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1. 发明专利

TWI692813B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI692813B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW105103679
申请日：2016-02-04
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李東勳 , LEE, DONG-HUN , 朴善欽 , PAAK, SUN-HOM
IPC分类号： H01L21/336

2. 发明专利

TW201316391A 切割使用陶瓷基板之發光元件封裝之方法及切割多層之物件之方法审中-公开
简体标题：切割使用陶瓷基板之发光组件封装之方法及切割多层之对象之方法
公开(公告)号：TW201316391A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101107146
申请日：2012-03-03
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金義錫 , KIM, EUI-SEOK , 池元秀 , JI, WON SOO , 金秋浩 , KIM, CHOO-HO , 李信旼 , RHEE, SHIN-MIN , 李垌勳 , LEE, DONG-HUN , 全喜永 , JUN, HEE-YOUNG
IPC分类号： H01L21/304 , H01L33/48
CPC分类号： B23K26/40 , B23K26/0093 , B23K2201/36 , B23K2203/172 , B23K2203/52 , H01L33/0095 , H01L2224/48091 , H01L2924/12044 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種切割使用陶瓷基板之發光元件封裝件之方法，包括製備一陶瓷基板，該陶瓷基板具有一表面，該表面上接置有複數個發光元件晶片，且形成有透光性材料層以覆蓋該複數個發光元件晶片；使用機械切割方式沿切割線部分地移除位於該複數個發光元件晶片之間的透光性材料層；以及使用雷射切割方式沿該切割線切割該陶瓷基板以分離獨立的發光元件封裝。
简体摘要：本发明提供一种切割使用陶瓷基板之发光组件封装件之方法，包括制备一陶瓷基板，该陶瓷基板具有一表面，该表面上接置有复数个发光组件芯片，且形成有透光性材料层以覆盖该复数个发光组件芯片；使用机械切割方式沿切割线部分地移除位于该复数个发光组件芯片之间的透光性材料层；以及使用激光切割方式沿该切割线切割该陶瓷基板以分离独立的发光组件封装。

3. 发明专利

TW201637099A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201637099A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105103679
申请日：2016-02-04
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李東勳 , LEE, DONG-HUN , 朴善欽 , PAAK, SUN-HOM
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/3086 , H01L27/1104
摘要：一種半導體裝置製造方法包括：在基板上依序形成硬罩幕層及犧牲層；在犧牲層上形成包括第一至第三上部子芯軸的上部芯軸，第一上部子芯軸的寬度小於第二及第三上部子芯軸的寬度；在各上部子芯軸側壁上形成第一間隙壁；移除上部芯軸；使用第一間隙壁為蝕刻遮罩蝕刻犧牲層以形成包括多個下部子芯軸的下部芯軸；在下部子芯軸側壁上形成第二間隙壁；移除下部芯軸；使用第二間隙壁為蝕刻遮罩圖案化硬罩幕層及基板以形成第一至第十鰭片；移除第一、第二、第五及第八鰭片；及形成第一及第二閘電極。
简体摘要：一种半导体设备制造方法包括：在基板上依序形成硬罩幕层及牺牲层；在牺牲层上形成包括第一至第三上部子芯轴的上部芯轴，第一上部子芯轴的宽度小于第二及第三上部子芯轴的宽度；在各上部子芯轴侧壁上形成第一间隙壁；移除上部芯轴；使用第一间隙壁为蚀刻遮罩蚀刻牺牲层以形成包括多个下部子芯轴的下部芯轴；在下部子芯轴侧壁上形成第二间隙壁；移除下部芯轴；使用第二间隙壁为蚀刻遮罩图案化硬罩幕层及基板以形成第一至第十鳍片；移除第一、第二、第五及第八鳍片；及形成第一及第二闸电极。

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