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1. 发明专利

TW201419609A 發光裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201419609A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW103101599
申请日：2006-08-07
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：中村康男 , NAKAMURA, YASUO , 柴田典子 , SHIBATA, NORIKO
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/56 , H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5228 , H01L27/3276 , H01L51/506 , H01L51/5076
摘要：本發明提供一種主動矩陣發光裝置，其亮度特性在各個像素的發光元件之間不會發生變化，而且甚至在面板具有更高清晰度時也能夠實現。在該發光裝置中，發光元件具有位於第一電極和第二電極之間的含發光材料的層，該發光元件的一個電極(第二電極)不僅在周邊部分也在像素部分中電連接至一輔助佈線。該含發光材料的層具有至少第一緩衝層、發光層和第二緩衝層。在該像素部分中，於一連接部分(第一連接部分)內，第一緩衝層和第二緩衝層之一或兩者均位於輔助佈線(第一輔助佈線)和第二電極之間，其中在該連接部分內第二電極係與輔助佈線電連接。
简体摘要：本发明提供一种主动矩阵发光设备，其亮度特性在各个像素的发光组件之间不会发生变化，而且甚至在皮肤具有更高清晰度时也能够实现。在该发光设备中，发光组件具有位于第一电极和第二电极之间的含发光材料的层，该发光组件的一个电极(第二电极)不仅在周边部分也在像素部分中电连接至一辅助布线。该含发光材料的层具有至少第一缓冲层、发光层和第二缓冲层。在该像素部分中，于一连接部分(第一连接部分)内，第一缓冲层和第二缓冲层之一或两者均位于辅助布线(第一辅助布线)和第二电极之间，其中在该连接部分内第二电极系与辅助布线电连接。

2. 发明专利

TWI585955B 光感測器及顯示裝置有权
简体标题：光传感器及显示设备
公开(公告)号：TWI585955B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW098139741
申请日：2009-11-23
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：中村康男 , NAKAMURA, YASUO , 棚田好文 , TANADA, YOSHIFUMI
IPC分类号： H01L27/14 , G09F9/30
CPC分类号： H01L31/1055 , G02F2001/13312 , H01L27/1225 , H01L27/323 , H01L27/3234

3. 发明专利

TWI535027B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI535027B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW099133860
申请日：2010-10-05
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 魚地秀貴 , UOCHI, HIDEKI , 中村康男 , NAKAMURA, YASUO , 菅尾惇平 , SUGAO, JUNPEI
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/12 , H01L27/124

4. 发明专利

TW201610963A 驅動顯示裝置之方法审中-公开
简体标题：驱动显示设备之方法
公开(公告)号：TW201610963A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104141289
申请日：2011-01-06
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：脇本研一 , WAKIMOTO, KENICHI , 中村康男 , NAKAMURA, YASUO
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/34
CPC分类号： G09G3/3648 , G02F1/13306 , G02F1/1334 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/3413 , G09G2300/0426 , G09G2310/0237 , G09G2310/08 , G09G2320/0214 , G09G2320/0261 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2330/026
摘要：本發明之一目標為提供一種消耗充分小量電力之方便的顯示裝置，及驅動該顯示裝置之方法。該顯示裝置可基於以靜態影像顯示模式顯示之靜態影像而處於關閉狀態，其中用於施加電壓於該顯示元件之像素電極及共同電極成為浮動狀態，使得以保持施加於該顯示元件之電壓，並顯示靜態影像而未進一步供應電位。該顯示裝置被置於關閉狀態，並以靜態影像顯示模式顯示所要之影像，藉此該顯示裝置可具有較高的安全程度並可更方便。
简体摘要：本发明之一目标为提供一种消耗充分小量电力之方便的显示设备，及驱动该显示设备之方法。该显示设备可基于以静态影像显示模式显示之静态影像而处于关闭状态，其中用于施加电压于该显示组件之像素电极及共同电极成为浮动状态，使得以保持施加于该显示组件之电压，并显示静态影像而未进一步供应电位。该显示设备被置于关闭状态，并以静态影像显示模式显示所要之影像，借此该显示设备可具有较高的安全程度并可更方便。

5. 发明专利

TWI576805B 驅動顯示裝置之方法有权
简体标题：驱动显示设备之方法
公开(公告)号：TWI576805B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104141289
申请日：2011-01-06
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：脇本研一 , WAKIMOTO, KENICHI , 中村康男 , NAKAMURA, YASUO
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/34
CPC分类号： G09G3/3648 , G02F1/13306 , G02F1/1334 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/3413 , G09G2300/0426 , G09G2310/0237 , G09G2310/08 , G09G2320/0214 , G09G2320/0261 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2330/026

7. 发明专利

TWI522983B 驅動顯示裝置之方法有权
简体标题：驱动显示设备之方法
公开(公告)号：TWI522983B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW100100482
申请日：2011-01-06
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：脇本研一 , WAKIMOTO, KENICHI , 中村康男 , NAKAMURA, YASUO
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/34
CPC分类号： G09G3/3648 , G02F1/13306 , G02F1/1334 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/3413 , G09G2300/0426 , G09G2310/0237 , G09G2310/08 , G09G2320/0214 , G09G2320/0261 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2330/026

8. 发明专利

TWI390758B 發光元件及彼之製法及使用發光元件之發光裝置有权
简体标题：发光组件及彼之制法及使用发光组件之发光设备
公开(公告)号：TWI390758B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW094113284
申请日：2005-04-26
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：中村康男 , NAKAMURA, YASUO , 池田壽雄 , IKEDA, HISAO , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L51/5052 , H01L27/3209 , H01L51/0067 , H01L51/5092 , H01L51/5278

9. 发明专利

TW201737358A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201737358A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106120385
申请日：2009-08-04
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：宮入秀和 , MIYAIRI, HIDEKAZU , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 中村康男 , NAKAMURA, YASUO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/3065 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/02323 , H01L21/02565 , H01L21/32139 , H01L21/465 , H01L21/467 , H01L21/4763 , H01L21/47635 , H01L27/1225 , H01L29/0692 , H01L29/1033 , H01L29/24 , H01L29/263 , H01L29/42364 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78633 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要：本發明的目的在於：提供以製程數少製造具有優良電特性且可靠性高的薄膜電晶體的半導體裝置的方法。在包含In、Ga及Zn的氧化物半導體膜上形成通道保護層，然後形成具有n型導電性的膜和導電膜，並且在導電膜上形成抗蝕劑掩模。與該抗蝕劑掩模一起將通道保護層及閘極絕緣膜用來停止蝕刻，對導電膜、具有n型導電性的膜、包含In、Ga及Zn的氧化物半導體膜進行蝕刻，以形成源電極層及汲電極層、緩衝層和半導體層。
简体摘要：本发明的目的在于：提供以制程数少制造具有优良电特性且可靠性高的薄膜晶体管的半导体设备的方法。在包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜上形成信道保护层，然后形成具有n型导电性的膜和导电膜，并且在导电膜上形成抗蚀剂掩模。与该抗蚀剂掩模一起将信道保护层及闸极绝缘膜用来停止蚀刻，对导电膜、具有n型导电性的膜、包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜进行蚀刻，以形成源电极层及汲电极层、缓冲层和半导体层。

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