专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201820564A 重配置線路結構及其製作方法审中-公开
简体标题：重配置线路结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201820564A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105138521
申请日：2016-11-23
申请人：南茂科技股份有限公司 , CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：胡恩崧 , HU, EN-SUNG
IPC分类号： H01L23/485
摘要：一種重配置線路結構，適於配置於具有接墊與保護層的基材上，保護層具有暴露出部分接墊的第一開口。重配置線路結構包括第一、第二圖案化絕緣層及重配置線路層。第一圖案化絕緣層配置於保護層上且包括對應於第一開口的第二開口及至少一凹槽。重配置線路層配置於第一圖案化絕緣層上且包括接墊部及導線部。接墊部位於第一圖案化絕緣層上，導線部包括本體及凸出本體的至少一根基。本體從接墊部延伸至第一、第二開口內，以與接墊連接。根基伸入凹槽。第二圖案化絕緣層覆蓋導線部且暴露部分的接墊部。本發明更提供一種重配置線路結構的製作方法。
简体摘要：一种重配置线路结构，适于配置于具有接垫与保护层的基材上，保护层具有暴露出部分接垫的第一开口。重配置线路结构包括第一、第二图案化绝缘层及重配置线路层。第一图案化绝缘层配置于保护层上且包括对应于第一开口的第二开口及至少一凹槽。重配置线路层配置于第一图案化绝缘层上且包括接垫部及导线部。接垫部位于第一图案化绝缘层上，导线部包括本体及凸出本体的至少一根基。本体从接垫部延伸至第一、第二开口内，以与接垫连接。根基伸入凹槽。第二图案化绝缘层覆盖导线部且暴露部分的接垫部。本发明更提供一种重配置线路结构的制作方法。

2. 发明专利

TWI610410B 重配置線路結構及其製作方法有权
简体标题：重配置线路结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI610410B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105138521
申请日：2016-11-23
申请人：南茂科技股份有限公司 , CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：胡恩崧 , HU, EN-SUNG
IPC分类号： H01L23/485
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L2224/02206 , H01L2224/02317 , H01L2224/0233 , H01L2224/0235 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05027 , H01L2224/4805

3. 发明专利

TW201820563A 重配置線路結構及其製作方法审中-公开
简体标题：重配置线路结构及其制作方法
公开(公告)号：TW201820563A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105138518
申请日：2016-11-23
申请人：南茂科技股份有限公司 , CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：胡恩崧 , HU, EN-SUNG
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/60
摘要：一種重配置線路結構，配置於具有接墊與保護層的基材上，保護層具有暴露出部分接墊的第一開口。重配置線路結構包括第一、第二圖案化絕緣層及重配置線路層。第一圖案化絕緣層配置於保護層上且包括至少一凸出部及對應於第一開口的第二開口。重配置線路層配置於第一圖案化絕緣層上且包括接墊部及導線部，導線部包括本體及凹陷於本體的至少一凹槽，導線部從接墊部延伸至第一開口與第二開口內，以與接墊連接，本體包覆凸出部，且凸出部伸入凹槽。第二圖案化絕緣層覆蓋導線部且暴露部分的接墊部。本發明更提供一種重配置線路結構的製作方法。
简体摘要：一种重配置线路结构，配置于具有接垫与保护层的基材上，保护层具有暴露出部分接垫的第一开口。重配置线路结构包括第一、第二图案化绝缘层及重配置线路层。第一图案化绝缘层配置于保护层上且包括至少一凸出部及对应于第一开口的第二开口。重配置线路层配置于第一图案化绝缘层上且包括接垫部及导线部，导线部包括本体及凹陷于本体的至少一凹槽，导线部从接垫部延伸至第一开口与第二开口内，以与接垫连接，本体包覆凸出部，且凸出部伸入凹槽。第二图案化绝缘层覆盖导线部且暴露部分的接垫部。本发明更提供一种重配置线路结构的制作方法。

4. 发明专利

TWI607535B 重配置線路結構及其製作方法有权
简体标题：重配置线路结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI607535B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105138518
申请日：2016-11-23
申请人：南茂科技股份有限公司 , CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：胡恩崧 , HU, EN-SUNG
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/4846 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/19 , H01L2224/02206 , H01L2224/02317 , H01L2224/0233 , H01L2224/0235 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05027 , H01L2224/4805

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式