胶层于基板的离型区以及形成第二硅胶层于基板的周边区，其中第一硅胶层及第二硅胶层分别包含相同的硅胶主剂以及相同的硅胶硬化剂，且第一硅胶层之硅胶主剂与硅胶硬化剂之体积比为约12：1至约15：1，第二硅胶层之硅胶主剂与硅胶硬化剂之体积比为约1：1至约5：1；贴合对向基板至第一硅胶层及第二硅胶层；固化第一硅胶层及第二硅胶层，以黏结基板与对向基板；以及将基板之一部分与对向基板分离。

3. 发明专利

TWI474487B 氧化物半導體薄膜電晶體結構與其製作方法有权
简体标题：氧化物半导体薄膜晶体管结构与其制作方法
公开(公告)号：TWI474487B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW099141626
申请日：2010-11-30
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳嘉祥 , CHEN, CHIA HSIANG , 曾世賢 , TSENG, SHIH HSIEN , 洪銘欽 , HUNG, MING CHIN , 涂峻豪 , TU, CHUN HAO , 林威廷 , LIN, WEI TING , 張鈞傑 , CHANG, JIUN JYE
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869

4. 发明专利

TW202011602A 主動元件基板审中-公开
简体标题：主动组件基板
公开(公告)号：TW202011602A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW107130473
申请日：2018-08-31
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：王鼎 , WANG, DEAN , 林威廷 , LIN, WEI-TING , 鄭君丞 , CHENG, CHUN-CHENG
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要：一種主動元件基板，包括基板、緩衝層、阻擋層、金屬氧化物半導體層、閘極絕緣層、閘極、源極以及汲極。緩衝層位於基板上。阻擋層位於緩衝層上。金屬氧化物半導體層位於阻擋層上。阻擋層的標準莫耳生成吉布斯能小於金屬氧化物半導體層的標準莫耳生成吉布斯能。閘極絕緣層位於金屬氧化物半導體層上。閘極位於閘極絕緣層上，並與金屬氧化物半導體層重疊。源極與汲極分別電性連接金屬氧化物半導體層。
简体摘要：一种主动组件基板，包括基板、缓冲层、阻挡层、金属氧化物半导体层、闸极绝缘层、闸极、源极以及汲极。缓冲层位于基板上。阻挡层位于缓冲层上。金属氧化物半导体层位于阻挡层上。阻挡层的标准莫耳生成吉布斯能小于金属氧化物半导体层的标准莫耳生成吉布斯能。闸极绝缘层位于金属氧化物半导体层上。闸极位于闸极绝缘层上，并与金属氧化物半导体层重叠。源极与汲极分别电性连接金属氧化物半导体层。

5. 发明专利

TWI431696B 半導體元件及其製造方法有权
简体标题：半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI431696B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW099134786
申请日：2010-10-12
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：洪銘欽 , HUNG, MING CHIN , 林威廷 , LIN, WEI TING , 涂峻豪 , TU, CHUN HAO , 陳嘉祥 , CHEN, CHIA HSIANG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

6. 发明专利

TWI524998B 基板之黏結及分離的方法有权
简体标题：基板之黏结及分离的方法
公开(公告)号：TWI524998B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW102134577
申请日：2013-09-25
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：孫碩陽 , SUN, SHUOYANG , 黃婉真 , HUANG, WANCHEN , 林威廷 , LIN, WEITING , 鄭君丞 , CHENG, CHUNCHENG
IPC分类号： B32B7/04 , B32B17/06 , B32B37/12
CPC分类号： B32B38/10 , B32B37/1284 , B32B38/0004 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381

7. 发明专利

TWI455322B 薄膜電晶體及其製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TWI455322B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW100114110
申请日：2011-04-22
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳嘉祥 , CHEN, CHIA HSIANG , 洪銘欽 , HUNG, MING CHIN , 涂峻豪 , TU, CHUN HAO , 林威廷 , LIN, WEI TING , 張鈞傑 , CHANG, JIUN JYE
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L29/7869

8. 发明专利

TW201814928A 近場通訊感測裝置审中-公开
简体标题：近场通信传感设备
公开(公告)号：TW201814928A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105131071
申请日：2016-09-26
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：林威廷 , LIN, WEI TING , 賴一丞 , LAI, YI CHENG , 王脩華 , WANG, HSIU HUA , 孫碩陽 , SUN, SHUO YANG , 鄭君丞 , CHENG, CHUN CHENG
IPC分类号： H01L43/00 , H04B5/00
摘要：一種近場通訊感測裝置包含感測器、類比數位轉換器、數位處理模組以及負載調變器。感測器設置於基板上，且用以測量一目標資訊，其中基板不包含晶圓。類比數位轉換器設置於基板上，且電性連接該感測器，用以將目標資訊轉換為數位訊號，其中類比數位轉換器包含至少一雙閘極薄膜電晶體。數位處理模組設置於基板上，且電性連接類比數位轉換器，用以將數位訊號轉換為輸送訊號，其中數位處理模組包含至少一頂閘型薄膜電晶體。負載調變器設置於基板上，且其接收輸送訊號，並將輸送訊號轉換成一發射訊號藉由第一天線發射出去給予外在裝置。
简体摘要：一种近场通信传感设备包含传感器、模拟数码转换器、数码处理模块以及负载调制器。传感器设置于基板上，且用以测量一目标信息，其中基板不包含晶圆。模拟数码转换器设置于基板上，且电性连接该传感器，用以将目标信息转换为数码信号，其中模拟数码转换器包含至少一双闸极薄膜晶体管。数码处理模块设置于基板上，且电性连接模拟数码转换器，用以将数码信号转换为输送信号，其中数码处理模块包含至少一顶闸型薄膜晶体管。负载调制器设置于基板上，且其接收输送信号，并将输送信号转换成一发射信号借由第一天线发射出去给予外在设备。

9. 发明专利

TWI453805B 顯示器及其製作方法有权
简体标题：显示器及其制作方法
公开(公告)号：TWI453805B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW100104578
申请日：2011-02-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：卓恩宗 , CHO, AN THUNG , 林威廷 , LIN, WEI TING , 張鈞傑 , CHANG, JIUN JYE , 張天豪 , CHANG, TIEN HAO , 陳伯綸 , CHEN, PO LUN , 廖唯倫 , LIAO, WEI LUNG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/146 , G06F3/041
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/13318 , G02F1/1362 , G06F3/0412 , G06F2203/04103 , H01L27/1446

10. 发明专利

TWI408753B 薄膜電晶體的製造方法有权
简体标题：薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：TWI408753B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW099128835
申请日：2010-08-27
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳嘉祥 , CHEN, CHIA HSIANG , 洪銘欽 , HUNG, MING CHIN , 涂峻豪 , TU, CHUN HAO , 林威廷 , LIN, WEI TING , 張鈞傑 , CHANG, JIUN JYE , 陳伯綸 , CHEN, PO LUN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28

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